公开(公告)号：WO2010130421A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：PCT/EP2010/002907

申请日：2010-05-11

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  GUTER, Wolfgang ,  DIMROTH, Frank ,  SCHÖNE, Jan

Inventor： GUTER, Wolfgang ,  DIMROTH, Frank ,  SCHÖNE, Jan

IPC: H01L31/068 ,  H01L33/04 ,  H01S5/183 ,  H01L29/885

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L29/885 ,  H01L31/0687 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/30 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3095 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiterbauteile, insbesondere Solarzellen aus III -V Verbindungshalbleitern, wie sie in terrestrischen PV Konzentratorsystemen oder zur elektrischen Energieversorgung in Satelliten eingesetzt werden. Sie findet jedoch auch Anwendung in anderen optoelektronischen Bauteilen, wie Laser und Leuchtdioden, wo entweder hohe Tunnel stromdichten nötig sind oder spezielle Materialien zum Einsatz kommen und wo eine Verspannung der Gesamtstruktur nicht erwünscht ist. Die erfindung besteht darin, Tunneldioden von Halbleiterbauteilen aus spannungskompensierten Halbleiterschichten zu bilden.

Abstract translation: 本发明涉及半导体器件，在由III-V族化合物半导体，例如那些在陆地PV聚集器系统或用于向卫星提供电力使用特定太阳能电池。 然而，也发现在其它光电子器件如激光器和发光二极管在需要的地方或高的隧道电流密度或特殊材料应用中使用，并且其中所述森林的菌株是不期望的。 本发明是提供半导体元件的隧道二极管从电压补偿的半导体层。