公开(公告)号：WO2011021753A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/KR2009/007685

申请日：2009-12-22

申请人： 우리엘에스티 주식회사 ,  최유항 ,  임채석 ,  김극 ,  박치권

发明人： 최유항 ,  임채석 ,  김극 ,  박치권

IPC分类号： H01L33/16

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

摘要： 본 개시는 기판; 기판상에 성장되며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수 개의 3족 질화물 반도체층; 반도체층이 성장되는 기판 면에 형성되며, 반도체층의 성장방향과 평행한 단면이 삼각형인 돌기;를 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

摘要翻译： 本发明涉及III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，包括：衬底; 在衬底上生长的多个III族氮化物半导体层，并且包括通过电子和空穴的再聚合产生光的有源层; 以及形成在其上生长半导体层的基板的表面上并且具有与半导体层的生长方向平行的三角形截面的突起。

公开(公告)号：WO2010058991A3

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：PCT/KR2009/006847

申请日：2009-11-20

申请人： 우리엘에스티 주식회사 ,  김극 ,  최유항 ,  조수연 ,  박치권

发明人： 김극 ,  최유항 ,  조수연 ,  박치권

IPC分类号： H01L33/08

摘要： 본 개시는, 기판을 준비하는 단계; 기판에 레이저(laser) 또는 다이아몬드 커팅(diamond cutting)에 의해 트렌치(trench) 라인을 형성하는 단계; 기판에 질화물계 반도체층을 성장시키는 단계; 및 질화물계 반도체층과 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：WO2010101348A1

公开(公告)日：2010-09-10

申请号：PCT/KR2009/007684

申请日：2009-12-22

申请人： 우리엘에스티 주식회사 ,  김극 ,  최유항 ,  임채석 ,  박치권

发明人： 김극 ,  최유항 ,  임채석 ,  박치권

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/007

摘要： 본 개시는 기판; 기판에 성장되며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 3족 질화물 반도체층; 활성층에서 발생되는 빛이 산란되도록 기판에 구비되는 산란 면; 및 산란 면에 울퉁불퉁(rugged)하게 형성되는 서브 산란부;를 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

摘要翻译： 本公开涉及第3族氮化物半导体发光器件。 第3族氮化物半导体发光器件包括衬底; 3族氮化物半导体层，其在基板上生长并且包括通过使电子与孔重新生成而产生光的活化层; 衬底上的散射表面，其散射在激活层中产生的光; 以及在散射表面上坚固的子散射单元。

公开(公告)号：WO2012057482A4

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：PCT/KR2011/007942

申请日：2011-10-24

申请人： 일진머티리얼즈 주식회사 ,  김근호 ,  김윤근 ,  최원진 ,  김극 ,  송정섭

发明人： 김근호 ,  김윤근 ,  최원진 ,  김극 ,  송정섭

IPC分类号： H01L33/48

摘要： 본 발명은 LED 셀 어레이 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 절연층을 구비하는 지지 기판과, 절연층 상에 서로 이격되어 마련되는 복수의 제 1 전도성 패턴과, 복수의 제 1 전도성 패턴 상에 각각 마련되고, P형 반도체층, 활성층 및 N형 반도체층을 구비하는 복수의 수직형 단위 발광 셀과, 복수의 제 1 전도성 패턴과 이웃하는 복수의 수직형 단위 발광 셀을 전기적으로 연결시키는 복수의 제 2 전도성 패턴을 포함하는 수직형 LED 셀 어레이 및 그의 제조 방법이 제시된다.

公开(公告)号：WO2010110609A2

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：PCT/KR2010/001837

申请日：2010-03-25

申请人： 우리엘에스티 주식회사 ,  김극 ,  최유항 ,  조수연 ,  정철호 ,  허동원

发明人： 김극 ,  최유항 ,  조수연 ,  정철호 ,  허동원

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/20

CPC分类号： H01L27/156

摘要： 본 개시는 기판에 복수의 단위 발광소자 영역을 정의하는 소자분리 패턴을 형성하는 단계; 복수의 단위 발광소자 영역에 질화물계 반도체층을 구비하는 단계; 및 독립된 형태의 단위 발광소자를 형성하는 단계;를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造氮化物基半导体发光器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成用于限定多个发光元件单元区域的元件单元分离图案; 向所述多个发光元件单元区域提供氮化物基半导体层; 并形成独立的发光元件单元。

公开(公告)号：WO2010110608A2

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：PCT/KR2010/001836

申请日：2010-03-25

申请人： 우리엘에스티 주식회사 ,  김극 ,  최유항 ,  김범진

发明人： 김극 ,  최유항 ,  김범진

IPC分类号： H01L33/20

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/20

摘要： 본 개시는 기판; 기판에 형성되는 보이드 유도 홈; 기판에 양각되어 구비되며 보이드 유도 홈을 형성하는 보이드 유도 패턴; 보이드 유도 패턴 상에 구비되는 질화물계 반도체층; 및 보이드 유도 홈과 질화물계 반도체층에 의해 정의되는 3차원 구조의 보이드(void);를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것이다.

摘要翻译： 本发明涉及一种氮化物基半导体发光器件，包括：衬底; 形成在所述基板上的空洞感应槽; 在所述基板上压花以形成所述空隙引导槽的空穴感应图案; 形成在空隙感应图案上的氮化物系半导体层; 以及由空隙诱导槽和氮化物基半导体层限定的三维空隙。