公开(公告)号：WO2016017078A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/JP2015/003466

申请日：2015-07-09

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社

Inventor： 醍醐　佳明 ,  清野　拓哉 ,  大塚　喜隆 ,  牧田　裕之 ,  石橋　奏太朗 ,  山中　和人

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B23/002 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C30B23/063 ,  C30B23/066 ,  C30B23/08 ,  C30B25/06 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/16 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32

Abstract: 　本発明は、＋ｃ極性のエピタキシャル膜をスパッタリング法により作製できる成膜方法、成膜装置を提供する。本発明の一実施形態は、ヒーターで所定温度に加熱されたエピタキシャル成長用基板に対してスパッタリング法によってウルツ鉱構造を有する半導体膜をエピタキシャル成長させる成膜方法において以下の工程を有する。まずは、上記基板がヒーターと所定の距離だけ離れて配置されるように、上記基板を、ヒーターを有する基板保持部に配置する。次いで、上記基板保持部のインピーダンスを調整しながら、上記基板上にウルツ鉱構造を有する半導体膜のエピタキシャル膜を形成する。

Abstract translation: 本发明提供一种使用溅射法制造具有+ c极性的外延膜的成膜方法和成膜装置。 本发明的一个实施方案涉及一种用于通过溅射法在通过加热器加热到规定温度的外延生长衬底上具有纤锌矿结构的半导体膜外延生长的成膜方法，所述成膜方法具有 以下步骤：首先，将基板定位在具有加热器的基板保持部件上，使得基板被定位成距离加热器只有规定距离的步骤; 接着，在调整基板保持部的阻抗的同时，在基板上形成具有纤锌矿型结构的半导体膜的外延膜的工序。

公开(公告)号：WO2015162898A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/JP2015/002140

申请日：2015-04-20

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 森谷　友博 ,  島津　武仁

IPC: G11B5/851 ,  G11B5/65 ,  G11B5/738

CPC classification number: G11B5/8404 ,  C03C17/361 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3634 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3649 ,  C03C2217/70 ,  C03C2218/151 ,  C03C2218/156 ,  C03C2218/31 ,  C23C14/081 ,  C23C14/18 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C30B23/066 ,  C30B23/08 ,  C30B29/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/52 ,  G11B5/65 ,  G11B5/731 ,  G11B5/851

Abstract: 　本発明は、より大きな磁気異方性定数Ｋｕを有する磁気記録層を含む磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。本発明の磁気記録媒体の製造方法は、（ａ）基板を準備する工程と、（ｂ）基板を３５０℃以上に加熱して、ＭｇＯを主成分とする非磁性材料を堆積させて、下地層を形成する工程と、（ｃ）下地層の上に磁気記録層を形成する工程とを含む。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种磁记录介质的制造方法，该方法包括具有较大磁各向异性常数（Ku）的磁记录层。 这种制造磁记录介质的方法包括：（a）制备基底的步骤; （b）通过将基板加热到350℃以上并沉积出以MgO为主要成分的非磁性材料形成基层的工序; （c）和在基底层上形成磁记录层的步骤。

公开(公告)号：WO2016175096A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/JP2016/062478

申请日：2016-04-20

Applicant: 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  株式会社コメット

Inventor： 石橋　啓次 ,  高橋　健一郎 ,  鈴木　摂 ,  知京　豊裕

IPC: C30B23/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C30B1/04

CPC classification number: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C30B1/04 ,  C30B23/08

Abstract: Ｓｉ（１００）単結晶基板上に金属硫化物薄膜をエピタキシャル成長させたテンプレート基板をスパッタリング法により再現性良く安定に連続して作製する。　金属硫化物の組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法により、Ｓｉ（１００）単結晶基板１上に前記金属硫化物のバリア膜２を成膜する。その後、Ｓｉ（１００）単結晶基板１を加熱して、成膜された前記バリア膜２を固相エピタキシャル成長により結晶化したバリア膜３に変化させる。Ｓｉ（１００）単結晶基板１を加熱保持した状態で、前記金属硫化物の組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法により、結晶化したバリア膜３上に、前記金属硫化物のエピタキシャル膜４をエピタキシャル成長させる。

Abstract translation: 本发明的目的是通过溅射以良好的再现性稳定且连续地制造模板基板，模板基板是在Si（100）单晶衬底上外延生长的金属硫化物薄膜。 使用具有金属硫化物组成的靶，通过溅射在Si（100）单晶衬底1上形成金属硫化物的阻挡膜2。 然后，加热Si（100）单晶衬底1，并将形成的阻挡膜2通过固相外延生长结晶化，以转变为阻挡膜3.在Si（100）单晶衬底1保持加热的同时， 使用具有金属硫化物组成的靶通过溅射在结晶化阻挡膜3上外延生长金属硫化物膜4。

公开(公告)号：WO2011102627A2

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：PCT/KR2011/000981

申请日：2011-02-15

Applicant: 전남대학교산학협력단 ,  이병택 ,  김일수

Inventor： 이병택 ,  김일수

IPC: C30B29/22 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C30B23/08 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565

Abstract: 본 발명은 산화아연(ZnO)에 격자 정합된 자외선용 단결정 ZnMgAlO 박막 및 그 제조방법으로서, ZnO 기판을 준비하고, 산화 마그네슘(MgO)과 알루미나(Al 2 O 3 )의 혼합비가 5.5~5.7 : 1인 ZnMgAlO 박막을 스퍼터링 기법을 통해 상기 ZnO 기판 상에 성장시킴으로써, 격자 상수(원자 면간 거리)가 일치하면서도 자외선 영역에서 사용할 수 있으며 에너지 밴드 갭이 큰 ZnMgAlO 박막을 얻을 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及与氧化锌（ZnO）晶格匹配的用于紫外线的单晶ZnMgAlO薄膜及其制备方法。 可以得到ZnMgAlO薄膜，其可以在紫外线的范围内使用，并且通过制备ZnO衬底与晶格参数（原子晶面间距）一致而具有大的能带隙，并且生长具有 通过溅射在ZnO衬底上的氧化镁（MgO）和氧化铝（Al 2 O 3）的混合比为5.5-5.7:1。

公开(公告)号：WO2007057892A3

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：PCT/IL2006001319

申请日：2006-11-15

Applicant: MOSAIC CRYSTALS LTD ,  EINAV MOSHE

Inventor： EINAV MOSHE

IPC: C30B9/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B23/08

Abstract: A method for forming a gallium nitride crystal sheet. According to the method a metal melt, including gallium, is brought to a vacuum of 0.01 Pa or lower and is heated to a growth temperature of between approximately 860oC and approximately 870oC. A nitrogen plasma is applied to the surface of the melt at a sub-atmospheric working pressure, until a gallium nitride crystal sheet is formed on top. Preferably, the growth temperature is of 863oC, and the working pressure is within the range of 0.05 Pa and 2.5 Pa. According to a preferred embodiment, application of the plasma includes introducing nitrogen gas to the metal melt at the working pressure, igniting the gas into plasma, directing the plasma to the surface of the metal melt, until gallium nitride crystals crystallize thereon, and maintaining the working pressure and the directed plasma until a gallium nitride crystal sheet is formed.

Abstract translation: 一种形成氮化镓晶片的方法。 根据该方法，使含有镓的金属熔体达到0.01Pa或更低的真空，并加热至约860℃至约870℃之间的生长温度。 在亚大气压工作压力下将氮等离子体施加到熔体的表面，直到顶部形成氮化镓晶片。 优选地，生长温度为863℃，工作压力在0.05Pa和2.5Pa的范围内。根据优选实施例，等离子体的应用包括在工作压力下将氮气引入金属熔体中，点燃气体 将等离子体引导到金属熔体的表面，直到氮化镓晶体在其上结晶，并保持工作压力和定向等离子体直到形成氮化镓晶片。

公开(公告)号：WO2008118533A3

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：PCT/US2008052544

申请日：2008-01-31

Applicant: IMRA AMERICA INC ,  HU ZHENDONG ,  CHE YONG ,  LIU BING

Inventor： HU ZHENDONG ,  CHE YONG ,  LIU BING

IPC: C23C20/04

CPC classification number: C30B23/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/28 ,  C30B29/16

Abstract: A one-step and room-temperature process for depositing nanoparticles or nanocomposite (nanoparticle-assembled) films of metal oxides such as crystalline titanium dioxide (TiO 2 ) onto a substrate surface using ultrafast pulsed laser ablation of Titania or metal titanium target. The system includes a pulsed laser with a pulse duration ranging from a few femtoseconds to a few tens of picoseconds, an optical setup for processing the laser beam such that the beam is focused onto the target surface with an appropriate average energy density and an appropriate energy density distribution, and a vacuum chamber in which the target and the substrate are installed and background gases and their pressures are appropriately adjusted.

Abstract translation: 使用Titania的超快速脉冲激光烧蚀将金属氧化物如结晶二氧化钛（TiO 2）的纳米颗粒或纳米复合材料（纳米颗粒组装的）膜沉积到衬底表面上的一步和室温工艺 或金属钛靶。 该系统包括脉冲激光，其脉冲持续时间范围从几飞秒到几十皮秒，用于处理激光束的光学设置，使得光束以适当的平均能量密度和适当的能量聚焦到目标表面上 密度分布，以及真空室，其中安装了目标物和基质，背景气体及其压力被适当调节。

公开(公告)号：WO2013077505A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：PCT/KR2012/002566

申请日：2012-04-05

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  이우영 ,  강주훈 ,  노종욱 ,  심우영

Inventor： 이우영 ,  강주훈 ,  노종욱 ,  심우영

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C23C14/34 ,  H01L35/14

CPC classification number: H01L35/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/223 ,  C30B1/04 ,  C30B23/00 ,  C30B23/08 ,  C30B29/02 ,  C30B29/60 ,  H01L35/04 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18

Abstract: 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어의 제조 방법이 개시된다. 상기 열전나노와이어의 제조 방법은, 일면에 산화층이 형성된 기판을 마련하고, 상기 산화층 상에 Bi 박막을 형성하는 단계; 상기 Bi 박막을 형성하는 단계에서 생성된 구조물 을 열처리하여, 상기 기판, 상기 산화층 및 상기 Bi 박막 사이의 팽창계수 차이에 따른 압축응력을 유도하여 상기 Bi 박막 상면에 Bi 단결정 나노와이어를 성장시 키는 단계; 및 상기 나노와이어가 성장된 구조물의 기판을 저온 냉각시키고, 상기 저온 냉각이 이루어지는 상태에서 상기 Bi 단결정 나노와이어 상에 열전재료를 스 퍼터링함으로써 Bi/열전재료의 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어를 제조하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 公开了具有核/壳结构的热电纳米线的制备方法。 热电纳米线的制备方法包括以下步骤：在其一个表面上制备具有氧化物层的衬底，并在氧化物层上形成Bi薄膜; 热处理在Bi薄膜形成步骤中产生的结构，以引起由基板，氧化物层和Bi薄膜之间的膨胀系数差引起的压缩应力，从而在上表面上生长Bi单晶纳米线 双薄膜; 并在低温下冷却纳米线生长结构的衬底，并在低温冷却过程中在Bi单晶纳米线上溅射热电材料，从而制备具有Bi /热电材料的芯/壳结构的热电纳米线 。

公开(公告)号：WO2013011327A2

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：PCT/GB2012/051741

申请日：2012-07-20

Applicant: ILIKA TECHNOLOGIES LTD. ,  TOYOTA MOTOR CORPORATION ,  HAYDEN, Brian Elliott ,  LEE, Christopher Edward ,  SMITH, Duncan Clifford Alan ,  BEAL, Mark Stephen ,  LU, Xiaojuan ,  YADA, Chihiro

Inventor： HAYDEN, Brian Elliott ,  LEE, Christopher Edward ,  SMITH, Duncan Clifford Alan ,  BEAL, Mark Stephen ,  LU, Xiaojuan ,  YADA, Chihiro

IPC: C23C14/06

CPC classification number: C01B25/30 ,  C01B21/203 ,  C01B25/45 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C30B23/066 ,  C30B23/08 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/5825 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

Abstract: The present invention provides a vapour deposition process for the preparation of a chemical compound, wherein the process comprises providing each component element of the chemical compound as a vapour, and co-depositing the component element vapours on a common substrate, wherein: the vapour of at Ieast one component element is provided using a cracking source; the vapour of at least one other component element is provided using a plasma source; and at Ieast one further component element vapour is provided; wherein the component elements react on the substrate to form the chemical compound.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于制备化合物的气相沉积方法，其中该方法包括提供化合物的每个组分元素作为蒸气，以及将组分元素蒸汽共同沉积在共同的基底上，其中： 在Ieast提供使用破裂源的一个元件; 使用等离子体源提供至少一个其它组分元素的蒸气; 并且在Ieast提供另外的组分元素蒸气; 其中所述组分元素在所述基材上反应以形成所述化合物。

公开(公告)号：WO2008118533A2

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：PCT/US2008/052544

申请日：2008-01-31

Applicant: IMRA AMERICA, INC. ,  HU, Zhendong ,  CHE, Yong ,  LIU, Bing

Inventor： HU, Zhendong ,  CHE, Yong ,  LIU, Bing

IPC: C23C14/26

CPC classification number: C30B23/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/28 ,  C30B29/16

Abstract: A one-step and room-temperature process for depositing nanoparticles or nanocomposite (nanoparticle-assembled) films of metal oxides such as crystalline titanium dioxide (TiO 2 ) onto a substrate surface using ultrafast pulsed laser ablation of Titania or metal titanium target. The system includes a pulsed laser with a pulse duration ranging from a few femtoseconds to a few tens of picoseconds, an optical setup for processing the laser beam such that the beam is focused onto the target surface with an appropriate average energy density and an appropriate energy density distribution, and a vacuum chamber in which the target and the substrate are installed and background gases and their pressures are appropriately adjusted.

Abstract translation: 用于将金属氧化物如结晶二氧化钛（TiO 2）的纳米粒子或纳米复合材料（纳米粒子组装）膜沉积到基底上的一步和室温方法 表面使用超快脉冲激光烧蚀二氧化钛或金属钛靶。 该系统包括具有从几飞秒到几十皮秒的脉冲持续时间的脉冲激光器，用于处理激光束的光学装置，使得光束以适当的平均能量密度和适当的能量聚焦到目标表面上 密度分布，还有一个真空室，其中安装了靶材和基材，并适当调节背景气体及其压力。

公开(公告)号：WO2006097804A2

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：PCT/IB2006000421

申请日：2006-02-28

Applicant: EPISPEED S A ,  VON KAENEL HANS

Inventor： VON KAENEL HANS

CPC classification number: H01L21/02293 ,  C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B23/08 ,  C30B25/105 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T428/266

Abstract: An apparatus and process for fast epitaxial deposition of compound semiconductor layers includes a low-energy, high-density plasma generating apparatus for plasma enhanced vapor phase epitaxy. The process provides in one step, combining one or more metal vapors with gases of non-metallic elements in a deposition chamber. Then highly activating the gases in the presence of a dense, low-energy plasma. Concurrently reacting the metal vapor with the highly activated gases and depositing the reaction product on a heated substrate in communication with a support immersed in the plasma, to form a semiconductor layer on the substrate. The process is carbon-free and especially suited for epitaxial growth of nitride semiconductors at growth rates up to 10 nm/s and substrate temperatures below 1000°C on large-area silicon substrates. The process requires neither carbon-containing gases nor gases releasing hydrogen, and in the absence of toxic carrier or reagent gases, is environment friendly.

Abstract translation: 用于化学半导体层的快速外延沉积的装置和方法包括用于等离子体增强气相外延的低能量，高密度等离子体产生装置。 该方法在一个步骤中提供了一个或多个金属蒸气与沉积室中的非金属元素的气体。 然后在密集的低能量等离子体的存在下高度活化气体。 同时使金属蒸汽与高活性气体反应，并将反应产物沉积在与浸在等离子体中的载体连通的加热衬底上，以在衬底上形成半导体层。 该方法是无碳的，特别适用于氮化物半导体的外延生长，其生长速率高达10nm / s，并且在大面积硅衬底上的衬底温度低于1000℃。 该方法既不需要含碳气体也不需要释放氢气，在不存在有毒载体或试剂气体的情况下，环境友好。