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    UV ASSISTED CVD ALN FILM FOR BEOL ETCH STOP APPLICATION
    1.
    发明申请
    UV ASSISTED CVD ALN FILM FOR BEOL ETCH STOP APPLICATION 审中-公开
    UV辅助CVD ALN膜用于BEOL ETCH停止应用

    公开(公告)号：WO2016099705A1

    公开(公告)日：2016-06-23

    申请号：PCT/US2015/059761

    申请日：2015-11-09

    申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： DEMOS, Alexandros T. ,  PADHI, Deenesh

    IPC分类号： H01L21/205

    CPC分类号： H01L21/31116 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228

    摘要： Implementations described herein generally relate to methods for depositing etch stop layers, such as AlN layers, using UV assisted CVD. Methods disclosed herein generally include positioning a substrate in a process region of a process chamber; delivering an aluminum-containing precursor to the process region, the aluminum-containing precursor depositing an aluminum species onto the substrate; purging the process region of aluminum-containing precursor using an inert gas; delivering a UV responsive nitrogen-containing precursor to the process region, the UV responsive nitrogen-containing gas being activated using UV radiation to create nitrogen radicals, the nitrogen radicals reacting with the aluminum species to form an AlN layer; and purging the process region of UV responsive nitrogen-containing precursor using an inert gas.

    摘要翻译： 本文描述的实施方式一般涉及使用UV辅助CVD沉积蚀刻停止层（例如AlN层）的方法。 本文公开的方法通常包括将基底定位在处理室的处理区域中; 向工艺区域输送含铝前体，所述含铝前体将铝物质沉积到所述基底上; 使用惰性气体吹扫含铝前体的工艺区域; 将UV反应性含氮前体输送到工艺区域，UV反应性含氮气体使用UV辐射活化以产生氮自由基，氮自由基与铝物质反应形成AlN层; 并使用惰性气体吹扫UV反应性含氮前体的工艺区域。

    紫外域で発光するｓｐ３結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料
    6.
    发明申请
    紫外域で発光するｓｐ３結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料 审中-公开
    sp3 BOND BORON NITRIDE EMITTING LIGHT IN ULTRAVIOLET REGION，其生产方法和使用相同功能的材料

    公开(公告)号：WO2004005186A1

    公开(公告)日：2004-01-15

    申请号：PCT/JP2003/008370

    申请日：2003-07-01

    申请人： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  小松 正二郎 ,  岡田 勝行 ,  守吉 佑介

    发明人： 小松 正二郎 ,  岡田 勝行 ,  守吉 佑介

    IPC分类号： C01B21/064

    CPC分类号： C09K11/63 ,  C09K11/0883 ,  C23C14/0026 ,  C23C14/0647 ,  C23C14/28 ,  C23C16/342 ,  C23C16/482 ,  C23C16/50 ,  C23C16/513

    摘要： An sp3 bond boron nitride expressed by general formula BN, and having a hexagonal 5H or 6H polygonal structure and a property that it emits ultraviolet radiation, and a method for producing such boron nitride. A method for producing such boron nitride can be a method in which a reaction mixed gas containing boron and nitrogen is diluted with a diluent gas and the diluted gas is introduced into a reaction vessel, ultraviolet radiation is applied to the surface of a substrate placed in the reaction vessel, the growing surface on the substrate, or the growth space near the growth surface, and thus boron nitride is produced, deposited, or grown on the substrate by vapor phase reaction. Such boron nitride is used as an electronic material of e.g., a light-emitting diode, for an ultraviolet solid laser, as an electron emitting material, and as a material for coating the surface of a cutting tool. The boron nitride emits light with a sharp peak near 225 nm, and can be a promising material for putting a solid ultraviolet laser into practical use.

    摘要翻译： 由通式BN表示的具有六方晶5H或6H多边形结构的sp 3键氮化硼及其发射紫外线的性质，以及这种氮化硼的制造方法。 制造这种氮化硼的方法可以是其中用稀释气体稀释含有硼和氮的反应混合气体的方法，并将稀释的气体引入反应容器中，将紫外线辐射施加到放置在 反应容器，衬底上的生长表面或生长表面附近的生长空间，因此通过气相反应在衬底上产生，沉积或生长氮化硼。 这种氮化硼用作例如发光二极管，紫外固体激光器，电子发射材料的电子材料，以及作为用于涂覆切削工具表面的材料。 氮化硼以225nm附近的尖峰发光，可用于将固体紫外线激光器投入实际使用的有希望的材料。

    LOW TEMPERATURE METAL OXIDE COATING FORMATION
    7.
    发明申请
    LOW TEMPERATURE METAL OXIDE COATING FORMATION 审中-公开
    低温金属氧化物涂层形成

    公开(公告)号：WO00073534A1

    公开(公告)日：2000-12-07

    申请号：PCT/US2000/014620

    申请日：2000-05-26

    IPC分类号： C04B41/45 ,  C04B41/81 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/48 ,  C04B35/03 ,  C04B35/48 ,  H05B6/00

    CPC分类号： C04B41/81 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4531 ,  C23C16/40 ,  C23C16/482 ,  C04B41/0045 ,  C04B41/4584 ,  C04B41/5041 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/5044 ,  C04B41/5027 ,  C04B35/52 ,  C04B14/386 ,  C04B14/4693

    摘要： A process for forming metal oxides, including mixed metal oxides, in a dilute vapor phase at a temperature below approximately 350 degrees Fahrenheit. The resulting novel oxides can be formed as dense films or coatings with very high strain-to-crack values, or as nanoparticles, depending primarily upon the concentration of the reactants. The novel oxides are formed by the reaction in the vapor phase of reactive metal molecules with atomic oxygen. The reactions are instantaneous at room temperature, which permits this process to be applied to the formation of metal oxides on temperature sensitive substrates. The atomic oxygen and highly reactive metal containing molecules are generated by the application of an effective amount of ultraviolet radiation.

    摘要翻译： 在低于约350华氏度的温度下在稀气相中形成金属氧化物（包括混合金属氧化物）的方法。 所得到的新型氧化物可以形成为具有非常高的应变 - 裂纹值的致密膜或涂层，或者作为纳米颗粒形成，主要取决于反应物的浓度。 新型氧化物通过反应性金属分子与原子氧的反应而形成。 反应在室温下是瞬时的，这允许将该方法应用于在温度敏感的基底上形成金属氧化物。 通过施加有效量的紫外线辐射产生原子氧和含高分子活性金属的分子。

    INTEGRATED CIRCUIT ELECTRODE STRUCTURE AND PROCESS FOR FABRICATING SAME
    8.
    发明申请
    INTEGRATED CIRCUIT ELECTRODE STRUCTURE AND PROCESS FOR FABRICATING SAME 审中-公开
    集成电路电极结构及其制造方法

    公开(公告)号：WO1998028784A1

    公开(公告)日：1998-07-02

    申请号：PCT/US1997023697

    申请日：1997-12-19

    申请人： SYMETRIX CORPORATION

    发明人： SYMETRIX CORPORATION ,  CUCHIARO, Joseph, D. ,  MCMILLAN, Larry, D. ,  PAZ DE ARAUJO, Carlos, A.

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： H01L27/11502 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65

    摘要： An electrode (79, 329) for a ferroelectric electronic device (80, 317C) is formed on an SiO2 isolation layer (77, 324) by depositing an adhesion layer (98, 326), such as titanium, between about 25 ANGSTROM and 500 ANGSTROM thick, then a layer (81, 328) of a nobel metal, such as platinum, that is at least 10 times thicker than the adhesion layer. The electrode is then annealed at a temperature higher than the minimum oxide eutectic temperature of the adhesion layer. The electrode is moved into the annealing furnace at a ramp rate such that it reaches its anneal temperature in five minutes or less. The relative thinness of the adhesion layer and the quick ramp up of the anneal causes all the titanium to be tied up in the oxide before it can diffuse through the platinum, and prevents the formation of rutile phases of the titanium and defects such as voids and hillocks in the platinum, which can destabilize the electrode.

    摘要翻译： 用于铁电电子器件（80,317C）的电极（79,329）通过在约25至500之间沉积诸如钛的粘附层（98,326）而在SiO 2隔离层（77,324）上形成 ANGSTROM厚，然后是比粘合层厚至少10倍的诺贝尔金属（例如铂）的层（81,328）。 然后在高于粘附层的最小氧化物共晶温度的温度下退火电极。 电极以升高速度移动到退火炉中，使其在5分钟或更短时间内达到其退火温度。 粘合层的相对薄度和退火的快速上升使得所有的钛在氧化物中扩散通过铂之前被束缚在其中，并且防止了钛的金红石相的形成和诸如空隙和缺陷的缺陷 白金中的小丘，可能会使电极不稳定。