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公开(公告)号：WO2013019064A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2012/006107
申请日：2012-07-31
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/302 , H01L21/02
CPC分类号： C30B25/02 , C23C16/0236 , C23C16/54 , C30B25/08 , C30B35/005 , H01L21/02046 , H01L21/67051 , H01L21/67178 , H01L21/67757
摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 제조설비는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지는 세정 챔버; 상기 기판 상에 에피택셜 층을 형성하는 에피택셜 공정이 이루어지는 에피택셜 챔버; 그리고 상기 세정 챔버 및 상기 에피택셜 챔버가 측면에 연결되며, 상기 세정 공정이 완료된 상기 기판을 상기 에피택셜 챔버로 이송하는 기판 핸들러를 구비하는 이송 챔버를 포함하고, 상기 세정 챔버는 복수의 기판들에 대하여 이루어지는 배치 타입인 것을 특징으로 한다.
摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，一种半导体制造设备包括：清洁室，在该清洁室中在基板上执行清洁处理; 其中执行外延工艺以在衬底上形成外延层的外延腔室; 并且传送腔室包括耦合到清洁腔室和外延腔室的侧面的基板处理器，用于将已经完成清洁处理的基板传送到外延腔室， 等等。
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公开(公告)号：WO2012036393A2
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/KR2011/006392
申请日：2011-08-30
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67745 , H01L21/68742
摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판처리장치는 서로 나란하게 배치된 제1 및 제2 챔버; 상기 제1 및 제2 챔버의 내부에 각각 설치되며, 상기 제1 및 제2 챔버 내에 전달된 제1 및 제2 기판을 각각 지지하는 제1 및 제2 리프트핀들; 그리고 상기 제1 및 제2 챔버 내에 상기 제1 및 제2 기판을 전달하는 이송로봇을 포함하며, 상기 이송로봇은 동시승강에 의해 상기 제1 및 제2 리프트핀들의 상부에 각각 제1 및 제2 기판을 전달하는 제1 및 제2 블레이드를 구비하며, 상기 제1 및 제2 블레이드는 상기 제1 및 제2 블레이드가 상기 제1 및 제2 리프트핀들의 상단보다 높게 위치하는 이동위치와, 상기 제1 블레이드는 상기 제1 리프트핀들의 상단보다 낮게 위치하고 상기 제2 블레이드는 상기 제2 리프트핀들의 상단보다 높게 위치하는 제1 로딩위치와, 상기 제1 및 제2 블레이드가 상기 제1 및 제2 리프트핀들의 상단보다 낮게 위치하는 제2 로딩위치로 이동가능하다.
摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，一种基板处理设备包括：彼此平行布置的第一室和第二室; 第一和第二升降销，分别安装在第一和第二腔室中，分别支撑在第一和第二腔室中传送的第一和第二基板; 以及传送机器人，用于传送第一和第二腔室中的第一和第二基板，其中传送机器人同时传送第一和第二升降销上的第一和第二升降销， 其中第一叶片和第二叶片可在第一叶片和第二叶片定位成高于第一升降销和第二升降销的上端的移动位置之间移动， 一个叶片首先定位下方升降销的顶部和所述第二刀片和所述第二和位于上方的升降销的顶部的第一加载位置，第一和第二刀片在所述第一和第二升降 Lt;＆lt; / p>＆gt;
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公开(公告)号：WO2013019063A3
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2012/006106
申请日：2012-07-31
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/302 , H01L21/02
摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 제조설비는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지는 세정 챔버; 상기 기판 상에 에피택셜 층을 형성하는 에피택셜 공정이 이루어지는 에피택셜 챔버; 그리고 상기 세정 챔버 및 상기 에피택셜 챔버가 측면에 연결되며, 상기 세정 공정이 완료된 상기 기판을 상기 에피택셜 챔버로 이송하는 기판 핸들러를 구비하는 이송 챔버를 포함하고, 상기 세정 챔버는, 상기 이송 챔버의 측면에 연결되며, 상기 기판에 대한 반응공정이 이루어지는 반응 챔버; 그리고 상기 이송 챔버의 측면에 연결되며, 상기 기판에 대한 가열공정이 이루어지는 히팅 챔버를 구비하며, 상기 반응 챔버와 상기 히팅 챔버는 상하로 적재되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2013019062A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2012/006105
申请日：2012-07-31
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/677 , H01L21/02
CPC分类号： C30B25/10 , C30B25/08 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L21/02046 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/67757
摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 제조설비는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지는 세정 챔버; 상기 기판 상에 에피택셜 층을 형성하는 에피택셜 공정이 이루어지는 에피택셜 챔버; 그리고 상기 세정 챔버 및 상기 에피택셜 챔버가 측면에 연결되며, 상기 세정 공정이 완료된 상기 기판을 상기 에피택셜 챔버로 이송하는 기판 핸들러를 구비하는 이송 챔버를 포함한다. 상기 에피택셜 공정은 복수의 기판들에 대하여 이루어지는 배치 타입일 수 있다.
摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，一种半导体制造设备包括：清洁室，在该清洁室中在基板上执行清洁处理; 其中执行外延工艺以在衬底上形成外延层的外延腔室; 并且传送腔室包括连接到清洁腔室和外延腔室的侧面的基板处理器，用于将已经完成清洁处理的基板传送到外延腔室。 外延工艺可以是针对多个衬底制造的批量类型。
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公开(公告)号：WO2013019061A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2012/006103
申请日：2012-07-31
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/302 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67184 , C30B25/08 , C30B29/06 , C30B35/005 , H01L21/02046 , H01L21/67051 , H01L21/67178 , H01L21/67757
摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 제조설비는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지는 세정 챔버; 상기 기판 상에 에피택셜 층을 형성하는 에피택셜 공정이 이루어지는 에피택셜 챔버; 상기 기판을 적재하는 적재공간을 구비하는 버퍼 챔버; 그리고 상기 세정 챔버 및 상기 버퍼 챔버, 그리고 상기 에피택셜 챔버가 측면에 연결되며, 상기 세정 챔버 및 상기 버퍼 챔버, 그리고 상기 에피택셜 챔버 사이에서 상기 기판을 이송하는 기판 핸들러를 구비하는 이송 챔버를 포함하며, 상기 기판 핸들러는 상기 세정 공정이 완료된 상기 기판을 상기 적재공간에 순차적으로 적재한 후 적재된 상기 기판들을 상기 에피택셜 챔버로 이송하며, 상기 에피택셜 층이 형성된 상기 기판을 상기 적재공간에 순차적으로 적재하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，用于制造半导体的设备包括：清洗室，其中发生基板的清洁; 外延室，其中在衬底上形成外延层的外延工艺发生; 缓冲室，其设置有用于装载所述基板的装载空间; 一个转移室，其一侧清洁室，缓冲室和外延室被连接，包括用于在清洗室，缓冲室和外延室之间转移衬底的衬底处理器，其中衬底处理器 在装载空间中顺序地加载完成清洁处理的基板，然后将基板传送到外延室，并且将装有外延层的基板依次加载到装载空间中。
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