公开(公告)号：WO2009046699A3

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：PCT/DE2008/001636

申请日：2008-10-10

Applicant: ACCESS E.V. ,  HECHT, Ulrike ,  VITUSEVYCH, Victor ,  HOLZSCHUH, Christian

Inventor： HECHT, Ulrike ,  VITUSEVYCH, Victor ,  HOLZSCHUH, Christian

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/32

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum stoffschlüssigen Fügen von Werkstücken, bei dem ein an einem Werkstück gebildeter Werkstückbereich aus einer TiAl-Legierung und ein an einem anderen Werkstück gebildeter Werkstückbereich aus einer TiAl-Legierung oder einem von der TiAl-Legierung verschiedenen Hochtemperaturwerkstoff in einem Fügebereich unter Verwendung eines Fügezusatzstoffes gefügt werden, wobei der Fügezusatzstoff mindestens eines der Elemente Gallium und Indium enthält. Ferner bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Materialauftragen auf ein Werkstück, bei dem auf einen Werkstückbereich aus einer TiAl-Legierung ein Auftragsmaterial aufgebracht wird, indem zwischen dem Auftragsmaterial und dem Werkstückbereich eine stoffschlüssige Verbindung hergestellt wird, wobei das Auftragsmaterial mindestens eines der Elemente Gallium und Indium und einen Füllstoff enthält.

公开(公告)号：WO1993005906A1

公开(公告)日：1993-04-01

申请号：PCT/DE1992000816

申请日：1992-09-23

Applicant: GLYCO-METALL-WERKE GLYCO B.V. & CO. KG ,  ACCESS e.V. ,  BERRENBERG, Thomas ,  STEINBACH, Ingo

Inventor： GLYCO-METALL-WERKE GLYCO B.V. & CO. KG ,  ACCESS e.V.

IPC: B22D11/06

CPC classification number: B05C5/0295 ,  B05C3/18 ,  B05D1/26 ,  B22D11/008 ,  B22D11/0631 ,  B22D11/064

Abstract: In order to produce improved films for application to a substrate without the need for additional devices for heating the substrate, the liquid is applied to the substrate in larger amounts than necessary for the formation of the coating. The excess liquid is drawn off and particularly re-used. The liquid is fed, by means of appropriate pressure control, on to the substrate in a laminar-flow stream at least in the contact zone between liquid and substrate. Described is a flow applicator (1) which, in addition, has a discharge channel (4) above the outlet channel (5). Between the input channel (2) and the discharge channel (4) is a channel (3) in the vicinity of which the excess liquid is used to heat the substrate (30).

公开(公告)号：WO1992017755A1

公开(公告)日：1992-10-15

申请号：PCT/DE1992000258

申请日：1992-03-28

Applicant: ACCESS e.V. ,  LAAKMANN, Jochen ,  SCHMITZ, Georg, J. ,  HOFFMANN, Klaus ,  TROCIEWITZ, Ulf

Inventor： ACCESS e.V.

IPC: G01K07/40

CPC classification number: H01J49/446 ,  G01K7/40 ,  G01K11/00

Abstract: The instrument proposed includes a device with which the speed distribution of gas-phase particles of a material can be determined, the mass of the gas-phase particles also being determined either simultaneously or with a given time lag. Given the particle mass and speed distribution, the absolute temperature can then be calculated using Maxwell's speed-distribution curve.

公开(公告)号：WO2010105617A2

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/DE2010/000338

申请日：2010-03-19

Applicant: ACCESS E.V. ,  BEHR, Thomas ,  VAN LOO, Roel

Inventor： BEHR, Thomas ,  VAN LOO, Roel

IPC: F27B14/10 ,  C30B11/00

CPC classification number: F27B14/10 ,  C04B35/14 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63408 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/6365 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/786 ,  C30B11/002 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Tiegel zum Schmelzen und Kristallisieren eines Metalls, eines Halbleiterwerkstoffs oder einer Metalllegierung, bei dem eine Tiegelwandung eines Tiegelgrundkörpers zumindest teilweise aus einem Tiegelmaterial besteht, welches Siliziumnitrid und Siliziumdioxid im Gewichtsverhältnis zwischen etwa 1:10 und etwa 1:1 (Si 3 N 4 : SiO 2 ) enthält. Des weiteren bezieht sich die Erfindung auf ein Bauteil für einen Tiegelgrundkörper eines Tiegels zum Schmelzen und Kristallisieren eines Metalls, eines Halbleiterwerkstoffs oder einer Metalllegierung, bei dem ein Bauteilabschnitt zumindest teilweise aus einem Tiegelmaterial besteht, welches Siliziumnitrid und Siliziumdioxid im Gewichtsverhältnis zwischen etwa 1:10 und etwa 1:1 (Si 3 N 4 : SiO 2 ) enthält sowie ein Verfahren zum Herstellen eines Bauteils für einen Tiegelgrundkörper eines Tiegels zum Schmelzen und Kristallisieren eines Metalls, eines Halbleiterwerkstoffs oder einer Metalllegierung, bei dem ein Bauteilabschnitt zumindest teilweise aus einem Tiegelmaterial gebildet wird, welches Siliziumnitrid und SiIiziumdioxid im Gewichtsverhältnis zwischen etwa 1:10 und etwa 1:1(Si 3 N 4 : SiO 2 ) enthält.

Abstract translation:

本发明涉及用于熔化坩埚和结晶金属，半导体材料或金属合金，其中Tiegelgrundk＆OUML的坩埚; rpers至少部分地由一个坩埚材料的其中氮化硅和二氧化硅中的重量BEAR ltnis 约1:10和约1:1（Si 3 N 4 :SiO 2）。 此外，本发明涉及一种用于导航的使用为r的Tiegelgrundk＆OUML的组件;用于熔化坩埚的主体和结晶金属，半导体材料或金属合金，其中一个部件至少部分地由一个坩埚材料的其中氮化硅和二氧化硅的重量BEAR ltnis 在约1:10至约1：1（Si 3 N