公开(公告)号：WO2014144998A3

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/US2014029632

申请日：2014-03-14

Applicant: PRAEVIUM RESEARACH INC ,  THORLABS INC

Inventor： JAYARAMAN VIJAYSEKHAR ,  BURGNER CHRISTOPHER ,  JOHN DEMIS ,  POTSAID BENJAMIN MICHAEL ,  CABLE ALEX EZRA

IPC: A61B6/00 ,  G01B9/02 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01S5/18366 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/3095

Abstract: A system for swept source optical coherence tomography, the system including a light source emitting multiplexed wavelength-swept radiation over a total wavelength range, the light source including N wavelength-swept vertical cavity lasers (VCL) emitting N tunable VCL outputs having N wavelength trajectories, a combiner for combining the N tunable VCL optical outputs into a common optical path to create the multiplexed wavelength-swept radiation, a splitter for splitting the multiplexed wavelength- swept radiation to a sample and a reference path, an optical detector for detecting an interference signal created by an optical interference between a reflection from the sample and light traversing the reference path, and a signal processing system which uses the interference signal to construct an image of the sample, wherein at least one of the N wavelength trajectories differs from another of the N wavelength trajectories with respect to at least one parameter.

Abstract translation: 一种用于扫描源光学相干断层扫描的系统，所述系统包括在整个波长范围上发射多路复用波长扫描辐射的光源，所述光源包括N个波长扫描垂直腔激光器（VCL），所述N个波长扫描垂直腔激光器发射N个可调谐VCL输出， 用于将N个可调谐VCL光输出组合成公共光路以产生多路复用波长扫描辐射的组合器，用于将复用波长扫描辐射分成样本和参考路径的分路器，用于检测干扰的光学检测器 由来自样本的反射和穿过参考路径的光之间的光学干涉产生的信号，以及使用干涉信号构建样本的图像的信号处理系统，其中N个波长轨迹中的至少一个不同于 相对于至少一个参数的N个波长轨迹。

公开(公告)号：WO2011069769A3

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：PCT/EP2010067271

申请日：2010-11-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRASSBURG MARTIN ,  LELL ALFRED

Inventor： STRASSBURG MARTIN ,  LELL ALFRED

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/4043 ,  H01S5/2068 ,  H01S5/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4087

Abstract: The invention relates to a laser diode assembly having a semiconductor substrate (2; 101; 201; 301; 72), at least two laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) each having one active zone (6, 12; 105, 109, 113; 207, 213; 307, 311; 76, 82, 88) and at least one translucent ohmic contact (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85). According to the invention, the laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) and the translucent ohmic contact (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) are grown up monolithically on the semiconductor substrate (2; 101; 201; 301; 72). The laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) are electrically conductively connected to each other by means of the translucent ohmic contact (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85). The laser diodes (26a, 26b, 27a, 27b; 36a, 36b, 37a, 37b; 46a, 46b, 47a, 47b; 66a, 66b, 67a, 67b; 94a, 94b, 95a, 95b, 96a, 96b) formed from the laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) have a two-dimensional structure.

Abstract translation: 它是一种激光二极管组件，包括： - 一个半导体基片（2; 101; 201; 301; 72）， - 至少两个激光叠层（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99 ），每个有源区（6,12; 105，109，113; 207，213; 307，311; 76，82，88），以及 - 至少一个透光性欧姆接触（9; 107，111; 204，210; 304 ，309; 79，85）。 激光堆（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99）和所述透光性欧姆接触（9; 107，111; 204，210; 304，309; 79，85 ）在半导体衬底（2; 101; 201; 301; 72）上单片生长。 激光堆（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98,99）（通过透光欧姆接触9; 107,111; 204，210; 304，309; 79， 85）以导电方式相互连接。 从激光叠层（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99）形成的激光二极管（26A，26B，27A，27B; 36A，36B，37A，37B; 46A， 46B，47A，47B; 66A，66B，67A，67B; 94A，94B，95A，95B，96A，96B）具有一个二维结构。

公开(公告)号：WO2010087948A2

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：PCT/US2010/000161

申请日：2010-01-22

Applicant: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF LLLINOIS ,  FENG, Milton ,  HOLONYAK, Nick, Jr. ,  WALTER, Gabriel ,  THEN, Han, Wui

Inventor： FENG, Milton ,  HOLONYAK, Nick, Jr. ,  WALTER, Gabriel ,  THEN, Han, Wui

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/06203 ,  H01S5/3095

Abstract: A method for producing light emission from a semiconductor device includes the following steps: providing a semiconductor base region disposed between a semiconductor emitter region and a semiconductor collector region that forms a tunnel junction adjacent the base region; providing, in the base region, a region exhibiting quantum size effects; providing an emitter terminal, a base terminal, and a collector terminal respectively coupled with the emitter region, the base region, and the collector region; and applying electrical signals with respect to the emitter terminal, the base terminal and the collector terminal to produce light emission from the base region.

Abstract translation: 一种用于从半导体器件产生发光的方法包括以下步骤：提供设置在半导体发射极区域和形成邻近基极区域的隧道结的半导体集电极区域之间的半导体基极区域; 在基区域中提供显示量子尺寸效应的区域; 提供分别与发射极区域，基极区域和集电极区域耦合的发射极端子，基极端子和集电极端子; 并且相对于发射极端子，基极端子和集电极端子施加电信号以产生从基极区域发出的光。

公开(公告)号：WO2009119172A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/JP2009/052335

申请日：2009-02-12

Applicant: 日本電気株式会社 ,  屋敷 健一郎 ,  辻 正芳 ,  阿南 隆由 ,  鈴木 尚文 ,  畠山 大 ,  深津 公良 ,  赤川 武志

Inventor： 屋敷 健一郎 ,  辻 正芳 ,  阿南 隆由 ,  鈴木 尚文 ,  畠山 大 ,  深津 公良 ,  赤川 武志

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/3095

Abstract: 　本発明に係る面発光レーザは、第１の反射鏡１０２と、複数の高屈折率層１２４と複数の低屈折率層１２３とが交互に積層された第２の反射鏡１０９と、第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０９の間に形成された活性層１０４及び電流狭窄構造とを備えた面発光レーザであって、複数の高屈折率層１２４及び複数の低屈折率層１２３のうちの少なくとも１層において、発光領域１２２ａと発光周辺領域１２２ｂとを構成する材料が異なり、発光周辺領域１２２ｂを構成する材料よりも発光領域１２２ａを構成する材料の方が、屈折率の温度に対する変化率が小さいことを特徴とするものである。

Abstract translation: 公开了一种表面发射层，其包括第一反射器（102），第二反射器（109），其中多个高折射率层（124）和多个低折射率层（123）交替布置 以及形成在第一反射器（102）和第二反射器（109）之间的有源层（104）和电流变窄结构。 表面发射层的特征在于，在高折射率层（124）中的至少一层中，发光区域周围的发光区域（122a）和周边区域（122b）由不同的材料制成， 低折射率层（123），构成发光区域（122a）的材料的温度变化比构成周边区域（122b）的材料的折射率变化小。

公开(公告)号：WO2009051664A2

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：PCT/US2008/011653

申请日：2008-10-10

Applicant: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS ,  HOLONYAK, Nick, Jr. ,  FENG, Milton ,  WALTER, Gabriel ,  JAMES, Adam

Inventor： HOLONYAK, Nick, Jr. ,  FENG, Milton ,  WALTER, Gabriel ,  JAMES, Adam

IPC: H01L33/00 ,  H01S3/094

CPC classification number: H01S5/06203 ,  H01S5/3095

Abstract: A two terminal semiconductor device for producing light emission in response to electrical signals, includes: a terminal-less semiconductor base region disposed between a semiconductor emitter region and a semiconductor collector region having a tunnel junction adjacent the base region; the base region having a region therein exhibiting quantum size effects; an emitter terminal and a collector terminal respectively coupled with the emitter region and the collector region; whereby application of the electrical signals with respect to the emitter and collector terminals, causes light emission from the base region. Application of the electrical signals is operative to reverse bias the tunnel junction. Holes generated at the tunnel junction recombine in the base region with electrons flowing into the base region, resulting in the light emission. The region exhibiting quantum size effects is operative to aid recombination.

Abstract translation: 用于响应于电信号产生光发射的两端半导体器件包括：无端子半导体基极区域，其布置在半导体发射极区域和半导体集电极区域之间，所述半导体集电极区域具有与基极相邻的隧道结 地区; 该基极区具有显示量子尺寸效应的区域; 发射极端子和集电极端子，分别与发射极区域和集电极区域耦合; 由此电信号相对于发射极和集电极端子的施加导致从基极区发射光。 电信号的施加用于反向偏置隧道结。 在隧道结处产生的孔在基极区域中重新结合，电子流入基极区域，导致发光。 显示量子尺寸效应的区域有助于重组。

公开(公告)号：WO2009047901A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：PCT/JP2008/002854

申请日：2008-10-09

Applicant: 日本電気株式会社 ,  阿南隆由 ,  鈴木尚文 ,  屋敷健一郎 ,  辻正芳 ,  畠山大 ,  深津公良 ,  赤川武志

Inventor： 阿南隆由 ,  鈴木尚文 ,  屋敷健一郎 ,  辻正芳 ,  畠山大 ,  深津公良 ,  赤川武志

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3211

Abstract: 　導電型の異なるｎ側ＤＢＲ１１およびｐ側ＤＢＲ１３、これらに挟まれ光学的共振器長がほぼ発振波長（λ）の半分であるλ／２光共振器部１２を有し、ｎ側ＤＢＲ１１およびｐ側ＤＢＲ１３のλ／４層が、それぞれ、高屈折率層１１２および高屈折率層１３２で構成され、λ／２光共振器部１２の中心に活性層１２１が配置されている面発光レーザであって、活性層１２１と高屈折率層１１２との間に設けられた低屈折率層１２２Ａと活性層１２１と高屈折率層１３２との設けられた低屈折率層１２２Ｂとが異なる半導体材料系で形成され、ΔＥｃ１４およびΔＥｖ１５が、いずれも２００ｍｅＶ以下である面発光レーザ。

Abstract translation: 平面发光激光器包括各自具有不同导电类型的n侧DBR（11）和p侧DBR（13）以及夹在这些DBR之间的π/ 2光谐振器部分（12） 并且具有相当于振荡波长（λ）的近一半的光学谐振器波长，其中n侧DBR（11）和p侧DBR（13）上的λ/ 4层中的每一个由高折射率 （112）和高折射率层（132），有源层（121）布置在λ/ 2光谐振器部分（12）的中心。 设置在有源层（121）和高折射率层（112）之间的低折射率层（122A）以及设置在有源层（121）和高折射率层之间的低折射率层（122B） 并且高折射率层（132）由不同的半导体材料基体形成，并且ΔEEc14和ΔEv15都为200meV以下。

公开(公告)号：WO2009039808A2

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001377

申请日：2008-08-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter

Inventor： BRICK, Peter

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/4043 ,  H01S5/0035 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/18 ,  H01S2301/206

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements (1) angegeben. Eine Abstrahlcharakteristik im Fernfeld wird vorgegeben. Aus der vorgegebenen Abstrahlcharakteristik wird ein Brechungsindexprofil für das strahlungsemittierende Bauelement (1) in einer senkrecht zu einer Hauptabstrahlungsrichtung des Bauelements verlaufenden Richtung ermittelt. Ein Aufbau für das Bauelement wird ermittelt, sodass das Bauelement das zuvor bestimmte Brechungsindexprofil aufweist. Das Bauelement (1) wird gemäß dem zuvor bestimmten Aufbau ausgebildet. Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.

Abstract translation: 提供了一种制造发射辐射的元件（1）的方法。 在远场中的辐射被设置。 从预定辐射图案，所述辐射发射元件（1）的折射率分布是在沿垂直于部件的方向的主发射方向确定。 被确定用于所述部件的结构，使得组件具有先前确定的折射率分布。 组分（1）被形成在按照预定的结构。 此外，发射辐射的元件被指定。

公开(公告)号：WO2008073846A2

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：PCT/US2007/086849

申请日：2007-12-07

Applicant: ARGOS TECH, LLC. ,  TROCCOLI, Mariano ,  HOFLER, Gloria, Emilia

Inventor： TROCCOLI, Mariano ,  HOFLER, Gloria, Emilia

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/3419 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3211 ,  H01S2301/173

Abstract: A bipolar quantum cascade (QC) laser includes a p-n junction disposed adjacent to an active/injection region of semiconductor layers. Systems that make use of such QC lasers and methods for manufacturing such QC lasers are also described.

Abstract translation: 双极量子级联（QC）激光器包括与半导体层的有源/注入区域相邻设置的p-n结。 也描述了利用这种QC激光器的系统和制造这种QC激光器的方法。

公开(公告)号：WO2008073469A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：PCT/US2007/025432

申请日：2007-12-11

Applicant: LUMENZ, LLC ,  ADEKORE, Bunmi

Inventor： ADEKORE, Bunmi

IPC: C25D9/00

CPC classification number: G02B6/12004 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/07 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/073 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/285 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/347 ,  H01S5/4093 ,  H01S5/423 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544

Abstract: Devices and methods of fabrication of ZnO based single and multi-junction photovoltaic cells are disclosed. ZnO based single and multi-junction photovoltaic cells, and other optoelectronic devices include p-type, n-type, and undoped materials Of Zn x A 1 - x O y B 1-y. wherein the alloy composition A and B, expressed by x and y, respectively, varies between 0 and 1. Alloy element A is selected from related elements including Mg, Be, Ca, Sr, Cd, and In and alloy element B is selected from a related elements including Te and Se. The selection of A, B, x and y, allows tuning of the material's band gap. The band gap of the material may be selected to range between approximately 1.4 eV and approximately 6.0 eV. Zn x A 1-x OyB 1-y based tunnel diodes may be formed and employed in Zn x A 1-x O y B 1-y based multi -junction photovoltaic devices. Zn x A 1-x O y B 1-y based single and multi-junction photovoltaic devices may also include transparent, conductive heterostructures and highly doped contacts to ZnO based substrates.

Abstract translation: 公开了基于ZnO的单结和多结光伏电池的制造方法和装置。 基于ZnO的单结和多结光伏电池以及其它光电子器件包括p型，n型和未掺杂的Zn x-x N 1 - 其中由x和y分别表示的合金组合物A和B在0和1之间变化。合金元素A 选自包括Mg，Be，Ca，Sr，Cd和In的相关元素，合金元素B选自包括Te和Se的相关元素。 选择A，B，x和y可以调整材料的带隙。 材料的带隙可以选择在约1.4eV和约6.0eV之间的范围内。 可以形成Zn xS a 1-x O y B 1-y基的隧道二极管，并用于Zn x A 基于1-x O 1的y-1基于多结的光电器件。 基于单结和多结的光电器件也可以是Zn x A 1 x 1-x O 1 B y 1 y y 包括透明的，导电的异质结构和对ZnO基衬底的高度掺杂的接触。

公开(公告)号：WO2007137175A3

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：PCT/US2007069268

申请日：2007-05-18

Applicant: FINISAR CORP ,  TATUM JIMMY A

Inventor： TATUM JIMMY A

IPC: H01S3/13

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/0617 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/3095

Abstract: Embodiments of the present invention provide a system for increasing an operational life of a VCSEL. The system can include control circuitry for reducing an amount of bias current at high temperatures and increasing a power of the laser at low temperatures. This control circuitry can further include at least one of a temperature sensor, a Field Programmable Gate Array, a read only memory module, and an electrically erasable programmable read only memory module (EEPROM). In alternate embodiments, the control circuitry can further include a lookup table that sets the bias current depending on a temperature of the laser. The laser can be part of an optoelectronic transceiver module which can include, by way of example and not limitation, SFP, XFP, X2, XAUI, XENPAK, XPAK, GBIC, 8G, 16G, and other optoelectronic modules.

Abstract translation: 本发明的实施例提供了一种用于增加VCSEL的使用寿命的系统。 该系统可以包括用于减少高温下的偏置电流量并且在低温下增加激光器的功率的控制电路。 该控制电路还可以包括温度传感器，现场可编程门阵列，只读存储器模块和电可擦除可编程只读存储器模块（EEPROM）中的至少一个。 在替代实施例中，控制电路还可以包括根据激光器的温度设置偏置电流的查找表。 激光器可以是光电收发器模块的一部分，其可以例如但不限于SFP，XFP，X2，XAUI，XENPAK，XPAK，GBIC，8G，16G等光电模块。