公开(公告)号：WO2007106502A8

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：PCT/US2007006357

申请日：2007-03-13

申请人： NANOGRAM CORP ,  HIESLMAIR HENRY ,  MOSSO RONALD J ,  LYNCH ROBERT B ,  CHIRUVOLU SHIVKUMAR ,  MCGOVERN WILLIAM E ,  HORNE CRAIG R ,  SOLAYAPPAN NARAYAN ,  CORNELL RONALD M

发明人： HIESLMAIR HENRY ,  MOSSO RONALD J ,  LYNCH ROBERT B ,  CHIRUVOLU SHIVKUMAR ,  MCGOVERN WILLIAM E ,  HORNE CRAIG R ,  SOLAYAPPAN NARAYAN ,  CORNELL RONALD M

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/01 ,  C23C16/24 ,  C23C16/482 ,  C23C16/483 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/41 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/24802

摘要： Thin semiconductor foils can be formed using light reactive deposition. These foils can have an average thickness of less than 100 microns. In some embodiments, the semiconductor foils can have a large surface area, such as greater than about 900 square centimeters. The foil can be free standing or releasably held on one surface. The semiconductor foil can comprise elemental silicon, elemental germanium, silicon carbide, doped forms thereof, alloys thereof or mixtures thereof. The foils can be formed using a release layer that can release the foil after its deposition. The foils can be patterned, cut and processed in other ways for the formation of devices. Suitable devices that can be formed form the foils include, for example, photovoltaic modules and display control circuits.

摘要翻译： 可以使用光反应性沉积形成薄的半导体箔。 这些箔片的平均厚度可以小于100微米。 在一些实施例中，半导体箔可以具有大的表面积，例如大于约900平方厘米。 箔可以自由站立或可释放地保持在一个表面上。 半导体箔可以包括元素硅，元素锗，碳化硅，其掺杂形式，其合金或其混合物。 箔可以使用可以在其沉积后释放箔的释放层来形成。 箔可以以其他方式图案化，切割和加工以形成装置。 可以由箔形成的合适的装置包括例如光伏模块和显示控制电路。

公开(公告)号：WO2007106502A3

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：PCT/US2007006357

申请日：2007-03-13

申请人： NANOGRAM CORP ,  HIESMAIR HENRY ,  MOSSO RONALD J ,  LYNCH ROBERT B ,  CHIRUVOLU SHIVKUMAR ,  MCGOVERN WILLIAM E ,  HORNE CRAIG R ,  SOLAYAPPAN NARAYAN ,  CORNELL RONALD M

发明人： HIESMAIR HENRY ,  MOSSO RONALD J ,  LYNCH ROBERT B ,  CHIRUVOLU SHIVKUMAR ,  MCGOVERN WILLIAM E ,  HORNE CRAIG R ,  SOLAYAPPAN NARAYAN ,  CORNELL RONALD M

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/01 ,  C23C16/24 ,  C23C16/482 ,  C23C16/483 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/41 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/24802

摘要： Thin semiconductor foils can be formed using light reactive deposition. These foils can have an average thickness of less than 100 microns. In some embodiments, the semiconductor foils can have a large surface area, such as greater than about 900 square centimeters. The foil can be free standing or releasably held on one surface. The semiconductor foil can comprise elemental silicon, elemental germanium, silicon carbide, doped forms thereof, alloys thereof or mixtures thereof. The foils can be formed using a release layer that can release the foil after its deposition. The foils can be patterned, cut and processed in other ways for the formation of devices. Suitable devices that can be formed form the foils include, for example, photovoltaic modules and display control circuits.

摘要翻译： 可以使用光反应性沉积形成薄的半导体箔。 这些箔片的平均厚度可以小于100微米。 在一些实施例中，半导体箔可以具有大的表面积，例如大于约900平方厘米。 箔可以自由站立或可释放地保持在一个表面上。 半导体箔可以包括元素硅，元素锗，碳化硅，其掺杂形式，其合金或其混合物。 箔可以使用可以在其沉积后释放箔的释放层来形成。 箔可以以其他方式图案化，切割和加工以形成装置。 可以由箔形成的合适的装置包括例如光伏模块和显示控制电路。

公开(公告)号：WO2007106502A2

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：PCT/US2007/006357

申请日：2007-03-13

申请人： NANOGRAM CORPORATION ,  HIESMAIR, Henry ,  MOSSO, Ronald, J. ,  LYNCH, Robert, B. ,  CHIRUVOLU, Shivkumar ,  MCGOVERN, William, E. ,  HORNE, Craig, R. ,  SOLAYAPPAN, Narayan ,  CORNELL, Ronald, M.

发明人： HIESMAIR, Henry ,  MOSSO, Ronald, J. ,  LYNCH, Robert, B. ,  CHIRUVOLU, Shivkumar ,  MCGOVERN, William, E. ,  HORNE, Craig, R. ,  SOLAYAPPAN, Narayan ,  CORNELL, Ronald, M.

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/01 ,  C23C16/24 ,  C23C16/482 ,  C23C16/483 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/41 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/24802

摘要： Thin semiconductor foils can be formed using light reactive deposition. These foils can have an average thickness of less than 100 microns. In some embodiments, the semiconductor foils can have a large surface area, such as greater than about 900 square centimeters. The foil can be free standing or releasably held on one surface. The semiconductor foil can comprise elemental silicon, elemental germanium, silicon carbide, doped forms thereof, alloys thereof or mixtures thereof. The foils can be formed using a release layer that can release the foil after its deposition. The foils can be patterned, cut and processed in other ways for the formation of devices. Suitable devices that can be formed form the foils include, for example, photovoltaic modules and display control circuits.

摘要翻译： 薄半导体箔可以使用光反应沉积来形成。 这些箔可以具有小于100微米的平均厚度。 在一些实施例中，半导体箔可具有大的表面积，例如大于约900平方厘米。 箔可以自由站立或可释放地保持在一个表面上。 半导体箔可以包含元素硅，元素锗，碳化硅，其掺杂形式，其合金或其混合物。 箔可以使用释放层形成，该释放层可以在其沉积之后释放箔。 箔可以被图案化，切割并以其他方式加工以形成装置。 可以由箔形成的合适装置包括例如光伏模块和显示控制电路。