Abstract:
The present invention relates to a sputtering target, which comprises a zirconium oxide as a sputtering material, wherein the zirconium oxide -has an oxygen deficiency, compared to the oxygen content of its fully oxidized form, of at least 0.40 wt%, -has a total amount of metal elements other than zirconium of less than 3.0 wt%, based on the total amounts of metal elements including zirconium, and -has an X-ray powder diffraction pattern having a peak P1 at 28.2° +/-0.2° 2-theta, a peak P2 at 31.4° +/-0.2° 2-theta, and a peak P3 at 30.2° +/-0.2° 2-theta.
Abstract:
Es ist ein Sputtertarget zur Herstellung einer Licht absorbierenden Schicht be- kannt, das aus einem Target-Werkstoff besteht, der eine Oxidphase enthält und einen im Vergleich zur stöchiometrischen Zusammensetzung reduzierten Sauer stoffgehalt aufweist. Um davon ausgehend, ein Sputtertarget bereitzustellen, das eine elektrisch leitfähige Phase enthält und Aufladungen und Partikelbildung ver meidet, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass der Target-Werkstoff eine metallische Phase aus Molybdän (Mo-Phase) enthält, und dass die Oxidphase Zinkoxid (ZnO-Phase) und eine Mischoxidphase mit der Formel MNO n-x enthält, wobei M die Hauptkomponente Zink (Zn) repräsentiert, und N mindestens eine der Nebenkomponenten Niob (Nb) und/oder Titan (Ti), und wobei x größer als Null ist und n die Anzahl von Sauerstoffatomen der stöchiometrischen Zusam- mensetzung der Mischoxidphase bezeichnet.
Abstract:
The present invention relates to a sputtering target consisting of an alloy consisting of Co, Zr, Ta and, optionally, one or more further element(s) X from the group of Mo, Pd, Ni, Ti, V, W, and B, characterized in that the target has a maximum magnetic permeability µmax of 60 or lower and/or characterized in that the target has a maximum pass through flux (PTF) variation (FMax-FMin)/FAverage of 0.2 or lower, preferably of 0.15 or lower, and most preferably of 0.10 or lower.
Abstract:
The present invention relates to a sputtering target comprising a NiSi alloy comprising from 2 to 8 weight% Si, and to a process for forming said sputtering target.
Abstract:
Known cylindrical sputtering targets comprise a substrate and a target material that forms a layer on the substrate, said layer has a thickness d, wherein the target material comprises TiOx as the main component, and x is within a range of 1 2 it is proposed that x is within a range of 1.45
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Sputtertarget, umfassend eine Silberlegierung, die - ein erstes Element, ausgewählt aus Indium, Zinn, Antimon und Wismut,in einer Menge von 0,01-2 Gew%,bezogen auf das Gesamtgewicht der Silberlegierung, und - 0,01-2 Gew% Titan, bezogen auf das Gesamtgewicht der Silberlegierung, enthält, und - eine mittlere Korngröße von maximal 55 μm aufweist.
Abstract:
The present invention relates to a sputtering target consisting of an alloy consisting of Co, Zr, Ta and, optionally, one or more further element(s) X from the group of Mo, Pd, Ni, Ti, V, W, and B, characterized in that the target has a maximum magnetic permeability µmax of 60 or lower and/or characterized in that the target has a maximum pass through flux (PTF) variation (FMax-FMin)/FAverage of 0.2 or lower, preferably of 0.15 or lower, and most preferably of 0.10 or lower.