公开(公告)号：WO2012022329A2

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：PCT/DE2011/075152

申请日：2011-06-28

Applicant: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG ,  KÜHN, Tino ,  TEPPE, Andreas ,  FRIESS, Tobias ,  ESTURO-BRETON, Ainhoa ,  KELLER, Steffen

Inventor： KÜHN, Tino ,  TEPPE, Andreas ,  FRIESS, Tobias ,  ESTURO-BRETON, Ainhoa ,  KELLER, Steffen

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L29/34 ,  H01L21/268 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Verfahren zur lokalen Entfernung einer Oberflächenschicht (36), die auf einer Textur (30) eines texturierten Substrats aufgebracht ist, wobei die Textur (30) eine Vielzahl von Strukturelementen (32) mit Strukturspitzen (34) und/oder Strukturkanten aufweist, aufweisend die Schritte des lokalen Bestrahlungs der Textur (30) durch die Oberflächenschicht (36) hindurch mittels einer die Oberflächenschicht (36) zumindest partiell durchdringenden und von der Textur (30) zumindest partiell absorbierten Laserstrahlung, deren Intensität so eingestellt ist, dass die Textur (30) mittels der Laserstrahlung lokal angeschmolzen und nachfolgend rekristallisiert wird (16), wobei die Oberflächenschicht (36) im Bereich der Strukturspitzen (34) und/oder der Strukturkanten lokal so geöffnet wird, dass die Öffnungen nach der lokalen Bestrahlung der Textur (30) um die Strukturspitzen (34) und/oder die Strukturkanten herum von zusammenhängenden nicht geöffneten Bereichen der Oberflächenschicht (36) vollständig umgeben sind, und des Entfernens (18) der rekristallisierten Bereiche (38) der Textur (30) in einem Ätzschritt mittels eines Ätzmediums, wobei die Oberflächenschicht (36) abseits der rekristallisierten Bereiche (38) als Ätzmaskierung gegenüber dem Ätzmedium verwendet wird, sowie Solarzelle (70).

Abstract translation:

涂覆有纹理一种用于局部移除形成于织构化衬底的织构（30）的表面BEAR chenschicht（36）的过程（30）包括多个结构元件（32），其具有结构的提示（34 ）和/或具有结构的边缘，包括通过所述表面BEAR chenschicht（36）由所述表面BEAR chenschicht（36来传递纹理（30）的局部照射的步骤：a）至少部分地穿透和（纹理30）至少部分地吸收激光辐射的 以这样的方式被设置t是该纹理（30）通过激光辐射来局部熔化，然后重结晶（16），其中所述表面BEAR;在结构顶部的区域中，其强度与AUML chenschicht（36）（34）和/或所述结构的边缘局部地所以 打开在结构尖端（34）和/或结构边缘周围的纹理（30）的局部照射之后的开口不通过相干的结构 表面层（36）的开口区域被完全包围，并且借助于清洁介质在一个步骤中去除（18）纹理（30）的再结晶区域（38），表面层 （36）从再结晶区域（38）用作蚀刻剂介质上方的蚀刻掩模以及太阳能电池（70）。

公开(公告)号：WO2010052565A2

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/IB2009/007380

申请日：2009-11-09

Applicant: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS TECHNOLOGY GMBH ,  ESTURO-BRETON, Ainhoa ,  GEIGER, Matthias ,  KELLER, Steffen ,  SCHLOSSER, Reinhold ,  VOYER, Catharine ,  MAIER, Johannes ,  BRESELGE, Martin ,  MÜNZER, Adolf ,  FRIESS, Tobias ,  KÜHN, Tino

Inventor： ESTURO-BRETON, Ainhoa ,  GEIGER, Matthias ,  KELLER, Steffen ,  SCHLOSSER, Reinhold ,  VOYER, Catharine ,  MAIER, Johannes ,  BRESELGE, Martin ,  MÜNZER, Adolf ,  FRIESS, Tobias ,  KÜHN, Tino

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Method for manufacturing a solar cell with a two-stage doping (88, 89) including the following method steps of forming (14, 48) an oxide layer (82), which can be penetrated by a first dopant, on at least one part of the surface of a solar cell substrate (80), of forming (16; 50) an opening in the oxide layer (82) in at least one high-doping region (88) by removing (16; 50) the oxide layer (82) in this high-doping region (88), of diffusing (28) the first dopant into the at least one high- doping region (88) of the solar cell substrate (80) through the opening and of diffusing (28) the first dopant into the solar cell substrate (80) through the oxide layer (82), wherein the diffusing-in (28) through the openings and through the oxide layer (82) takes place at the same time in a common diffusion step and the solar cell substrate (80) is diffused (28) in the common diffusion step (28) in an at least partially hydrophilic state.

Abstract translation: 一种用于制造具有两级掺杂（88,89）的太阳能电池的方法，包括以下方法步骤：在至少一个部分上形成（14,48）可被第一掺杂剂渗透的氧化物层（82） 通过去除（16; 50）氧化物层（16; 50）在至少一个高掺杂区域（88）中在氧化物层（82）中形成（16; 50）开口的太阳能电池基板（80）的表面; 82）在该高掺杂区域（88）中通过开口将第一掺杂剂扩散（28）至太阳能电池基板（80）的至少一个高掺杂区域（88）并扩散（28） 第一掺杂剂通过氧化物层（82）进入太阳能电池基板（80），其中通过开口和通过氧化物层（82）的扩散（28）在公共扩散步骤中同时进行，并且 太阳能电池基板（80）在共同扩散步骤（28）中以至少部分亲水状态扩散（28）。

公开(公告)号：WO2010052565A3

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/IB2009007380

申请日：2009-11-09

Applicant: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG ,  ESTURO-BRETON AINHOA ,  GEIGER MATTHIAS ,  KELLER STEFFEN ,  SCHLOSSER REINHOLD ,  VOYER CATHARINE ,  MAIER JOHANNES ,  BRESELGE MARTIN ,  MUENZER ADOLF ,  FRIESS TOBIAS ,  KUEHN TINO

Inventor： ESTURO-BRETON AINHOA ,  GEIGER MATTHIAS ,  KELLER STEFFEN ,  SCHLOSSER REINHOLD ,  VOYER CATHARINE ,  MAIER JOHANNES ,  BRESELGE MARTIN ,  MUENZER ADOLF ,  FRIESS TOBIAS ,  KUEHN TINO

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Method for manufacturing a solar cell with a two-stage doping (88, 89) including the following method steps of forming (14, 48) an oxide layer (82), which can be penetrated by a first dopant, on at least one part of the surface of a solar cell substrate (80), of forming (16; 50) an opening in the oxide layer (82) in at least one high-doping region (88) by removing (16; 50) the oxide layer (82) in this high-doping region (88), of diffusing (28) the first dopant into the at least one high- doping region (88) of the solar cell substrate (80) through the opening and of diffusing (28) the first dopant into the solar cell substrate (80) through the oxide layer (82), wherein the diffusing-in (28) through the openings and through the oxide layer (82) takes place at the same time in a common diffusion step and the solar cell substrate (80) is diffused (28) in the common diffusion step (28) in an at least partially hydrophilic state.

Abstract translation: 一种用于制造具有两级掺杂（88,89）的太阳能电池的方法，包括以下方法步骤：在至少一个部分上形成（14,48）可被第一掺杂剂渗透的氧化物层（82） 通过去除（16; 50）氧化物层（16; 50）在至少一个高掺杂区域（88）中在氧化物层（82）中形成（16; 50）开口的太阳能电池基板（80）的表面; 82）在该高掺杂区域（88）中通过开口将第一掺杂剂扩散（28）至太阳能电池基板（80）的至少一个高掺杂区域（88）并扩散（28） 第一掺杂剂通过氧化物层（82）进入太阳能电池基板（80），其中通过开口和通过氧化物层（82）的扩散（28）在公共扩散步骤中同时进行，并且 太阳能电池基板（80）在共同扩散步骤（28）中以至少部分亲水状态扩散（28）。

公开(公告)号：WO2012022329A3

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：PCT/DE2011075152

申请日：2011-06-28

Applicant: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG ,  KUEHN TINO ,  TEPPE ANDREAS ,  FRIESS TOBIAS ,  ESTURO-BRETON AINHOA ,  KELLER STEFFEN

Inventor： KUEHN TINO ,  TEPPE ANDREAS ,  FRIESS TOBIAS ,  ESTURO-BRETON AINHOA ,  KELLER STEFFEN

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L29/34 ,  H01L21/268 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a method for locally removing a surface layer (36) which is applied to a texture (30) of a textured substrate, wherein the texture (30) has a multiplicity of structure elements (32) with structure tips (34) and/or structure edges, having the steps of locally irradiating the texture (30) through the surface layer (36) by means of laser radiation which at least partially penetrates through the surface layer (36) and which is at least partially absorbed by the texture (30), the intensity of which laser radiation is set such that the texture (30) is locally melted by means of the laser radiation and subsequently recrystallized (16), wherein the surface layer (36) is locally opened in the region of the structure tips (34) and/or of the structure edges such that the openings around the structure tips (34) and/or the structure edges after the local irradiation of the texture (30) are completely surrounded by continuous, non-open regions of the surface layer (36), and removing (18) the recrystallized regions (38) of the texture (30) in an etching step by means of an etching medium, wherein the surface layer (36) outside the recrystallized regions (38) is used as an etching mask against the etching medium, and to a solar cell (70).

Abstract translation: 一种用于局部去除的表面层（36），其被施加到织构的衬底的织构（30）的过程中，织构（30）包括多个结构元件（32），其具有结构顶部（34）和/或具有结构的边缘，其包括以下步骤 通过表面层的装置中的纹理（30）通过该表面层（36）的局部照射（36）至少部分地穿透和从纹理（30）至少部分地吸收激光辐射，其强度被设定为使得所述纹理（30）借助于 激光辐射局部熔化和下面（16）中重结晶，其特征在于，使得根据纹理（30）的局部照射到尖端的结构中的开口在结构尖端的区域中的表面层（36）（34）和/或结构边缘局部地打开的 （34）和/或围绕的表面层的连续的开放区域边缘结构（36）v 其中，从所述再结晶区域的表面层（36）远（38）用作抗蚀刻介质的蚀刻掩模通过蚀刻介质的装置在蚀刻步骤中的纹理（30）的再结晶区域（38）的包围ollständig，并除去（18），和 太阳能电池（70）。