公开(公告)号：WO2012005423A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/KR2010/009461

申请日：2010-12-29

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  이우영 ,  강주훈 ,  함진희

Inventor： 이우영 ,  강주훈 ,  함진희

IPC: B82B3/00 ,  H01L35/00

CPC classification number: H01L35/16

Abstract: 이종구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법 및 그 열전 나노와이어가 제공된다. 본 발명은, 그 상부에 산화층을 갖는 기판상에 스퍼터링법으로 Bi 박막을 형성하는 공정; 상기 Bi 박막이 형성된 기판을 열처리함으로써 압축응력을 이용하여 Bi 단결정 나노와이어를 성장시킨 후, 상온으로 냉각하는 공정; 상기 형성된 Bi 나노와이어 상에 열전재료인 Te를 스퍼터링함으로써 Bi/Te 코어/쉘구조를 갖는 나노와이어를 제조하는 공정; 및 상기 코어/쉘 구조를 갖는 나노와이어를 어닐링함으로써 그 길이를 따라 교대로 형성된 Bi 영역과 Bi 14 Te 6 영역의 이종구조를 갖는 열전 나노와이어를 제조하는 공정;을 포함하는 이종구조(hetrostructure)를 갖는 열전 나노 와이어 제조방법과, 그 열전 나노와이어에 관한 것이다.

Abstract translation: 提供异质结构的热电纳米线及其制造方法。 本发明涉及异质结构的热电纳米线及其制造方法，其包括以下工序：通过溅射法在其上具有氧化物层的基板上形成Bi薄膜; 生长Bi单晶纳米线，并在室温下使用通过热处理形成有Bi薄膜的衬底的压应力冷却Bi单晶纳米线; 通过在形成的Bi纳米线上溅射热电材料Te，生成Bi / Te核/壳结构的纳米线; 并通过退火芯/壳结构的纳米线，制造通过长度交替形成的Bi区和Bi14Te6区异质结的热电纳米线。

公开(公告)号：WO2013077505A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：PCT/KR2012/002566

申请日：2012-04-05

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  이우영 ,  강주훈 ,  노종욱 ,  심우영

Inventor： 이우영 ,  강주훈 ,  노종욱 ,  심우영

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C23C14/34 ,  H01L35/14

CPC classification number: H01L35/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/223 ,  C30B1/04 ,  C30B23/00 ,  C30B23/08 ,  C30B29/02 ,  C30B29/60 ,  H01L35/04 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18

Abstract: 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어의 제조 방법이 개시된다. 상기 열전나노와이어의 제조 방법은, 일면에 산화층이 형성된 기판을 마련하고, 상기 산화층 상에 Bi 박막을 형성하는 단계; 상기 Bi 박막을 형성하는 단계에서 생성된 구조물 을 열처리하여, 상기 기판, 상기 산화층 및 상기 Bi 박막 사이의 팽창계수 차이에 따른 압축응력을 유도하여 상기 Bi 박막 상면에 Bi 단결정 나노와이어를 성장시 키는 단계; 및 상기 나노와이어가 성장된 구조물의 기판을 저온 냉각시키고, 상기 저온 냉각이 이루어지는 상태에서 상기 Bi 단결정 나노와이어 상에 열전재료를 스 퍼터링함으로써 Bi/열전재료의 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어를 제조하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 公开了具有核/壳结构的热电纳米线的制备方法。 热电纳米线的制备方法包括以下步骤：在其一个表面上制备具有氧化物层的衬底，并在氧化物层上形成Bi薄膜; 热处理在Bi薄膜形成步骤中产生的结构，以引起由基板，氧化物层和Bi薄膜之间的膨胀系数差引起的压缩应力，从而在上表面上生长Bi单晶纳米线 双薄膜; 并在低温下冷却纳米线生长结构的衬底，并在低温冷却过程中在Bi单晶纳米线上溅射热电材料，从而制备具有Bi /热电材料的芯/壳结构的热电纳米线 。