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公开(公告)号：WO2004001853A3
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/FR0301965
申请日：2003-06-25
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NAT RECH SCIENT , GUEDJ CYRIL , ALVAREZ JOSE , BONNASSIEUX YVAN , KLEIDER JEAN-PAUL , MOUSSY NORBERT , ROCA I CABARROCAS PERE , TCHAKAROV SVETOSLAV
Inventor： GUEDJ CYRIL , ALVAREZ JOSE , BONNASSIEUX YVAN , KLEIDER JEAN-PAUL , MOUSSY NORBERT , ROCA I CABARROCAS PERE , TCHAKAROV SVETOSLAV
IPC: H01L27/146 , H01L31/103 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/14643 , H01L27/14665
Abstract: The invention relates to a collection of sensors embodied as an imager with a detector block made from a photosensitive material, an addressing block optionally for signal processing of signals coming from the sensor(s) and an interconnection block, located between the detector block and the addressing block, said block having connector points. The above is characterised in that the photosensitive material of the detection block contains polymorphic silicon. The invention further relates to a production method.
Abstract translation: 本发明涉及一种实现为具有由感光材料制成的检测器块的成像器的传感器的集合，可选地用于对来自传感器的信号进行信号处理的寻址块和位于检测器块和检测器块之间的互连块 寻址块，所述块具有连接点。 上述特征在于检测块的感光材料含有多晶硅。 本发明还涉及生产方法。
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公开(公告)号：WO2004081517A3
公开(公告)日：2005-05-06
申请号：PCT/FR2004050091
申请日：2004-03-03
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , GUEDJ CYRIL , MOUSSY NORBERT
Inventor： GUEDJ CYRIL , MOUSSY NORBERT
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L27/1465 , H01L27/14643 , H01L31/022408
Abstract: The invention relates a detecting pixel matrix and a photoelectric detector comprising a detecting pixel matrix and the circuit (17) of a reader of charges which are detected by the detecting pixel of said matrix. A detecting pixel comprises a photosensitive semiconductive area (22) consisting of a first face covered by a first electrode (26) and a second face which is oppositely arranged with respect to the first face and covered by a second electrode (20, 21). The first electrode (26) is provided with a metallic pattern capable of collecting electric charges generated by the detecting pixel. Said invention can be used, for example for producing sensors for scanners and photo cameras or for digital cameras or biosensors.
Abstract translation: 本发明涉及一种检测像素矩阵和光电检测器，其包括检测像素矩阵和由所述矩阵的检测像素检测的电荷读取器的电路（17）。 检测像素包括由被第一电极（26）覆盖的第一面和相对于第一面相对布置并被第二电极（20,21）覆盖的第二面组成的光敏半导体区域（22）。 第一电极（26）设置有能够收集由检测像素产生的电荷的金属图案。 所述发明可用于例如用于产生用于扫描仪和照相机的传感器，或用于数字照相机或生物传感器。
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3.发明申请POLYMORPHOUS MATERIALS, METHOD FOR PREPARING SAME, AND DEVICE COMPRISING SAME 审中-公开多晶材料，其制备方法和包含其的装置
公开(公告)号：WO2004097068A3
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/FR2004050163
申请日：2004-04-21
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NAT RECH SCIENT , GUEDJ CYRIL , ROCA I CABARROCAS PERE
Inventor： GUEDJ CYRIL , ROCA I CABARROCAS PERE
IPC: C23C16/22 , C23C16/30 , C23C16/505
Abstract: The invention concerns a polymorphous material of formula (I) SiXGeyCZXk: H, wherein: x is such that 0 = x, preferably 0 0; - x + y + z > 0; and X is selected among He, C, elements of the third column of the periodic table, such as B, Al, Ga, and In; elements of the fifth column of the periodic table, such as N, P, As, Sb; O; halides, such as F Cl, and Br; Ti; lanthanides and actinides; and mixtures thereof. Preferably, X is C. The invention also concerns a microelectronic, optoelectronic device, sensor or imager comprising said polymorphous material. The invention also concerns a method for preparing said material.
Abstract translation: 本发明涉及式（I）SiXGeyCZXk：H的多晶材料，其中：x为0 = x，优选0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2004001853A2
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：PCT/FR2003/001965
申请日：2003-06-25
Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , GUEDJ, Cyril , ALVAREZ, José , BONNASSIEUX, Yvan , KLEIDER, Jean-Paul , MOUSSY, Norbert , ROCA I CABARROCAS, Péré , TCHAKAROV, Svetoslav
Inventor： GUEDJ, Cyril , ALVAREZ, José , BONNASSIEUX, Yvan , KLEIDER, Jean-Paul , MOUSSY, Norbert , ROCA I CABARROCAS, Péré , TCHAKAROV, Svetoslav
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/14643 , H01L27/14665
Abstract: Ensemble de capteurs constitués en imageur ayant une brique de détection comportant un matériau photosensible, une brique d'adressage et éventuellement de traitement de signaux provenant du ou des capteurs, une brique d'interconnexion située entre la brique de détection et la brique d'adressage, cette brique comportant des plots de raccordement, caractérisé en ce que le matériau photosensible de la brique de détection contient du silicium polymorphe. L'invention concerne aussi un procédé de réalisation.
Abstract translation: 本发明涉及一种实现为具有由感光材料制成的检测器块的成像器的传感器的集合，可选地用于对来自传感器的信号进行信号处理的寻址块和位于检测器块和检测器块之间的互连块 寻址块，所述块具有连接点。 上述特征在于检测块的感光材料含有多晶硅。 本发明还涉及生产方法。
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5.发明申请SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH CRYSTALLINE SILICON CARBIDE ALLOYED WITH GERMANIUM 审中-公开用锗合金结晶碳化硅的半导体异质结构
公开(公告)号：WO0062331A9
公开(公告)日：2002-04-04
申请号：PCT/US0008671
申请日：2000-03-31
Applicant: UNIV DELAWARE , KOLODZEY JAMES , KATULKA GARY , GUEDJ CYRIL
Inventor： KOLODZEY JAMES , KATULKA GARY , GUEDJ CYRIL
IPC: H01L21/04 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L31/0312
CPC classification number: H01L21/0445 , H01L29/161 , H01L29/165
Abstract: A semiconductor heterostructure (a) is formed by mixing the elemental semiconductor germanium (Ge) with the compound semiconductor silicon carbide (SiC) to form an alloy of silicon carbide: germanium (SiC:Ge). The alloy (SiCGe) could be used alone or in multilayered structures with other semiconductors to improve the performance of electronic and optical devices and circuits.
Abstract translation: 通过将元素半导体锗（Ge）与化合物半导体碳化硅（SiC）混合以形成碳化硅：锗（SiC：Ge）的合金，形成半导体异质结构（a）。 合金（SiCGe）可以单独使用或与其他半导体的多层结构一起使用，以提高电子和光学器件和电路的性能。
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6.发明申请
公开(公告)号：WO2010031748A1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/EP2009/061897
申请日：2009-09-15
Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MARTINEZ, Eugénie , GUEDJ, Cyril
Inventor： MARTINEZ, Eugénie , GUEDJ, Cyril
IPC: G01N23/227
CPC classification number: G01N23/2273
Abstract: Procédé de caractérisation d'une couche diélectrique épaisse (3) par spectroscopique de photo-émission ultraviolette. Une tension continue (V) est appliquée pendant la mesure d'un seuil de photo-émission (Es) correspondant à une énergie de liaison maximale d'électrons émis par la couche. La mesure est répétée en faisant varier la tension continue de manière à instaurer des champs inférieurs à 107 V/cm à travers la couche (3). Le seuil de photo-émission est mesuré pour chaque valeur de la tension appliquée et le seuil de photo-émission à tension nulle est calculé par régression sur une droite regroupant les seuils de photo-émission mesurés en fonction de la racine carrée de la tension.
Abstract translation: 通过紫外光电子能谱法表征厚电介质膜（3）的方法。 在与由膜发射的电子的最大结合能相对应的光电子发射阈值（Es）的测量期间施加DC电压（V）。 通过改变直流电压来重复测量，以通过膜（3）建立小于107V / cm的场。 对施加电压的每个值测量光电开关阈值，并且通过在通过作为电压的平方根的函数测量的光电发射阈值的直线上的回归来计算零电压下的光电子发射阈值。
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7.发明申请MATERIAUX POLYMORPHES, LEUR PROCEDE DE PREPARATION, ET DISPOSITIF LES COMPRENANT 审中-公开多晶材料，其制备方法和包含其的装置
公开(公告)号：WO2004097068A2
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/FR2004/050163
申请日：2004-04-21
Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , GUEDJ, Cyril , ROCA I CABARROCAS, Pere
Inventor： GUEDJ, Cyril , ROCA I CABARROCAS, Pere
IPC: C23C16/505
Abstract: Matériau polymorphe de formule (I). Si X Ge y C Z X k : H (I) dans laquelle : - x est tel que 0 ≤ x, de préférence 0 0 ; - x + y + z > 0 ; - et X est choisi parmi He ; C ; les éléments de la troisième colonne de la classification périodique des éléments, tels que B, Al, Ga, et In ; les éléments de la cinquième colonne de la classification périodique des éléments, tels que N, P, As, Sb ; 0 ; les halogénures, tels que F, Cl, et Br ; Ti ; les lanthanides et actinides ; et les mélanges de ceux-ci. De préférence x est C. Dispositif microélectronique, optoélectronique, capteur ou imageur comprenant ledit matériau polymorphe. Procédé de préparation de ce matériau.
Abstract translation: 本发明涉及式（I）SiXGeyCZXk：H的多晶材料，其中：x为0 = x，优选0
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8.发明申请
公开(公告)号：WO2004081517A2
公开(公告)日：2004-09-23
申请号：PCT/FR2004/050091
申请日：2004-03-03
Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , GUEDJ, Cyril , MOUSSY, Norbert
Inventor： GUEDJ, Cyril , MOUSSY, Norbert
IPC: G01N
CPC classification number: H01L27/1465 , H01L27/14643 , H01L31/022408
Abstract: L'invention concerne une matrice de pixels détecteurs ainsi qu'un détecteur photoélectrique comprenant une matrice de pixels détecteurs et un circuit de lecture (17) des charges détectées par les pixels détecteurs de la matrice. Un pixel détecteur comprend une zone semi-conductrice photosensible (22) ayant une première face recouverte d'une première électrode (26) et une deuxième face située à l'opposé de la première face et recouverte d'une deuxième électrode (20 ; 21). La première électrode (26) comprend un motif métallique apte à collecter les charges électriques générées par le pixel détecteur. L'invention s'applique, par exemple, à la réalisation de capteurs utilisés dans les scanners et les appareils photographiques ou caméras numérique ou dans les biocapteurs.
Abstract translation: 本发明涉及一种检测像素矩阵和光电检测器，其包括检测像素矩阵和由所述矩阵的检测像素检测的电荷读取器的电路（17）。 检测像素包括由被第一电极（26）覆盖的第一面和相对于第一面相对布置并被第二电极（20,21）覆盖的第二面组成的光敏半导体区域（22）。 第一电极（26）设置有能够收集由检测像素产生的电荷的金属图案。 所述发明可用于例如用于产生用于扫描仪和照相机的传感器，或用于数字照相机或生物传感器。
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