公开(公告)号：WO2011108359A1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：PCT/JP2011/053324

申请日：2011-02-17

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学 ,  大野英男 ,  池田正二 ,  三浦勝哉 ,  小埜和夫 ,  竹村理一郎 ,  高橋宏昌

Inventor： 大野英男 ,  池田正二 ,  三浦勝哉 ,  小埜和夫 ,  竹村理一郎 ,  高橋宏昌

IPC: G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  Y10S977/935

Abstract: 　磁気メモリの選択トランジスタの駆動電流と磁気抵抗効果素子の磁化反転閾値電流の関係を最適化する。　磁気メモリセルの選択トランジスタの駆動電流と磁気抵抗効果素子１０１の磁化反転閾値電流の関係を最適化するため、「１」書込み時の磁化反転閾値電流を下げるための、磁気抵抗効果素子の記録層に、固定層と逆向きの磁場を印加する機構６０１～６０４を備える。

Abstract translation: 为了优化磁存储器的选择晶体管的驱动电流与磁阻效应元件（101）的磁反转阈值电流之间的关系，磁阻效应元件的记录层设置有机构（601至604 ），其施加与固定层的磁场相反的磁场，以便在写入“1”时减小磁反转阈值电流。