公开(公告)号：WO2003018506A1

公开(公告)日：2003-03-06

申请号：PCT/JP2002/006882

申请日：2002-07-05

Applicant: 住友チタニウム株式会社 ,  夏目 義丈 ,  小笠原 忠司 ,  岩瀬 敏治

Inventor： 夏目 義丈 ,  小笠原 忠司 ,  岩瀬 敏治

IPC: C04B35/14

CPC classification number: C04B35/14 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/10

Abstract: A mixed sintered compact of silicon and silicon dioxide, which is prepared from a silicon powder and a silicon dioxide powder and has a bulk density which is 75 % or more relative to that to be obtained when the raw material powders are packed at 0 % porosity and a Vickers hardness of 100 or more; and a method for preparing the mixed sintered compact of silicon and silicon dioxide which comprises mixing a silicon powder and a silicon dioxide powder, and then pressing and sintering the mixed material under vacuum, at a pressure of a press of 15 to 20 MPa, at a temperature of 1350 to 1420˚C, and for a period of one hour or more. The mixed sintered compact has an advantage of the use of a silicon powder and a silicon dioxide powder as raw materials, and also exhibits an enhanced speed in the formation of a silicon monoxide vapor deposition film, is significantly reduced in the occurrence of splashing and is almost free from cracking or chipping even when it is machined into a desired shape.

Abstract translation: 硅和二氧化硅的混合烧结体，其由硅粉末和二氧化硅粉末制成，并且当原料粉末以0％孔隙率填充时，其堆积密度相对于获得的堆积密度为75％以上 维氏硬度为100以上; 以及制备硅和二氧化硅的混合烧结体的方法，其包括将硅粉和二氧化硅粉末混合，然后在压力为15〜20MPa的压力下在真空下对该混合材料进行压制和烧结 温度为1350〜1420℃，时间为1小时以上。 混合烧结体具有使用硅粉末和二氧化硅粉末作为原料的优点，并且在形成一氧化硅气相沉积膜时表现出增强的速度，飞溅的发生显着降低，并且是 即使将其加工成所需的形状也几乎没有破裂或碎裂。

公开(公告)号：WO2003070659A1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：PCT/JP2002/012567

申请日：2002-11-29

Applicant: 住友チタニウム株式会社 ,  夏目 義丈 ,  小笠原 忠司 ,  渡辺 宗敏 ,  東 和臣 ,  岩瀬 敏治

Inventor： 夏目 義丈 ,  小笠原 忠司 ,  渡辺 宗敏 ,  東 和臣 ,  岩瀬 敏治

IPC: C04B35/01

CPC classification number: C04B35/645 ,  C04B35/14 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/79

Abstract: A sintered object of silicon monoxide being used as a material for forming a silicon oxide based thin film in which evaporation residue is 4% or less of the sample mass before measurement when thermogravimetry of a sample of sintered object is performed in a vacuum atmosphere where the heating temperature is 1300 ringC and the pressure is up to 10 Pa. The sintered object can be produced by sintering SiO particles having a grain size of 250 mum or above under a non-oxygen atmosphere after it is press-formed or while being pressed. Since the sintered object exhibits a high evaporation rate, productivity of silicon oxide based thin film can be enhanced when it is used as a material for forming a film. It can be applied widely for forming a silicon oxide based thin film being employed as an electric insulating film, a mechanical protection film, an optical protection film, a gas barrier for packaging a food, and the like.

Abstract translation: 作为用于形成氧化硅类薄膜的材料的氧化硅系薄膜的烧结体，其中，在真空气氛中进行烧结体样品的热重分析时，蒸发残渣为测定前样品质量的4％以下， 加热温度为1300℃，压力高达10Pa，烧结体可以在压制成型后或在被压制的同时，在非氧气氛下烧结粒径为250μm以上的SiO粒子。 由于烧结体表现出高的蒸发速率，因此当用作形成薄膜的材料时，可以提高氧化硅基薄膜的生产率。 可以广泛地应用于形成用作电绝缘膜的氧化硅基薄膜，机械保护膜，光学保护膜，用于包装食品的气体屏障等。

公开(公告)号：WO2003082769A1

公开(公告)日：2003-10-09

申请号：PCT/JP2003/003894

申请日：2003-03-27

Applicant: 住友チタニウム株式会社 ,  夏目 義丈 ,  小笠原 忠司 ,  渡辺 宗敏 ,  東 和臣 ,  岩瀬 敏治

Inventor： 夏目 義丈 ,  小笠原 忠司 ,  渡辺 宗敏 ,  東 和臣 ,  岩瀬 敏治

IPC: C04B35/01

CPC classification number: C04B35/14 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/3414

Abstract: 質量％で、ボロン、リンまたはアンチモンをドープした珪素粉末を２０～８０％含有させ、残部は一酸化珪素からなる原料粉末、または残部は一酸化珪素または一酸化珪素と二酸化珪素の混合物からなり、この混合物中の一酸化珪素の含有量が２０％以上である原料粉末を成形した一酸化珪素焼結体、およびこれを用いたスパッタリングターゲットである。この焼結体によれば、成膜速度を確保するとともに、成膜される膜特性の安定化を図ることができる。このため、光学用保護膜として透明プラスチックのガス透過防止、ガラスのＮａ溶出防止、またはレンズ表面の保護膜として用いられる酸化珪素系薄膜の成膜用として、広く適用することができる。

Abstract translation: 通过形成由20〜80质量％的掺杂有硼，磷或锑的硅粉末和平衡量的一氧化硅或一氧化硅和二氧化硅的混合物构成的原料粉末而制备的一氧化碳烧结体，其中， 混合物中一氧化硅的含量为20％以上; 以及使用该一氧化硅烧结体的溅射靶。 溅射靶可用于确保令人满意的高成膜速率，同时提供减小膜特性变化的膜，因此可以广泛有利地用于形成作为光学用保护膜的氧化硅薄膜，用于 例如，用于防止透明塑料中的气体渗透和防止钠从玻璃中溶解并保护透镜的表面。

公开(公告)号：WO2003010112A1

公开(公告)日：2003-02-06

申请号：PCT/JP2002/007570

申请日：2002-07-25

Applicant: 住友チタニウム株式会社 ,  夏目 義丈 ,  大西 隆 ,  小笠原 忠司 ,  渡辺 宗敏 ,  岩瀬 敏治

Inventor： 夏目 義丈 ,  大西 隆 ,  小笠原 忠司 ,  渡辺 宗敏 ,  岩瀬 敏治

IPC: C04B35/01

CPC classification number: C04B35/14 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/10 ,  C23C14/30 ,  C23C14/3414

Abstract: A method for producing a silicon monoxide sintered product which comprises effecting a sintering by hot press forming under a pressure of 15 MPa or more at a temperature of 1200 to 1350˚C, to thereby provide a sintered product having a bulk density of 1.68 g/cm 3 or more; and the method which further comprises using a press mold having an outer mold of integral type and, disposed inside it, plural inner molds divided with spaces packed with cushioning sheets, to thereby provide a sintered product having a diameter of 100 mm or more and a bulk density being 95 % or more of its true density and 2.13 g/cm 3 or more. The method allows the production of a silicon monoxide sintered product exhibiting a uniform structure, good mechanical processability and reduced splashing, which is required to a silicon monoxide material for vapor deposition, and such a product further having a diameter of 100 mm or more and a shape matching to a target holder, which is required to a silicon monoxide material for a sputtering target, with stability and good productivity.

Abstract translation: 一种一氧化碳烧结体的制造方法，其特征在于，在1200〜1350℃的温度下，在15MPa以上的压力下进行热压成型，进行烧结，得到堆积密度为1.68g / cm 3以上; 该方法还包括使用具有一体型外模的压模，并且在其内部设置有多个内部模具，分隔有填充有缓冲片的空间，从而提供直径为100mm以上的烧结产品，以及 堆积密度为其真实密度的95％以上，2.13g / cm 3以上。 该方法允许制备一氧化碳烧结产品，其具有均匀的结构，良好的机械加工性能和减少飞溅，这是一氧化硅材料用于气相沉积所必需的，并且这种产品还具有直径为100mm或更大的直径， 与溅射靶的一氧化硅材料所需的靶保持器的形状匹配，稳定性和良好的生产率。