公开(公告)号：WO2010101348A1

公开(公告)日：2010-09-10

申请号：PCT/KR2009/007684

申请日：2009-12-22

申请人： 우리엘에스티 주식회사 ,  김극 ,  최유항 ,  임채석 ,  박치권

发明人： 김극 ,  최유항 ,  임채석 ,  박치권

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/007

摘要： 본 개시는 기판; 기판에 성장되며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 3족 질화물 반도체층; 활성층에서 발생되는 빛이 산란되도록 기판에 구비되는 산란 면; 및 산란 면에 울퉁불퉁(rugged)하게 형성되는 서브 산란부;를 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

摘要翻译： 本公开涉及第3族氮化物半导体发光器件。 第3族氮化物半导体发光器件包括衬底; 3族氮化物半导体层，其在基板上生长并且包括通过使电子与孔重新生成而产生光的活化层; 衬底上的散射表面，其散射在激活层中产生的光; 以及在散射表面上坚固的子散射单元。

公开(公告)号：WO2011021753A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/KR2009/007685

申请日：2009-12-22

申请人： 우리엘에스티 주식회사 ,  최유항 ,  임채석 ,  김극 ,  박치권

发明人： 최유항 ,  임채석 ,  김극 ,  박치권

IPC分类号： H01L33/16

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

摘要： 본 개시는 기판; 기판상에 성장되며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수 개의 3족 질화물 반도체층; 반도체층이 성장되는 기판 면에 형성되며, 반도체층의 성장방향과 평행한 단면이 삼각형인 돌기;를 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

摘要翻译： 本发明涉及III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，包括：衬底; 在衬底上生长的多个III族氮化物半导体层，并且包括通过电子和空穴的再聚合产生光的有源层; 以及形成在其上生长半导体层的基板的表面上并且具有与半导体层的生长方向平行的三角形截面的突起。

公开(公告)号：WO2010058991A3

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：PCT/KR2009/006847

申请日：2009-11-20

申请人： 우리엘에스티 주식회사 ,  김극 ,  최유항 ,  조수연 ,  박치권

发明人： 김극 ,  최유항 ,  조수연 ,  박치권

IPC分类号： H01L33/08

摘要： 본 개시는, 기판을 준비하는 단계; 기판에 레이저(laser) 또는 다이아몬드 커팅(diamond cutting)에 의해 트렌치(trench) 라인을 형성하는 단계; 기판에 질화물계 반도체층을 성장시키는 단계; 및 질화물계 반도체층과 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：WO2012093758A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：PCT/KR2011/004063

申请日：2011-06-03

申请人： (주)세미머티리얼즈 ,  오충석 ,  장성환 ,  정호일 ,  박치권 ,  박건

发明人： 오충석 ,  장성환 ,  정호일 ,  박치권 ,  박건

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L21/02458 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02656 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  Y10T117/10

摘要： 본 발명은 템플레이트를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 기판상에 제1 질화물층을 성장시키는 단계, 클로라이드 계열의 식각 가스를 공급하여 상기 제1 질화물층의 상면을 식각하는 단계, 상기 제1 질화물층의 상면으로 제2 질화물층을 성장시켜 다수개의 제1 공극을 형성하는 단계, 상기 식각 가스를 공급하여 상기 제2 질화물층의 상면을 식각하는 단계 그리고, 상기 제2 질화물층의 상면으로 제3 질화물층을 성장시켜 다수개의 제2 공극을 형성하는 단계를 포함하는 템플레이트 제조 방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.

摘要翻译： 本发明涉及使用模板制造氮化物半导体发光器件的方法。 制造模板的方法包括：在衬底上生长第一氮化物层的步骤; 提供基于氯化物的蚀刻气体以蚀刻第一氮化物层的顶表面的步骤; 在第一氮化物层的顶表面上生长第二氮化物层以形成多个第一孔的步骤，提供蚀刻气体以蚀刻第二氮化物层的顶表面的步骤，以及生长第三氮化物层的步骤 氮化物层在第二氮化物层的顶表面上形成多个第二孔。

公开(公告)号：WO2012093757A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：PCT/KR2011/004062

申请日：2011-06-03

申请人： (주)세미머티리얼즈 ,  오충석 ,  장성환 ,  정호일 ,  박치권 ,  박건

发明人： 오충석 ,  장성환 ,  정호일 ,  박치권 ,  박건

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  Y10T117/10

摘要： 본 발명은 템플레이트를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 기판 상에 3족 물질을 포함하는 제1 질화물층을 성장시키는 단계, 상기 제1 질화물층의 상측에, 상기 제1 질화물층과 식각 특성이 상이한 다수개의 식각 배리어를 형성하는 단계, 클로라이드 계열의 가스로 상기 제1 질화물층을 상기 식각 배리어의 패턴에 따라 식각하여 기둥 형상의 나노 구조물을 형성하는 단계 및 상기 나노 구조물 상측으로 제2 질화물층을 성장시켜, 내부에 다수개의 공극을 구비하는 질화물 완충층을 형성하는 단계를 포함하는 템플레이트 제조 방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.

摘要翻译： 本发明涉及使用模板制造氮化物半导体发光器件的方法。 制造模板的方法包括：在衬底上生长含有III族材料的第一氮化物层的步骤; 形成多个势垒的步骤，每个栅极具有与第一氮化物层上的第一氮化物层的蚀刻特性不同的蚀刻特性; 沿着蚀刻阻挡层的图案使用氯化物基气体蚀刻第一氮化物层以形成具有柱状的纳米结构的步骤; 以及在纳米结构上生长第二氮化物层以形成其中具有多个孔的氮化物缓冲层的步骤。