Abstract:
The invention relates to a method for locally removing a surface layer (36) which is applied to a texture (30) of a textured substrate, wherein the texture (30) has a multiplicity of structure elements (32) with structure tips (34) and/or structure edges, having the steps of locally irradiating the texture (30) through the surface layer (36) by means of laser radiation which at least partially penetrates through the surface layer (36) and which is at least partially absorbed by the texture (30), the intensity of which laser radiation is set such that the texture (30) is locally melted by means of the laser radiation and subsequently recrystallized (16), wherein the surface layer (36) is locally opened in the region of the structure tips (34) and/or of the structure edges such that the openings around the structure tips (34) and/or the structure edges after the local irradiation of the texture (30) are completely surrounded by continuous, non-open regions of the surface layer (36), and removing (18) the recrystallized regions (38) of the texture (30) in an etching step by means of an etching medium, wherein the surface layer (36) outside the recrystallized regions (38) is used as an etching mask against the etching medium, and to a solar cell (70).
Abstract:
Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (70), bei welchem auf eine Rückseite eines Solarzellensubstrats (72) ein Schichtstapel (74, 76) dielektrischer Schichten (74, 76) aufgebracht wird (14, 16; 54, 56), der Schichtstapel (74, 75) erhitzt und während eines Zeitraums von wenigstens 5 Minuten auf Temperaturen von mindestens 700°C gehalten wird (20) sowie Solarzelle (70).
Abstract:
The invention concerns a solar cell (1) and a method for making same, said solar cell (1) comprising on its rear surface (3) both the emission contact (43) and the base contact (45), those two contacts (43, 45) being electrically isolated from each other by flanks (5) whereof the metal coating has been removed. The emitting zones (4) of the rear surface (3) of the cell are connected by channels to the transmitter (9) of the front face (8) of the cell. The emitting zones (4) of the rear surface (3) of the cell and the channels (7) consist of a laser. The metal coating of the side walls is removed by selective etching, said metal coating being removed only in the zone of the flanks (5) where the etching barrier layer (11) is insufficient.
Abstract:
The invention relates to a method for creating a two-stage doping in a semiconductor substrate (80), wherein in a doping area (89) to be provided with the two-stage doping (90, 92), dopant is diffused into the semiconductor substrate (80) by means of heavy diffusion (10) and in this way a high surface concentration of dopant is created, and after the heavy diffusion (10) the semiconductor substrate (80) is locally heated (12) in areas (91) of the two-stage doping (90, 92) to be doped more heavily and an oxide layer (88) is created (16) on the doping area (89).
Abstract:
The invention relates to a method for producing a double-sided light-sensitive solar cell (10). According to said invention, a semiconductor substance (11) whose rear face (13) is embodied in the form of web-shaped locally elevated structures (14) and line- or strip-shaped recesses (15, 16) is used. In addition, first and second contacts (22, 23) for collecting minority or majority charge carriers are disposed on one of two longitudinal sides (18, 19) of said recesses, respectively and not on the other longitudinal sides (20, 21) opposite to said recesses and/or on a plate (17).
Abstract:
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer beidseitig lichtempfindlichen Solarzelle (10) sowie eine solche selbst. Es wird vorgeschlagen, ein Halbleitersubstrat (11) zu verwenden, auf dessen Rückseite (13) lokal erhabene stegförmige Strukturen (14) und linien- oder bandförmige Vertiefungen (15, 16) erzeugt werden. Es wird weiterhin vorgeschlagen, dass auf jeweils nur einer der beiden Längswände dieser Vertiefungen (18, 19), nicht aber auf den jeweils gegenüberliegenden anderen Längswänden (20, 21) dieser Vertiefungen und/oder auf den Plateaus (17) sowohl erste als auch zweite Kontakte (22, 23) zum Sammeln von Minoritäts bzw. Majoritätsladungsträgern angebracht werden.
Abstract:
Verfahren zur Herstellung einer einseitig glattgeätzten Siliziumsolarzelle, bei welchem eine Vorderseite und eine Rückseite eines Siliziumsubstrats glattgeätzt werden (10), nachfolgend eine dielektrische Beschichtung auf der Rückseite des Siliziumsubstrats ausgebildet wird (14, 16) und nachfolgend die Vorderseite des Siliziumsubstrats mittels eines Texturätzmediums texturiert wird (20), wobei die auf der Rückseite des Siliziumsubstrats ausgebildete dielektrische Beschichtung als Ätzmaskierung gegenüber dem Texturätzmedium verwendet wird.
Abstract:
The invention relates to a method for producing a solar cell (70), wherein a layer stack (74, 76) of dielectric layers (74, 76) is applied (14, 16; 54, 56) to a back of a solar cell substrate (72) and the layer stack (74, 75) is heated and is held (20) at temperatures of at least 700°C during a time period of at least 5 minutes. The invention further relates to a solar cell (70).
Abstract:
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur chemischen Behandlung eines eine Unterseitenfläche 12, Oberseitenfläche 22 und Seitenflächen 14, 16, 18, 20 aufweisenden scheibenförmigen Substrats 10 durch Kontaktieren eines flüssigen chemisch wirksamen Prozessmediums 26 mit zumindest der Unterseitenfläche des Substrats, wobei das Substrat relativ zum Prozessmedium bei gleichzeitiger Ausbildung einer Tripellinie zwischen Substrat, dem Substratmedium und diese umgebender Atmosphäre bewegt wird. Um insbesondere in den Seitenflächen vorhandene Fehler chemisch zu entfernen, wird vorgeschlagen, dass die Relativbewegung unter Vermeidung eines Kontaktierens des Prozessmediums mit der Oberseitenfläche des Substrats durchgeführt wird, wobei die Tripellinie in Bezug auf die Relativbewegung zwischen dem Substrat und dem Prozessmedium auf gewünschter Höhe an prozessmediumströmungsseitig abgewandter Seitenfläche ausgebildet wird. Dabei kann die Atmosphäre in Bezug auf Partialdrücke von in dem Prozessmedium vorhandenen Komponenten derart eingestellt werden, dass die Oberseitenfläche hydrophobe Eigenschaften bewahrt.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (1) mit einem Halbleitersubstrat (2) vorgeschlagen, dessen elektrische Kontaktierung auf der Halbleitersubstratrückseite erfolgt. Die Halbleitersubstratrückseite weist lokal dotierte Bereiche (3) auf. Die danebenliegende Bereiche (4) weisen eine vom Bereich (3) unterschiedliche Dotierung auf. Damit das leitfähige Material (5) die Solarzelle nicht kurzschliesst, sind die beiden Bereiche (3,4) zumindest an deren Bereichsgrenzen (6) mit einer dünnen, elektrisch isolierenden Schicht (7) überzogen. Die beiden Bereiche (3,4) sind zunächst ganzflächig mit einem elekrisch leitfähigen Material (5) beschichtet. Die Trennung der elektrisch leitfähigen Schicht (5) erfolgt durch ganzflächiges Aufbringen einer Ätzbarrierenschicht (8), welche anschliessend maskierungsfrei und selektiv, z.B. durch Laserablation, lokal oberhalb der isolierenden Schicht (7), entfernt wird. Durch den anschliessenden Angriff einer Ätzlösung wird die leitfähige Schicht (5) im Bereich der Öffnungen (9) der Ätzbarrierenschicht (8) lokal entfernt.