半導体装置の製造方法
    2.
    发明申请
    半導体装置の製造方法 审中-公开
    半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:WO2012036079A1

    公开(公告)日:2012-03-22

    申请号:PCT/JP2011/070562

    申请日:2011-09-09

    Abstract:  本発明による半導体装置の製造方法は、ターゲット(100A)をスパッタする工程を含み、ターゲット(100A)は、互いに間隙を空けて配置された複数のターゲットタイル(11A)と、複数のターゲットタイル(11A)を支持するバッキングプレート(15A)と、バッキングプレート(15A)と複数のターゲットタイル(11A)との間に設けられたボンディング部材(17A)とを有し、複数のターゲットタイル(11A)のそれぞれは、In、GaおよびZnを含み、ターゲット(100A)を、複数のターゲットタイル(11A)が配置されている側の法線方向から見たとき、複数のターゲットタイル(11A)のそれぞれは絶縁基板(1)よりも小さく、かつ、間隙からボンディング部材(17A)が見えない。

    Abstract translation: 根据本发明的半导体器件的制造方法包括用于溅射靶(100A)的工艺。 目标(100A)包括布置有间隙的多个目标瓦片(11A),用于支撑多个目标瓦片(11A)的背板(15A)和设置在背板(15A)之间的接合构件 )和多个目标瓦片(11A)。 多个目标瓦片(11A)中的每一个包括In,Ga和Zn。 当从与多个目标瓦片(11A)排列的一侧垂直的方向观察目标(100A)时,多个目标瓦片(11A)中的每一个小于绝缘基板(1),并且接合部件 (17A)不能从间隙中看到。

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