公开(公告)号：WO2013019064A2

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/KR2012/006107

申请日：2012-07-31

申请人： 유진테크 ,  김영대 ,  현준진 ,  우상호 ,  신승우 ,  김해원

发明人： 김영대 ,  현준진 ,  우상호 ,  신승우 ,  김해원

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B25/02 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/54 ,  C30B25/08 ,  C30B35/005 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67757

摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 제조설비는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지는 세정 챔버; 상기 기판 상에 에피택셜 층을 형성하는 에피택셜 공정이 이루어지는 에피택셜 챔버; 그리고 상기 세정 챔버 및 상기 에피택셜 챔버가 측면에 연결되며, 상기 세정 공정이 완료된 상기 기판을 상기 에피택셜 챔버로 이송하는 기판 핸들러를 구비하는 이송 챔버를 포함하고, 상기 세정 챔버는 복수의 기판들에 대하여 이루어지는 배치 타입인 것을 특징으로 한다.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，一种半导体制造设备包括：清洁室，在该清洁室中在基板上执行清洁处理; 其中执行外延工艺以在衬底上形成外延层的外延腔室; 并且传送腔室包括耦合到清洁腔室和外延腔室的侧面的基板处理器，用于将已经完成清洁处理的基板传送到外延腔室， 等等。

公开(公告)号：WO2009134083A2

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/KR2009/002269

申请日：2009-04-29

申请人： 주식회사 유진테크 ,  김해원 ,  우상호 ,  조성길 ,  박송환 ,  정경수

发明人： 김해원 ,  우상호 ,  조성길 ,  박송환 ,  정경수

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055

摘要： 본 발명에 의하면, 극미세 결정립 폴리 실리콘 박막 증착 방법은 기판이 로딩된 챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 기판 상에 폴리실리콘 박막을 증착하되, 상기 소스가스는 실리콘 계열(silicon-based)의 가스, 산소 계열(Oxygen-based)의 가스, 그리고 인 계열(Phosphorous-based)의 가스를 포함한다. 상기 실리콘 계열의 가스에 대한 상기 산소 계열의 가스의 혼합비율은 0.15 이하(단, 0은 제외)일 수 있다. 상기 박막 내의 산소는 0.8 atomic%(atomic percentage) 이하(단, 0은 제외)일 수 있다.

摘要翻译： 根据本发明，用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法在负载有衬底的室中提供源气体，以在衬底上沉积多晶硅薄膜，其中源气体包含硅基气体 ，氧基气体和磷基气体。 氧基气体与硅系气体的混合比可以为0.15以下（但不包括零）。 薄膜中的氧可以为0.8原子％以下（但不包括零）。

公开(公告)号：WO2012033299A2

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：PCT/KR2011/006389

申请日：2011-08-30

申请人： 주식회사 유진테크 ,  김해원 ,  우상호 ,  조성길 ,  장길순

发明人： 김해원 ,  우상호 ,  조성길 ,  장길순

IPC分类号： H01L21/24 ,  C23C14/16 ,  C01B33/06

CPC分类号： H01L21/02697 ,  C01B33/06 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/823835 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

摘要： 금속 실리사이드층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 폴리실리콘 패턴이 형성된 기판 상에 폴리실리콘 패턴이 노출되도록 절연층을 형성하는 단계, 절연층에 대하여 선택적으로 노출된 폴리실리콘 패턴 상에 실리콘 시드층을 형성하는 단계, 실리콘 시드층이 형성된 기판 상에 금속층을 형성하는 단계 및 금속층이 형성된 기판을 열처리하여 금속 실리사이드층을 형성하는 단계를 포함한다.

摘要翻译： 提供了一种制造包括金属硅化物层的半导体器件的方法。 根据本发明实施例的制造半导体器件的方法包括以下步骤：在其上形成多晶硅图案的衬底上形成绝缘层以暴露多晶硅图案， 在其上形成硅籽晶层的衬底上形成金属层，并且热处理形成有金属层的衬底以形成金属硅化物层。

公开(公告)号：WO2010062040A2

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/KR2009/006178

申请日：2009-10-26

申请人： 주식회사 유진테크 ,  우상호 ,  양일광 ,  송병규

发明人： 우상호 ,  양일광 ,  송병규

IPC分类号： H05H1/34 ,  H05H1/30 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01J37/3211 ,  H01J37/321 ,  H05H1/46

摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마 처리장치는 피처리체에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버; 그리고 상기 챔버의 측부를 감싸도록 배치되며, 상기 내부공간에 전계를 형성하여 상기 내부공간에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 안테나를 포함하되, 상기 안테나는 제1 회전방향을 따라 상기 챔버의 일측으로부터 상기 챔버의 타측을 향하여 나선형을 이루며, 상기 제1 회전방향을 따라 전류가 흐르는 나선형 안테나; 상기 챔버의 상기 일측에 위치하는 상기 나선형 안테나의 일단에 연결되며, 상기 제1 회전방향과 반대방향으로 전류가 흐르는 연장 안테나; 그리고 상기 연장 안테나와 상기 나선형 안테나를 연결하는 연결 안테나를 포함한다.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，等离子体处理装置包括：具有内部空间的室，在该内部空间中执行待处理物体的处理; 以及天线，其布置成覆盖所述室的侧部，并且在所述内部空间中形成电场，以从供应在所述内部空间中的所述源气体产生等离子体。 天线包括螺旋天线，其从腔室的一侧朝向腔室的另一侧沿着第一旋转方向形成螺旋形状，并且具有沿第一旋转方向流动的电流; 延伸天线，其连接到位于所述室的所述一侧的所述螺旋天线的一端，并且具有沿与所述第一旋转方向相反的方向流动的电流; 以及用于互连扩展天线和螺旋天线的连接天线。

公开(公告)号：WO2013019061A2

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/KR2012/006103

申请日：2012-07-31

申请人： 유진테크 ,  김영대 ,  현준진 ,  우상호 ,  신승우 ,  김해원

发明人： 김영대 ,  현준진 ,  우상호 ,  신승우 ,  김해원

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67184 ,  C30B25/08 ,  C30B29/06 ,  C30B35/005 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67757

摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 제조설비는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지는 세정 챔버; 상기 기판 상에 에피택셜 층을 형성하는 에피택셜 공정이 이루어지는 에피택셜 챔버; 상기 기판을 적재하는 적재공간을 구비하는 버퍼 챔버; 그리고 상기 세정 챔버 및 상기 버퍼 챔버, 그리고 상기 에피택셜 챔버가 측면에 연결되며, 상기 세정 챔버 및 상기 버퍼 챔버, 그리고 상기 에피택셜 챔버 사이에서 상기 기판을 이송하는 기판 핸들러를 구비하는 이송 챔버를 포함하며, 상기 기판 핸들러는 상기 세정 공정이 완료된 상기 기판을 상기 적재공간에 순차적으로 적재한 후 적재된 상기 기판들을 상기 에피택셜 챔버로 이송하며, 상기 에피택셜 층이 형성된 상기 기판을 상기 적재공간에 순차적으로 적재하는 것을 특징으로 한다.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，用于制造半导体的设备包括：清洗室，其中发生基板的清洁; 外延室，其中在衬底上形成外延层的外延工艺发生; 缓冲室，其设置有用于装载所述基板的装载空间; 一个转移室，其一侧清洁室，缓冲室和外延室被连接，包括用于在清洗室，缓冲室和外延室之间转移衬底的衬底处理器，其中衬底处理器 在装载空间中顺序地加载完成清洁处理的基板，然后将基板传送到外延室，并且将装有外延层的基板依次加载到装载空间中。

公开(公告)号：WO2012018210A2

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：PCT/KR2011/005649

申请日：2011-08-01

申请人： 주식회사 유진테크 ,  김해원 ,  우상호

发明人： 김해원 ,  우상호

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： 우수한 막질과 스텝 커버리지를 제공할 수 있는 사이클릭 박막 증착 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 사이클릭 박막 증착 방법은, 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체를 주입하여 기판 상에 실리콘을 증착하는 단계 및 챔버의 내부에서 미반응 실리콘 전구체 및 반응 부산물을 제거하는 제1 퍼지 단계를 반복하여, 기판 상에 실리콘 박막을 형성하는 단계, 챔버의 내부에 플라즈마 분위기를 형성하여, 실리콘 박막을 실리콘이 포함되는 절연막으로 형성하는 단계를 포함한다.

摘要翻译： ＆lt; p num =“0000”＆gt;提供一种能够提供优异的膜质量和台阶覆盖度的循环薄膜沉积方法。 环状膜沉积方法在根据本发明的一个实施例中，通过在衬底装载室的内部注入硅前体以除去未反应的硅前体和副产物的阶段内反应，和腔室用于沉积硅树脂在基材上 通过在腔室中形成等离子体气氛并且形成硅薄膜作为包含硅的绝缘膜，在衬底上形成硅薄膜。

公开(公告)号：WO2013019062A2

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/KR2012/006105

申请日：2012-07-31

申请人： 유진테크 ,  김영대 ,  현준진 ,  우상호 ,  신승우 ,  김해원

发明人： 김영대 ,  현준진 ,  우상호 ,  신승우 ,  김해원

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B25/10 ,  C30B25/08 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67757

摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 제조설비는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지는 세정 챔버; 상기 기판 상에 에피택셜 층을 형성하는 에피택셜 공정이 이루어지는 에피택셜 챔버; 그리고 상기 세정 챔버 및 상기 에피택셜 챔버가 측면에 연결되며, 상기 세정 공정이 완료된 상기 기판을 상기 에피택셜 챔버로 이송하는 기판 핸들러를 구비하는 이송 챔버를 포함한다. 상기 에피택셜 공정은 복수의 기판들에 대하여 이루어지는 배치 타입일 수 있다.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，一种半导体制造设备包括：清洁室，在该清洁室中在基板上执行清洁处理; 其中执行外延工艺以在衬底上形成外延层的外延腔室; 并且传送腔室包括连接到清洁腔室和外延腔室的侧面的基板处理器，用于将已经完成清洁处理的基板传送到外延腔室。 外延工艺可以是针对多个衬底制造的批量类型。

公开(公告)号：WO2012018211A2

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：PCT/KR2011/005650

申请日：2011-08-01

申请人： 주식회사 유진테크 ,  김해원 ,  우상호

发明人： 김해원 ,  우상호

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC分类号： B05D3/145 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： 우수한 막질과 스텝 커버리지를 제공할 수 있는 사이클릭 박막 증착 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 사이클릭 박막 증착 방법은 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체를 주입하여 기판 상에 실리콘을 증착하는 증착 단계, 챔버의 내부에서 미반응 실리콘 전구체 및 반응 부산물을 제거하는 제1 퍼지 단계, 챔버의 내부에 제1 반응 가스를 공급하여 증착된 실리콘을 실리콘이 포함되는 절연막으로 형성하는 반응 단계 및 챔버의 내부에서 미반응 반응 가스와 반응 부산물을 제거하는 제2 퍼지 단계를 반복하여 수행하는 절연막 증착 단계 및 챔버의 내부에 플라즈마 분위기를 공급하여 형성된 실리콘이 포함되는 절연막을 치밀하게 만드는 치밀화 단계를 포함한다.

摘要翻译： 提供一种用于沉积环状薄膜以提供优异的薄膜质量和台阶覆盖率的方法。 根据本发明的一个实施方式的用于沉积环状薄膜的方法包括：沉积步骤，用于通过在装载有衬底的腔室内注入硅前体在衬底上沉积硅; 用于从所述室的内部除去未反应的硅前体和反应副产物的第一吹扫步骤; 反应步骤，用于通过在室内提供第一反应气体将沉积的硅形成为具有硅的绝缘膜; 绝缘膜沉积步骤，用于重复从室的内部除去未反应的反应气体和反应副产物的第二吹扫步骤; 以及致密化步骤，用于通过在室内提供等离子体气氛来致密化具有形成硅的绝缘膜。

公开(公告)号：WO2009134080A2

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/KR2009/002266

申请日：2009-04-29

申请人： 주식회사 유진테크 ,  김해원 ,  우상호 ,  조성길 ,  박송환 ,  정경수

发明人： 김해원 ,  우상호 ,  조성길 ,  박송환 ,  정경수

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055

摘要： 본 발명에 의하면, 극미세 결정립 폴리 실리콘 박막 증착 방법은 기판이 로딩된 챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 기판 상에 폴리실리콘 박막을 증착하되, 상기 소스가스는 실리콘 계열(silicon-based)의 가스 및 산소 계열(Oxygen-based)의 가스를 포함한다. 상기 실리콘 계열의 가스에 대한 상기 산소 계열의 가스의 혼합비율은 0.15 이하(단, 0은 제외)일 수 있다. 상기 박막 내의 산소는 20 atomic%(atomic percentage) 이하(단, 0은 제외)일 수 있다.

摘要翻译： 公开了一种用超细晶粒沉积多晶硅薄膜的方法。 根据本发明，通过在其中装载基板的室内供给源气体将多晶硅薄膜沉积在基板上，其中源气体包括硅基气体和氧基气体。 氧基气体与硅系气体的混合比可以为0.15以下（不包括0）。 薄膜内的氧可以为20原子％（原子百分比）以下（不包括0）。

公开(公告)号：WO2013019063A3

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/KR2012/006106

申请日：2012-07-31

申请人： 유진테크 ,  김영대 ,  현준진 ,  우상호 ,  신승우 ,  김해원

发明人： 김영대 ,  현준진 ,  우상호 ,  신승우 ,  김해원

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02

摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 제조설비는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지는 세정 챔버; 상기 기판 상에 에피택셜 층을 형성하는 에피택셜 공정이 이루어지는 에피택셜 챔버; 그리고 상기 세정 챔버 및 상기 에피택셜 챔버가 측면에 연결되며, 상기 세정 공정이 완료된 상기 기판을 상기 에피택셜 챔버로 이송하는 기판 핸들러를 구비하는 이송 챔버를 포함하고, 상기 세정 챔버는, 상기 이송 챔버의 측면에 연결되며, 상기 기판에 대한 반응공정이 이루어지는 반응 챔버; 그리고 상기 이송 챔버의 측면에 연결되며, 상기 기판에 대한 가열공정이 이루어지는 히팅 챔버를 구비하며, 상기 반응 챔버와 상기 히팅 챔버는 상하로 적재되는 것을 특징으로 한다.