公开(公告)号：WO2008155379A2

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：PCT/EP2008/057773

申请日：2008-06-19

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  MAYER, Frédéric ,  CLAVELIER, Laurent ,  POIROUX, Thierry ,  BILLIOT, Gérard

Inventor： MAYER, Frédéric ,  CLAVELIER, Laurent ,  POIROUX, Thierry ,  BILLIOT, Gérard

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7855 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795

Abstract: Transistor a effet de champ (100) comportant : - une couche support (104), - une pluralité de zones actives (106) a base de semi-conducteur, chaque zone active étant destinée a former un canal et disposée entre deux grilles (112) situées l'une a cote de l'autre consécutivement, les zones actives et les grilles étant disposées sur Ia couche support, chaque grille comportant une première face du cote de Ia couche support et une seconde face opposée a Ia première face, - Ia seconde face d'une première des deux grilles étant reliée électriquement a un premier contact électrique (118, 122, 124) réalisé sur Ia seconde face de ladite première des deux grilles, et Ia première face d'une seconde des deux grilles étant reliée électriquement a un second contact électrique (118, 130, 132) traversant Ia couche support, les grilles du transistor n'étant pas reliées électriquement entre elles.

Abstract translation: 场效应晶体管（100）包括： - 支撑层（104）， - 多个基于半导体的有源区（106），每个有源区旨在形成通道并设置在位于另一个旁边的两个栅极（112）之间 连续地，活动区域和门设置在支撑层上，每个门包括在支撑层侧面的第一面和与第一面相对的第二面， - 两个门中的第一个的第二面被连接 电连接到在所述两个栅极中的所述第一栅极的第二面上形成的第一电触点（118,122,124），并且所述两个栅极中的第二栅极的第一面电连接到第二电触头（118,130,124） 132）通过支撑层，晶体管的栅极不是电互连的。