金属の製造方法
    1.
    发明申请
    金属の製造方法 审中-公开
    金属制造方法

    公开(公告)号:WO2009150961A2

    公开(公告)日:2009-12-17

    申请号:PCT/JP2009/060049

    申请日:2009-06-02

    CPC classification number: C22B34/1295 C22B9/10 C22B9/226

    Abstract:  金属塩と金属粉との混合物から金属粉成分を分離する金属の製造方法において、製造に必要なエネルギーを低減することが可能な金属の製造方法を提供する。  金属塩と金属粉の混合物1を、スキマー11によって区分された第1のハース10の原料投入領域12に供給し、プラズマ19aを用いて金属塩の融点以上金属粉の融点未満に加熱、保持し、上層(金属塩が溶融した溶融塩2)と、下層(金属粉の濃度の高まった高濃度固液混合物3)の2層を形成する。そして、上層の溶融塩2を第1のハースの上部の排出口から、下層の高濃度固液混合物3を下層排出口14から排出する。続いて、高濃度固液混合物3を、金属粉の融点以上に加熱、保持し、高濃度固液混合物3中の金属粉を溶融させて溶融金属とし、上層(溶融塩4)と下層(溶融金属5)を形成し、溶融塩4から溶融金属5を分離し、溶融金属5を凝固させインゴット6とする。

    Abstract translation: 公开了一种金属制造方法,其中金属粉末成分与金属盐和金属粉末的混合物分离,其中金属制造方法能够减少制造所需的能量。 将金属盐和金属粉末的混合物(1)供给到通过撇渣器(11)分隔的第一炉床(10)的起始原料输入区域(12)。 使用等离子体(19a)进行加热至等于或大于金属盐的熔点并低于金属粉末的熔点的温度,并保持该温度,产生上层(熔融盐 (2)熔融金属盐)和第二下层(金属粉末浓度高的浓缩固体 - 液体混合物(3))。 接下来,上层熔融盐(2)从第一炉床顶部的排出口排出,而下层高度浓缩的固液混合物(3)从下层排出口排出 (14)。 接着,将高浓度的固液混合物(3)加热到金属粉末的熔点以上的温度,保持温度,高浓缩固液混合物(3)内的金属粉末, 熔融以形成熔融金属,其形成上层(熔融盐(4))和下层(熔融金属(5))。 熔融金属(5)与熔融盐(4)分离,熔融金属(5)固化成锭(6)。

    光触媒式防汚装置
    2.
    发明申请
    光触媒式防汚装置 审中-公开
    PHOTPCATALYST型防爆装置

    公开(公告)号:WO2007094189A1

    公开(公告)日:2007-08-23

    申请号:PCT/JP2007/051937

    申请日:2007-02-05

    CPC classification number: C02F1/32 C02F1/461 C02F2305/10

    Abstract:  空気調和機のクーリングタワー、浄化水槽、フィルター等の水中受光環境下での藻の発生を防止する。これを実現するために、水1に浸漬し、表面に光を受ける防汚対象物2を、第1導電性部材とする。防汚対象面である前記表面に光触媒層3を設ける。導電性の防汚対象物2に対して、外部回路4を介して電気的に接続された第2導電性部材を、対極5として組み合わせ、水1の中に設置する。対極5の使用により光触媒層3による防藻効果を無電源で増強する。

    Abstract translation: 在空调机的冷却塔,净水槽,过滤器等中的水下光接收环境下,可以防止藻类的生成。 为了达到这个目的,浸入水(1)中并在表面上接收光的防污物(2)用作第一导电构件。 在该表面上设置光催化剂层(3),即防污物体表面。 通过外部电路(4)与导电性防污物(2)电连接的第二导电构件被组合为对极(5)并放置在水(1)中。 光催化剂层(3)的防藻效果通过使用反极(5)而没有供电而增强。

    酸化チタン系光触媒とその製造方法、およびその利用
    3.
    发明申请
    酸化チタン系光触媒とその製造方法、およびその利用 审中-公开
    氧化钛基质光催化剂,其生产方法及其用途

    公开(公告)号:WO2005102521A1

    公开(公告)日:2005-11-03

    申请号:PCT/JP2005/007451

    申请日:2005-04-19

    Abstract:  可視光応答型の高活性の酸化チタン系光触媒が、酸性チタン化合物をアンモニアまたはアミンにより終点pHが7以下となる条件で中和して得た(水)酸化チタン原料を、加水分解性化合物を含む雰囲気で熱処理した後、水と接触させ、さらに350°C以上の温度で熱処理することにより製造される。得られた酸化チタン系光触媒は、比表面積が120m 2 /g以下で、かつ表面水酸基の量が600μeq/g以上の酸化チタンからなる。好ましくは、表面水酸基の密度が8μeq/m 2 以上で、表面水酸基のターミナル型水酸基量(T)とブリッジ型水酸基量(B)の比がT/B≧0.20である。この酸化チタン系光触媒は、主スペクトルのg値が1.993~2.003および2.003~2.011の2種類の三重線シグナルを有するESRスペクトルを有し、これらのシグナルの可視光照射前、照射中および照射停止直後の強度比が従来品と異なることでも同定される。

    Abstract translation: 通过在末端pH <= 7的条件下首先用氨或胺中和酸性钛化合物,得到氧化钛(氢氧化物)的原料,制造可见光反应性高活性氧化钛基光催化剂, 在含有可水解化合物的环境中对原材料进行热处理,使热处理材料与水接触并在> = 350℃下进行进一步的热处理。 由此获得的氧化钛基光催化剂由<= 120M 2 / g比表面积和> = 600mueq / g表面羟基量​​的氧化钛组成。 优选地,表面羟基的密度为> = 8mueq / m 2,相对于表面羟基,末端羟基(T)与桥连羟基(B)的比例T / B> 0.20。 该钛氧化钛基光催化剂具有具有两种主要光谱g值为1.993〜2.003和2.003〜2.011的三重态信号的ESR光谱,并且可以通过可见光照射前的这些信号的强度比的偏差来识别 在照射期间和在停止与现有技术光催化剂的照射后立即停止。

    一酸化珪素焼結体及びこれからなるスパッタリングターゲット
    6.
    发明申请
    一酸化珪素焼結体及びこれからなるスパッタリングターゲット 审中-公开
    一氧化硅烧结产品和包含其的溅射靶

    公开(公告)号:WO2003082769A1

    公开(公告)日:2003-10-09

    申请号:PCT/JP2003/003894

    申请日:2003-03-27

    Abstract: 質量%で、ボロン、リンまたはアンチモンをドープした珪素粉末を20~80%含有させ、残部は一酸化珪素からなる原料粉末、または残部は一酸化珪素または一酸化珪素と二酸化珪素の混合物からなり、この混合物中の一酸化珪素の含有量が20%以上である原料粉末を成形した一酸化珪素焼結体、およびこれを用いたスパッタリングターゲットである。この焼結体によれば、成膜速度を確保するとともに、成膜される膜特性の安定化を図ることができる。このため、光学用保護膜として透明プラスチックのガス透過防止、ガラスのNa溶出防止、またはレンズ表面の保護膜として用いられる酸化珪素系薄膜の成膜用として、広く適用することができる。

    Abstract translation: 通过形成由20〜80质量%的掺杂有硼,磷或锑的硅粉末和平衡量的一氧化硅或一氧化硅和二氧化硅的混合物构成的原料粉末而制备的一氧化碳烧结体,其中, 混合物中一氧化硅的含量为20%以上; 以及使用该一氧化硅烧结体的溅射靶。 溅射靶可用于确保令人满意的高成膜速率,同时提供减小膜特性变化的膜,因此可以广泛有利地用于形成作为光学用保护膜的氧化硅薄膜,用于 例如,用于防止透明塑料中的气体渗透和防止钠从玻璃中溶解并保护透镜的表面。

    リチウム二次電池用負極の製造方法
    9.
    发明申请
    リチウム二次電池用負極の製造方法 审中-公开
    用于生产用于锂二次电池的负极的方法

    公开(公告)号:WO2006046353A1

    公开(公告)日:2006-05-04

    申请号:PCT/JP2005/016226

    申请日:2005-09-05

    Abstract:  SiO負極を用いたリチウム二次電池に特徴的な初期充電容量の大きさを阻害することなく、その欠点である初期効率の低さを大幅に改善する。SiO層の厚みを大きくしたときのサイクル特性の低下を阻止する。これらを実現するために、集電体の表面に負極活物質層としてSiOの薄膜を真空蒸着若しくはスパッタリングにより形成する。好ましくはイオンプレーティング法により薄膜を形成する。SiO薄膜の厚みを5μm以上とする。集電体の表面粗度を最大高さ粗さRzで5.0以上とする。薄膜形成後に非酸化性雰囲気中で熱処理を行う。

    Abstract translation: 在不损害使用一氧化硅负极的锂二次电池的特征性大的初始放电容量的情况下,初始效率低的问题显着提高。 此外,防止了当SiO层的厚度增加时循环特性的降低。 具体地,通过真空沉积或溅射在集电体的表面上形成作为负极活性物质层的SiO薄膜。 该薄膜优选通过离子电镀形成,并且该SiO薄膜的厚度不小于5μm。 收集器的表面粗糙度,即轮廓的平均最大高度(Rz)设定为不小于5.0。 在形成薄膜之后,在非氧化气氛中进行热处理。

    一酸化ケイ素の焼結体およびその製造方法
    10.
    发明申请
    一酸化ケイ素の焼結体およびその製造方法 审中-公开
    一氧化硅的烧结对象及其制造方法

    公开(公告)号:WO2003070659A1

    公开(公告)日:2003-08-28

    申请号:PCT/JP2002/012567

    申请日:2002-11-29

    Abstract: A sintered object of silicon monoxide being used as a material for forming a silicon oxide based thin film in which evaporation residue is 4% or less of the sample mass before measurement when thermogravimetry of a sample of sintered object is performed in a vacuum atmosphere where the heating temperature is 1300 ringC and the pressure is up to 10 Pa. The sintered object can be produced by sintering SiO particles having a grain size of 250 mum or above under a non-oxygen atmosphere after it is press-formed or while being pressed. Since the sintered object exhibits a high evaporation rate, productivity of silicon oxide based thin film can be enhanced when it is used as a material for forming a film. It can be applied widely for forming a silicon oxide based thin film being employed as an electric insulating film, a mechanical protection film, an optical protection film, a gas barrier for packaging a food, and the like.

    Abstract translation: 作为用于形成氧化硅类薄膜的材料的氧化硅系薄膜的烧结体,其中,在真空气氛中进行烧结体样品的热重分析时,蒸发残渣为测定前样品质量的4%以下, 加热温度为1300℃,压力高达10Pa,烧结体可以在压制成型后或在被压制的同时,在非氧气氛下烧结粒径为250μm以上的SiO粒子。 由于烧结体表现出高的蒸发速率,因此当用作形成薄膜的材料时,可以提高氧化硅基薄膜的生产率。 可以广泛地应用于形成用作电绝缘膜的氧化硅基薄膜,机械保护膜,光学保护膜,用于包装食品的气体屏障等。

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