公开(公告)号：WO2009071493A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：PCT/EP2008/066456

申请日：2008-11-28

Applicant: THALES ,  DELAGE, Sylvain ,  BRYLINSKI, Christian ,  MORVAN, Erwan ,  DEAN, Thierry

Inventor： DELAGE, Sylvain ,  BRYLINSKI, Christian ,  MORVAN, Erwan ,  DEAN, Thierry

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/417 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Diode Schottky pour application forte puissance et procédé de fabrication L'invention concerne une diode de type Schottky comportant un substrat (24), une couche active (21) en matériau semiconducteur, une couche de contact dit Schottky (27), une couche conductrice de contact ohmique (25), ledit substrat comportant en outre au moins un via-trou (28) de manière à définir une membrane au dessus dudit via-trou présentant une face dite inférieure au niveau du substrat et une face dite supérieure éloignée du substrat, caractérisée en ce que la membrane comprend au moins l'empilement de couches suivant à partir de la face dite inférieure : - la couche de contact dit Schottky; - la couche de matériau semiconducteur; - la couche de contact ohmique étant au niveau de la face supérieure de ladite membrane. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication d'une telle diode.

Abstract translation: 本发明涉及一种肖特基二极管，其包括衬底（24），由半导体材料制成的有源层（21），称为肖特基接触层（27），欧姆接触导电层（25），所述衬底进一步 包括至少一个通孔（28），以便在所述通孔上方限定膜，在所述基板的高度处具有所谓的下表面，以及远离所述基板的所谓上表面，其特征在于， 所述膜至少包括从所谓的下表面开始的以下层叠层：即所谓的肖特基接触层; 半导体材料层; 欧姆接触层位于所述膜的上表面。 本发明还涉及制造这种二极管的方法。

公开(公告)号：WO2004030005A1

公开(公告)日：2004-04-08

申请号：PCT/FR2003/002835

申请日：2003-09-26

Applicant: THALES ,  ZIAEI, Afshin ,  DEAN, Thierry ,  POLIZZI, Jean-Philippe

Inventor： ZIAEI, Afshin ,  DEAN, Thierry ,  POLIZZI, Jean-Philippe

IPC: H01H1/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01G5/16

Abstract: Le domaine de l'invention est celui des microsystèmes (encore appelé MEMS, acronyme anglo-saxon pour Micro Electro Mechanical Systems) de type microcommutateurs à actuation électrostatique utilisés en électronique pour réaliser des fonctions d'interrupteurs ou de commutateurs, notamment dans le domaine des hyperfréquences pour la téléphonie mobile et les radars. L'objet de l'invention est d'améliorer les performances du commutateur en diminuant le temps de réponse du dispositif et en augmentant les puissances radio ou hyper-fréquences supportées tout en conservant des tensions de commutation faibles. Ces performances améliorées sont obtenues en utilisant des membranes épaisses et en disposant entre ladite membrane et l'électrode associée un matériau à forte permittivité relative. Le commutateur est obtenu par un procédé de réalisation original, la membrane étant réalisée sur un substrat indépendant, puis assemblée sur le substrat de base du commutateur. Des exemples de procédé de réalisation de dispositifs selon l'invention avec les matériaux utilisables, les géométries possibles et les différentes étapes de réalisation sont donnés.

Abstract translation: 本发明涉及微系统微机电系统（MEMS），即用于电子设备中的静电致动微型开关，以便执行切换功能或换向功能，特别是涉及用于移动电话和雷达的超频。 本发明的目的是通过减少所述装置的响应时间以及通过增加无线电功率或承受的超频而同时保持开关电压较低来提高开关的性能。 所述改进的性能通过使用厚膜和通过在膜和相关电极之间设置相对较高介电常数的材料来获得。 该开关是根据原始生产方法获得的。 膜以独立结构制造，然后组装在所述开关的基底基板上。 本发明公开了用于生产本发明装置的方法的各种实例，即所使用的材料，其可能的几何形状和不同的生产阶段。

公开(公告)号：WO2004001899A1

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：PCT/FR2003/001803

申请日：2003-06-13

Applicant: THALES ,  CHARRIER, Michel ,  DEAN, Thierry ,  ZIAEI, Afshin ,  LEGAY, Hervé ,  PINTE, Béatrice ,  GILLARD, Raphaël ,  GIRARD, Etienne ,  MOULINET, Ronan

Inventor： CHARRIER, Michel ,  DEAN, Thierry ,  ZIAEI, Afshin ,  LEGAY, Hervé ,  PINTE, Béatrice ,  GILLARD, Raphaël ,  GIRARD, Etienne ,  MOULINET, Ronan

IPC: H01Q3/46

CPC classification number: H01Q3/46 ,  H01Q9/065 ,  H01Q21/062

Abstract: L'invention concerne les cellules déphaseuses constituant les réseaux réflecteurs passifs d'antennes à direction d'émission reconfigurable émettant dans le domaine des hyperfréquences. Plus particulièrement, elle décrit, dans le cadre des cellules déphaseuses de type à brins (7) de dipôles à répartition angulaire en étoile, un nouveau type de commutateur constitué d'un micro-dispositif électromécanique comprenant essentiellement une micro-membrane (11) suspendue qui, sous l'action d'une force électrostatique provoquée par une tension de commande, se déforme de façon suffisante pour assurer la liaison électrique entre les brins (7) permettant de former un dipôle dans l'orientation souhaitée. Dans un mode particulier de réalisation, la micro-membrane (11) est assimilable à l'une des armatures d'un condensateur et sa déformation correspond à une augmentation importante de la capacité de ce condensateur, assurant ainsi la liaison électrique. Cette technologie de commutateur présente les avantages d'une plus grande simplicité de réalisation et l'obtention de performances accrues par rapport aux technologies connues. L'invention donne les principales caractéristiques géométriques et technologiques permettant d'obtenir des performances optimisées.

Abstract translation: 本发明涉及构成无源反射器阵列的相移单元，其具有在微波域中发射的可重新配置的取向。 更具体地说，本发明涉及在具有星形角分布的偶极子线（7）的相移单元的情况下，由基本上包括悬浮微膜（11）的MEMS装置组成的新型开关， 在由控制电压引起的静电力的作用下，充分变形以确保电线（7）之间的电连接，从而能够以期望的方向形成偶极子。 在特定实施例中，微膜（11）可以与电容器的电枢之一进行比较，并且其变形对应于电容器的电容的显着增加，从而确保电连接。 与已知技术相比，这种特定的开关技术提供了更大的简单性和更强的性能的优点。 本发明提供了能够优化性能的主要几何和技术特征。