公开(公告)号：WO2017047011A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/JP2016/003914

申请日：2016-08-29

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 石崎　順也 ,  古屋　翔吾

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/62

Abstract: 本発明は、出発基板上に、出発基板と格子整合系の材料で第一半導体層、活性層、第二半導体層、緩衝層とを順次エピタキシャル成長により成長させて形成し、緩衝層の上に出発基板に対して非格子整合系の材料で窓層兼支持基板をエピタキシャル成長により形成し、出発基板を除去し、第一半導体層上に第一オーミック電極を形成し、第二半導体層、緩衝層もしくは窓層兼支持基板を露出させた除去部を一部に形成して段差を設け、除去部に第二オーミック電極を形成し、第一及び第二オーミック電極が形成された発光素子を分離して発光素子チップを作製し、発光素子チップの第一及び第二オーミック電極が形成された側が実装基板側となるようにして、実装基板にフリップ実装する発光素子の実装方法である。これにより、第一及び第二オーミック電極の段差が大きい場合であっても容易に発光素子チップの実装を行うことができる発光素子の実装方法が提供される。

Abstract translation: 本发明提供了一种安装发光元件的方法，包括：使用外延生长来生长并在起始衬底上依次使用材料形成第一半导体层，有源层，第二半导体层和缓冲层 与起始衬底晶格匹配; 使用外延生长在缓冲层上形成使用不与起始衬底晶格匹配的材料的窗口层/支撑衬底; 去除起始衬底; 在所述第一半导体层上形成第一欧姆电极; 形成露出所述第二半导体层，所述缓冲层或所述窗口层/支撑衬底的部分去除部分，以提供步骤; 在去除部分中形成第二欧姆电极; 通过分离其中形成有第一和第二欧姆电极的发光元件来制造发光元件芯片; 并且将发光元件芯片以安装基板的方式使得发光元件芯片的形成有第一和第二欧姆电极的一侧最靠近安装基板的方式将发光元件芯片翻转安装到安装基板上。 因此，本发明提供了一种安装发光元件的方法，即使在第一和第二欧姆电极之间存在大的台阶，也可以容易地安装发光元件芯片。

公开(公告)号：WO2017005492A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/EP2016/064454

申请日：2016-06-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WENDT, Mathias

IPC: C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  C04B37/04 ,  H01L33/00 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L24/29 ,  C03C27/08 ,  C04B37/003 ,  C04B37/005 ,  C04B37/006 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B37/04 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/30 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/086 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2933/0066

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden von zumindest zwei Komponenten (1, 2) mit den Schritten: A) Bereitstellen zumindest einer ersten Komponente (1) und einer zweiten Komponente (2), B) Aufbringen zumindest einer Spenderschicht (3) auf die erste und/oder die zweite Komponente (1, 2), wobei die Spenderschicht (3) mit Sauerstoff (31) angereichert ist, C) Aufbringen einer Metallschicht (4) auf die Spenderschicht (3), die erste oder die zweite Komponente (1, 2), D) Aufheizen zumindest der Metallschicht (4) auf eine erste Temperatur (T1), so dass die Metallschicht (4) aufgeschmolzen wird und die erste Komponente (1) und die zweite Komponente (2) miteinander verbunden werden, und E) Aufheizen der Anordnung auf eine zweite Temperatur (T2), so dass der Sauerstoff (31) aus der Spenderschicht (3) in die Metallschicht (4) übergeht und die Metallschicht (4) sich zu einer stabilen Metalloxidschicht (5) umwandelt, wobei die Metalloxidschicht (5) eine höhere Schmelztemperatur als die Metallschicht (4) aufweist, wobei zumindest die Spenderschicht (3) und die Metalloxidschicht (5) die erste Komponente (1) mit der zweiten Komponente (2) miteinander verbindet.

Abstract translation: 本发明涉及一种接合至少两个部件的方法（1,2），包括以下步骤：（1）和第二部件（2），B）施加至少一个供体层（3），以第一A）提供至少一个第一部件 和/或所述第二部件（1,2），所述施体层（3）富含氧（31），C）供体层（3）上施加金属层（4），所述第一或第二部件（1， 2）中，d）加热至少所述金属层（4）（到第一温度T1），使得金属层（4）被熔化，并且将第一构件（1）和所述第二部件（2）连接在一起，以及e） 将组件加热到一个第二温度（T2），使得从在所述金属层（4）的施体层（3）中的氧（31）通过与所述金属层（4）被转换成一个稳定的金属氧化物层（5），其中所述金属氧化物层 （5）较高的熔融温度比 金属层（4），其中，至少所述施体层（3）和金属氧化物层（5），第一部件（1）与第二构件（2）连接在一起。

公开(公告)号：WO2016156329A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/EP2016/056819

申请日：2016-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L21/568 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) umfasst einen Grundkörper mit einem Träger (3) und einer auf einer Oberseite (30) des Trägers (3) angeordneten Halbleiterschichtenfolge (1), die im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert. Ferner umfasst der Halbleiterchip (100) zwei auf der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnete und vom Träger (3) abgewandte Kontaktflächen (20, 21), über die die Halbleiterschichtenfolge (1) elektrisch kontaktierbar ist. Der Halbleiterchip (100) weist außerdem zwei Kontaktelemente (40, 41) auf, die auf den Kontaktflächen (20, 21) aufgebracht sind und mit diesen elektrisch leitend verbunden sind. Der Träger (3) des Grundkörpers umfasst quer zur Oberseite (30) verlaufende Seitenflächen (32) und eine der Oberseite (30) gegenüberliegende Unterseite (31). Die Kontaktelemente (40, 41) sind als Leiterbahnen ausgebildet, die ausgehend von den Kontaktflächen (20, 21) über Kanten des Grundkörpers bis auf die Seitenflächen (32) des Trägers (3) geführt sind.

Abstract translation: 的光电子半导体芯片（100）包括具有支撑件（3）和一个（3）上设置发射正常操作或吸收过程中电磁辐射的半导体层序列（1）在所述支撑件的上侧（30）的基体。 此外，半导体芯片（100）包括：（1）设置在半导体层序列和两个（3）从背离经由该半导体层序列（1）可以电接触的接触表面（20，21）的距离的载体。 半导体芯片（100）还具有两个接触元件（40，41），其被施加到接触表面（20,21）以及与这些导电相关联。 基体的支撑体（3）包括横向于延伸侧表面（32）和顶侧（30）的底部（31）相反的一个顶面（30）。 接触元件（40，41）被设计为导体轨迹，其从所述接触表面（20，21），在除了所述载体（3）的侧表面（32）的主体的边缘导致。

公开(公告)号：WO2016110415A1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：PCT/EP2015/081123

申请日：2015-12-23

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

Inventor： MUELLER, Gerd ,  MUELLER-MACH, Regina ,  SCHMIDT, Peter Josef ,  CHAMBERLIN, Danielle Russel ,  SHCHEKIN, Oleg Borisovich ,  BECHTEL, Hans-Helmut

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/30 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041

Abstract: In a method according to embodiments of the invention, for a predetermined amount of light produced by a light emitting diode and converted by a phosphor layer comprising a phosphor including a host material and a dopant, and for a predetermined maximum reduction in efficiency of the phosphor at increasing excitation density (i.e. maximum allowed droop), a maximum dopant concentration of the phosphor layer is selected.

Abstract translation: 在根据本发明的实施例的方法中，对于由发光二极管产生并由包括主体材料和掺杂剂的磷光体的荧光体层转换的预定量的光，并且为了预定的荧光体效率的最大降低 在增加的激发密度（即最大允许下垂）下，选择荧光体层的最大掺杂浓度。

公开(公告)号：WO2016080671A1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/KR2015/011473

申请日：2015-10-29

Applicant: 엘지이노텍 주식회사

Inventor： 이은형 ,  강유환 ,  김원호 ,  김태기 ,  노승원 ,  문효정 ,  전용한

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  H01L33/30 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016

Abstract: 실시예에 따른 발광소자는 적어도 2 이상의 발광영역으로 구분되는 전도성 반도체층; 상기 전도성 반도체층 상에 복수의 발광구조물; 상기 복수의 발광구조물 상에 전극층; 상기 전극층과 전기적으로 연결된 제 2 전극; 및 상기 전도성 반도체층과 전기적으로 연결된 제 1 전극을 포함하고, 상기 발광구조물은 라드 형상의 제 1 도전형 반도체층과, 상기 제 1 도전형 반도체층을 감싸는 활성층과, 상기 활성층을 감싸는 제 2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 발광구조물은 상기 전도성 반도체층 상면을 기준으로 연장방향을 달리하는 적어도 2 이상의 외면을 갖는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 根据实施例的发光器件包括：分成至少两个发光区域的导电半导体层; 在所述导电半导体层上的多个发光结构; 多个发光结构的电极层; 电连接到所述电极层的第二电极; 以及电连接到所述导电半导体层的第一电极，其中所述发光结构包括：杆状第一导电半导体层; 包含第一导电半导体层的有源层; 以及包围有源层的第二导电半导体层，并且发光结构具有至少两个外表面，其基于导电半导体层的上表面的延伸方向不同。

公开(公告)号：WO2016072050A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/JP2015/005211

申请日：2015-10-15

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 石崎　順也 ,  古屋　翔吾

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/306 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: 　本発明は、窓層兼支持基板と、前記窓層兼支持基板上に設けられ、第二導電型の第二半導体層と、活性層と、第一導電型の第一半導体層とをこの順に含む発光部とを有する発光素子において、前記発光素子は、前記発光部が除去された除去部と、前記除去部以外の非除去部と、該非除去部の前記第一半導体層上に設けられた第一オーミック電極と、前記除去部の前記窓層兼支持基板上に設けられた第二オーミック電極とを有し、前記第一半導体層表面及び前記発光部の側面の少なくとも一部は絶縁保護膜で被覆され、前記第一半導体層の外周部を除く表面及び前記窓層兼支持基板の表面が粗面化され、且つ、前記発光部側面のＲ ｚ が２μｍ未満であることを特徴とする発光素子である。これにより、リーク不良やＥＳＤ不良の発生が抑えられた発光素子及び発光素子の製造方法が提供される。

Abstract translation: 本发明是一种发光元件，其发光单元按照所述顺序包括窗口层/支撑基板，设置在窗口层/支撑基板上的第二导电型第二半导体层， 有源层和第一导电型第一半导体层，其中所述发光元件的特征在于：所述发光元件具有去除所述发光单元的去除部分，除去所述发光单元的未除去部分 设置在未去除部分的第一半导体层上的第一欧姆电极和设置在去除部分的窗口层/支撑基板上的第二欧姆电极; 第一半导体层的表面的至少一部分和发光单元的侧表面被绝缘保护膜覆盖; 除了外周部分以外的第一半导体层的表面和窗口层/支撑基板的表面被粗糙化; 发光单元的侧面的Rz小于2μm。 由此提供了一种发光元件和用于制造其中与泄漏或ESD相关的不利事件的发生率最小化的发光元件的方法。

公开(公告)号：WO2015194804A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/KR2015/005984

申请日：2015-06-15

Applicant: 엘지이노텍(주)

Inventor： 서재원 ,  최석범

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/46 ,  F21K9/232 ,  F21Y2115/10 ,  G02B6/0073 ,  H01L25/075 ,  H01L27/153 ,  H01L27/156 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

Abstract: 실시예는 기판; 상기 기판 상에 서로 이격되어 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층의 표면으로부터 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층의 일부까지 비아홀이 형성된 복수의 발광 셀; 상기 비아홀의 바닥면에서 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극층; 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 배치되는 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층과 제2 전극층을 전기적으로 분리하는 제1 패시베이션층을 포함하고, 상기 제1 전극층은 상기 발광 셀과 인접한 발광 셀의 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 발광소자를 제공하며, 복수의 발광 셀의 상부면 및 서로 이격 된 발광 셀 간의 기판 상에 형성된 제1 패시베이션층과 제1 전극층으로 인하여 발광 소자의 전면에서 광추출 효율을 개선하여 발광 효율을 높일 수 있다.

Abstract translation: 实施例提供一种发光元件，包括：基板; 多个在所述基板上间隔布置的发光单元，包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层，并且具有从所述第二导电半导体层的表面形成的通孔， 通过穿透有源层的第一导电半导体层; 在所述通孔的底侧与所述第一导电半导体层电连接的第一电极层; 设置在所述第二导电半导体层的上部的第二电极层; 以及第一钝化层，用于将第一电极层与第二电极层电分离，其中第一电极层电连接到与发光单元相邻的发光单元的第二电极层，并且由于第一钝化层 钝化层和形成在多个发光单元的上表面上的第一电极层和间隔在发光单元之间的基板上，可以提高发光元件的整个表面上的光提取效率， 从而提高发光效率。

公开(公告)号：WO2015163057A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/JP2015/058441

申请日：2015-03-20

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 渡部　義昭 ,  河角　孝行

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/50

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/30 ,  H01L33/325 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/2054 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/166

Abstract: 半導体光デバイスは、第１化合物半導体層３１、活性層３２及び第２化合物半導体層３２が積層されて成り、光を出射する第１端面２１、及び、第１端面２１と対向する第２端面２２を有するリッジストライプ構造部２０、並びに、リッジストライプ構造部２０の両側に位置するリッジストライプ隣接部４０の少なくとも一方に、第２端面側において隣接し、且つ、リッジストライプ構造部２０と離間して設けられた電流規制領域４１を備えており、電流規制領域４１の底面は活性層３３よりも下方に位置し、電流規制領域４１を除くリッジストライプ隣接部４０の頂面は活性層３３よりも上方に位置する。

Abstract translation: 该半导体光学元件设置有：通过层叠第一化合物半导体层（31），有源层（33）和第二化合物半导体层（32）而形成的脊条状结构部（20），其中 具有从其输出光的第一端面（21）和面向第一端面（21）的第二端面（22）。 以及与所述第二端面侧相邻的电流调节区域（41），位于所述脊条状结构部（20）的两侧的脊条相邻部（40）中的至少一个，以及 其通过与脊条结构部分（20）分离而提供。 电流调节区域（41）的底表面位于有源层（33）的下方，并且除了电流调节区域（41）之外，所述脊条相邻部分（40）的顶表面位于上表面 有源层（33）。

公开(公告)号：WO2015147334A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/060307

申请日：2015-03-25

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA

Inventor： UCHIDA, Takeshi ,  YOSHIOKA, Takeshi

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0045 ,  G01B9/02091 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38

Abstract: The present invention provides a light emitting device which emit light having a high-order level without increasing a current injection density to an active layer. A light emitting device according to the present invention includes an upper electrode layer, a lower electrode layer, and an active layer provided between them. In this case, light is emitted by injection of electric current to the active layer through the upper electrode layer and the lower electrode layer, the active layer has a plurality of quantum-confined structures, and a first quantum-confined structure has a ground level having an energy level E 0 and a high-order level having an energy level E 1 , and a second quantum-confined structure has an energy level E 2 which is higher than the E 0 , and the E 1 and the E 2 are substantially matched.

Abstract translation: 本发明提供了一种发光装置，其发射具有高阶电平的光，而不增加对有源层的电流注入密度。 根据本发明的发光器件包括上电极层，下电极层和设置在它们之间的有源层。 在这种情况下，通过上电极层和下电极层向有源层注入电流而发出光，活性层具有多个量子限制结构，第一量子限制结构具有地平面 具有能量级E0和具有能级E1的高阶级，并且第二量子限制结构具有高于E0的能级E2，并且E1和E2基本匹配。

公开(公告)号：WO2015127386A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：PCT/US2015/017143

申请日：2015-02-23

Applicant: TERAHERTZ DEVICE CORPORATION

Inventor： MILLER, Mark S.

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L24/05 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/04 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/487 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00014

Abstract: A device emitting mid-infrared light that comprises a semiconductor substrate of GaSb or closely related material. The device can also comprise epitaxial heterostructures of InAs, GaAs, AlSb, and related alloys forming light emitting structures cascaded by tunnel junctions. Further, the device can comprise light emission from the front, epitaxial side of the substrate.

Abstract translation: 发射中红外光的器件，其包括GaSb或密切相关材料的半导体衬底。 该器件还可以包括形成由隧道结级联的发光结构的InAs，GaAs，AlSb和相关合金的外延异质结构。 此外，该器件可以包括从衬底的前面，外延侧的发光。