窒化物半導体発光装置
    3.
    发明申请
    窒化物半導体発光装置 审中-公开
    氮化物半导体发光器件

    公开(公告)号:WO2016051857A1

    公开(公告)日:2016-04-07

    申请号:PCT/JP2015/065079

    申请日:2015-05-26

    发明人: 駒田 聡

    IPC分类号: H01L33/56 H01L33/22 H01L33/38

    摘要:  所定波長の紫外光を発光するLED素子2と、セラミック焼結体で形成された基台1と、基台1にサファイア基板20が隣合うように配置された前記LED素子を樹脂封止する樹脂封止部3とを備えており、樹脂封止部3は窒化物半導体層の屈折率と空気の屈折率の中間値に近い屈折率の封止樹脂で形成されている窒化物半導体発光装置A。

    摘要翻译: 氮化物半导体发光器件A具有:发出具有预定波长的紫外光的LED元件2; 由陶瓷烧结体形成的基体1; 以及树脂密封部分3,树脂密封LED元件,其布置成使蓝宝石基板20与基座1相邻。树脂密封部3由折射率接近中间部分的密封树脂形成 氮化物半导体层的折射率与空气的折射率之间的值。

    発光装置
    6.
    发明申请
    発光装置 审中-公开
    发光装置

    公开(公告)号:WO2012026058A1

    公开(公告)日:2012-03-01

    申请号:PCT/JP2011/003544

    申请日:2011-06-21

    摘要:  発光装置10において、制御回路部30は、半導体発光素子20の点灯を制御する。放熱基板ユニット13は、各々が発する熱を回収するよう半導体発光素子20および制御回路部30を支持する。放熱基板ユニット13は、半導体発光素子20の発光部が制御回路部30よりも発光部の主光軸方向に突出するよう半導体発光素子20を支持する。放熱基板ユニット13は、制御回路部30を支持する放熱基板15と、放熱基板15から突出して半導体発光素子20を支持する支持部材14を有する。放熱基板15と支持部材14とは別体に形成され、3W/mK以上の熱伝導率を有する接着剤を介して互いに固定される。

    摘要翻译: 在发光装置(10)中,控制电路(30)控制半导体发光元件(20)的点亮。 散热基板单元(13)支撑半导体发光元件(20)和控制电路(30),以回收由各自产生的热量。 散热基板单元(13)支撑半导体发光元件(20),使得所述半导体发光元件(20)的发光部分在所述光的主光轴方向上更远地突出 - 控制电路(30)。 散热基板单元(13)包括:散热基板(15),其支撑控制电路(30); 以及从所述散热基板(15)突出并支撑所述半导体发光元件(20)的支撑部件(14)。 所述散热基板(15)和支撑部件(14)分别形成,并通过具有至少3W / m·K的导热率的粘合剂彼此固定。

    表面出射型レーザ
    7.
    发明申请
    表面出射型レーザ 审中-公开
    表面发射激光

    公开(公告)号:WO2011065517A1

    公开(公告)日:2011-06-03

    申请号:PCT/JP2010/071207

    申请日:2010-11-29

    IPC分类号: H01S5/18

    摘要:  本発明の目的は、実装寄生容量が小さく高速性に優れ、かつ、放熱特性に優れた水平共振器面出射型レーザ及びこれを用いた光モジュールを提供することである。すなわち、半導体基板上に、第1導電型クラッド層と活性層と第2導電型クラッド層の順に積層された共振器構造部と、活性層から発生した光を導波する導波路層と、共振構造部から放射されるレーザ光を裏面から出射させる反射部とを備え、共振器構造部および反射部の側面に沿った半導体基板上に設けられた第1電極と、共振器構造部の主表面上に設けられた第2電極とを有し、第1電極は、導波路層を導波される光の進行方向と交わる反射部の一側面に沿って設けられた電極(1)と、導波路層を導波される光の進行方向に平行する共振器構造部の一側面および反射部の他側面に沿って設けられた電極(2)とを含み、電極(2)の形状は、少なくとも2箇所で異なる幅を有する。

    摘要翻译: 公开了一种水平谐振器表面发射激光器和使用该水平谐振器表面发射激光器的光学模块,其在安装中具有小的杂散能力,优异的高速性能和优异的散热特性。 具体地说,水平谐振器表面发射激光器在半导体衬底上设置有:依次层叠有第一导电型包层,有源层和第二导电型覆盖层的谐振器结构单元, 引导从有源层产生的光的波导层; 以及从谐振器结构单元发射的从背面发出激光的反射部。 水平谐振器表面发射激光器具有沿着谐振器结构单元和反射部分的侧面设置在半导体衬底上的第一电极和设置在谐振器结构单元的主表面上的第二电极。 第一电极包括:沿着反射部分的一个侧面设置的电极(1),其与通过波导层引导的光的传播方向相交; 以及沿着谐振器结构单元的一个侧面设置的电极(2),其与通过波导层引导并沿着反射部分的另一侧面的光的传播方向平行。 电极(2)的形状至少在两个位置具有不同的宽度。

    III族窒化物半導体発光素子の製造方法及びIII族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
    9.
    发明申请
    III族窒化物半導体発光素子の製造方法及びIII族窒化物半導体発光素子、並びにランプ 审中-公开
    生产III类氮化物半导体发光元件,III类氮化物半导体发光元件和灯的工艺

    公开(公告)号:WO2009139376A1

    公开(公告)日:2009-11-19

    申请号:PCT/JP2009/058828

    申请日:2009-05-12

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要:  内部量子効率及び光取り出し効率に優れる発光素子が得られるIII族窒化物半導体発光素子の製造方法、III族窒化物半導体発光素子及びランプを提供する。基板(2)の主面(20)を覆うように半導体層(30)を形成するエピタキシャル工程と、半導体層(30)上に保護膜を形成するマスク工程と、レーザ照射によって保護膜及び半導体層(30)を除去して基板(2)を露出させる半導体層除去工程と、基板(2)を薄くする研削工程と、基板(2)を研磨する研磨工程と、基板(2)の内部に加工痕を設けるレーザ加工工程と、基板(2)の分割面を粗面としながら複数の発光素子(1)とする分割工程とを備える。

    摘要翻译: 公开了一种能够生产出具有优异的内量子效率和光取出效率的发光元件的III族氮化物半导体发光元件的制造方法。 还公开了III族氮化物半导体发光元件和灯。 该工艺包括形成半导体层(30)以覆盖基板(2)的主表面(20)的外延步骤,在半导体层(30)上形成保护膜的掩模步骤,半导体层 通过激光束照射去除保护膜和半导体层(30)以露出基板(2)的去除步骤;减小基板(2)的厚度的研磨步骤;抛光基板(2)的抛光步骤; ,在所述基板(2)内设置加工标记的激光加工工序,以及将所述基板(2)的表面分割成多个发光元件(1)的分割工序,所述分割面为粗 表面。