公开(公告)号：WO2008145099A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：PCT/DE2008/000876

申请日：2008-05-23

Applicant: HELMHOLTZ ZENTRUM BERLIN FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH ,  FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  LEE, Kyuyoul ,  BERGHOLD, Juliane ,  BERGINSKI, Michael ,  GALL, Stefan ,  HÜPKES, Jürgen ,  MUSKE, Martin ,  RECH, Bernd

Inventor： LEE, Kyuyoul ,  BERGHOLD, Juliane ,  BERGINSKI, Michael ,  GALL, Stefan ,  HÜPKES, Jürgen ,  MUSKE, Martin ,  RECH, Bernd

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C03C17/34 ,  H01L31/18

CPC classification number: C23C14/086 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3607 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3668 ,  C03C17/3671 ,  C03C17/3678 ,  C03C17/3689 ,  C03C2217/944 ,  C03C2218/154 ,  C03C2218/322 ,  C03C2218/328 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5806 ,  C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  C23C28/322 ,  C23C28/323 ,  C23C28/345 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: Transparente leitfähige Oxidschichten (TCO) aus dotiertem Zinkoxid (ZnO:AI) werden beispielsweise im Bereich der Dünnschichtphotovoltaik eingesetzt und sollen eine möglichst hohe optische Transparenz und elektrische Leitfähigkeit aufweisen, die sich jedoch durch nachträgliche Temperaturbehandlungen signifikant verändern, wodurch der Einsatz der TCO-Schichten bislang limitiert ist. Bei der Erfindung ist deshalb eine TCO-Schicht aus dotiertem Zinkoxid (ZnO:AI) für einen Einbau in Schichtsysteme mit einer Prozessierung bei Temperaturen oberhalb einer Temperatur T P vorgesehen, bei der die ungeschützte TCO-Schicht Veränderungen ihrer optischen und elektrischen Eigenschaften zeigt, aufweisend eine transparente und leitfähige Schutzschicht (SS) auf ihrer für die Prozessierung vorgesehenen Oberfläche, erzeugbar durch eine Inkontaktbringung der TCO-Schicht mit einer zumindest ein Element (Si) der vierten Hauptgruppe enthaltenden Materialzusammensetzung und eine anschließende Erhitzung bei einer Temperatur T A unterhalb der Temperatur T P , bevor die TCO-Schicht der Prozessierung bei Temperaturen oberhalb der Temperatur T P ausgesetzt wird. Die vorliegende Erfindung ermöglicht also durch die Schutzschicht (SS) eine erhebliche Erweiterung des Anwendungsbereichs, insbesondere können nunmehr auch Dünnschicht- Solarzellen oder technische Gläser mit Oxidschichten (TCO) als Kontakt- oder Schutzschichten hergestellt werden.

Abstract translation: 透明导电氧化物掺杂的氧化锌（ZnO：Al）的的（TCO）被用于例如薄膜光伏领域以及在非常高的光学透明性和导电性都然而，显著变动，由于随后的温度处理，从而使用该TCO层的先前 是有限的。 （氧化锌：铝），因此，在本发明中，掺杂的氧化锌的TCO层旨在用于结合在与处理涂料体系的温度以上的温度TP在其中暴露的TCO层示出了它们的光学和电学性质的变化，其包括一个 可通过与所述第四主基的材料组合物中的至少一种元素（Si）和在温度TA低于温度TP之前随后的加热建立接触的TCO层来产生用于加工表面上其透明和导电性保护层（SS） 该处理的温度的温度TP上方的TCO层被挂起。 因此，本发明允许通过保护层（SS）具有相当大的延伸范围，特别是薄膜太阳能电池现在还或技术玻璃氧化物（TCO）如接触层或保护层可以制造。

公开(公告)号：WO2011026455A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：PCT/DE2010/000943

申请日：2010-08-07

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  BUNTE, Eerke ,  OWEN, Jorj ,  HÜPKES, Jürgen

Inventor： BUNTE, Eerke ,  OWEN, Jorj ,  HÜPKES, Jürgen

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/08 ,  H01L31/0236

CPC classification number: C23C14/5873 ,  C23C14/086 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von ZnO-Kontaktschichten für Solarzellen. Die Schichten werden mit Flusssäure geätzt, um eine Textur zu erzeugen.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氧化锌接触层的太阳能电池的方法。 这些层被蚀刻用氢氟酸，以生成纹理。

公开(公告)号：WO2005071131A2

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：PCT/DE2005/000059

申请日：2005-01-18

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  RECH, Bernd ,  HÜPKES, Jürgen ,  KLUTH, Oliver ,  MUELLER, Joachim

Inventor： RECH, Bernd ,  HÜPKES, Jürgen ,  KLUTH, Oliver ,  MUELLER, Joachim

IPC: C23C14/08

CPC classification number: C23C14/0042 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer leitfä­higen und transparenten Zinkoxidschicht auf einem Substrat durch reaktives Sputtern, wobei der Prozess einen Hysteresebereich auf­weist. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch die Schritte: es wird ein metallisches Zn Target mit einer Dotierung verwen­det, wobei der Dotiergehalt des Targets weniger als 2,3 at-% be­trägt, der Heizer für das Substrat wird so eingestellt, dass eine Sub­strattemperatur oberhalb von 200 °C eingestellt wird, es wird eine dynamische Depositionsrate von mehr als 50 nm*m/min eingestellt, welches einer statischen Depositionsrate von mehr als 190 nm/min entspricht, und es wird ein stabilisierter Arbeitspunkt innerhalb des instabilen Prozessbereich gewählt, der zwischen dem Umkehrpunkt zwischen stabilem, metallischen und instabilem Prozess und dem Wendepunkt der stabilisierten Prozesskurve liegt.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过反应性溅射在衬底上制造导电和透明氧化锌层的方法，该方法的滞后范围为＆lt; 该方法的特征在于以下步骤：使用具有掺杂的金属Zn靶，其中靶的掺杂含量小于2.3原子％，因此调节用于基板的加热器 一个子＆害羞;设置C，将有超过50纳米*米动态沉积速率/分钟设定，这对应于超过190纳米/分钟的静态沉积速率，并且它是一个稳定的工作点; strattemperatur高于200℃的 在不稳定的过程区域内，位于稳定的金属和不稳定的过程之间的反转点与稳定的过程曲线的拐点之间。