公开(公告)号：WO2013018308A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/JP2012/004659

申请日：2012-07-23

Applicant: パナソニック株式会社 ,  栗山 仁志

Inventor： 栗山　仁志

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/361 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689

Abstract: 　エッチングにより、フローティングディフュージョン（ＦＤ）１１５の一部と、ゲート電極４４の上面と、ソース領域、ドレイン領域とを露出させるとともに、ゲート電極４４の側面にサイドウォール絶縁膜４６ａを形成する。露出されたＦＤ１１５の一部に第２の不純物を注入した後、半導体基板を加熱して、第２の不純物を活性化させるとともに、結晶の損傷部を回復させて、高濃度ｎ + 型半導体領域１１５とソース・ドレイン層４７を形成する。その後、露出されたＦＤ１１５の一部と、ゲート電極４４の上面と、ソース領域と、ドレイン領域とをシリサイド化する。

Abstract translation: 浮动扩散（FD）（115）的一部分，栅电极（44）的上表面，源区和漏区通过蚀刻而暴露，并且侧壁绝缘膜（46a）也形成在侧面 栅电极（44）的表面。 在将第二杂质注入暴露的FD（115）的一部分之后，加热半导体衬底以激活第二杂质，并且回收晶体的损坏部分以形成高浓度n +型半导体区域（115） 和源极/漏极层（47）。 此后，暴露的FD（115）的一部分，栅极电极（44）的上表面，源极区域和漏极区域被硅化。

公开(公告)号：WO2012176390A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：PCT/JP2012/003710

申请日：2012-06-06

Applicant: パナソニック株式会社 ,  坂田 祐輔 ,  森 三佳 ,  廣瀬 裕 ,  益田 洋司 ,  栗山 仁志 ,  宮川 良平

Inventor： 坂田　祐輔 ,  森　三佳 ,  廣瀬　裕 ,  益田　洋司 ,  栗山　仁志 ,  宮川　良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 　本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板（１０１）の上方に形成された第１電極（１１３）と、第１電極（１１３）上に形成され、光を信号電荷に光電変換する光電変換膜（１１４）と、光電変換膜（１１４）上に形成された第２電極（１１５）と、第１電極（１１３）に電気的に接続されており、光電変換膜（１１４）により光電変換された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域（１０４）と、電荷蓄積領域（１０４）に蓄積されている信号電荷を増幅する増幅トランジスタ（１０８ａ）と、電荷蓄積領域（１０４）をリセットするリセットゲート電極と、第１電極（１１３）と電荷蓄積領域（１０４）とを電気的に接続するために用いられ、電荷蓄積領域（１０４）に直接接する、半導体材料で構成されているコンタクトプラグ（１０７）とを備える。

Abstract translation: 本发明的固体摄像装置包括形成在半导体衬底（101）上的第一电极（113），形成在第一电极（113）的顶部上的光电转换膜（114），用于将光线光电转换成信号 电荷，形成在光电转换膜（114）的顶部上的第二电极（115），电连接到第一电极（113）的电荷存储区域（104），用于存储由光电转换膜（114）光电转换的信号电荷 ），用于放大存储在电荷存储区域（104）中的信号电荷的放大晶体管（108a），用于复位电荷存储区域（104）的复位栅电极和由半导体材料制成的接触插塞（107） 与用于将第一电极（113）电连接到电荷存储区域（104）的电荷存储区域（104）直接接触。