KÜHLVORRICHTUNG ZUM KÜHLEN EINES ELEKTRISCHEN BAUTEILS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER KÜHLVORRICHTUNG

    公开(公告)号:WO2019063251A1

    公开(公告)日:2019-04-04

    申请号:PCT/EP2018/073836

    申请日:2018-09-05

    Abstract: Die vorliegende Erfindung schlägt eine Kühlvorrichtung (1) zum Kühlen eines elektrischen Bauteils (4), insbesondere einer Laserdiode, vor umfassend: -ein Grundkörper (2) mit mindestens einer Außenseite (20) und mindestens einem integrierten Kühlkanal (5), insbesondere Mikrokühlkanal, -eine Anbindungsfläche (21) an der Außenseite (20) des Grundkörpers (2) zur Anbindung des elektrischen Bauteils (4) an den Grundkörper (2) und -eine erste Stabilisierungsschicht (11), wobei die erste Stabilisierungsschicht (11) und die Anbindungsfläche (21) entlang einer Primärrichtung (P) zumindest teilweise übereinander angeordnet sind, und wobei die erste Stabilisierungsschicht (11) gegenüber der Außenseite (20) ins Innere des Grundkörpers (2) um einen Abstand (A) entlang einer parallel zur Primärrichtung (P) verlaufenden Richtung versetzt ist.

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES METALL-KERAMIK-SUBSTRATS UND METALL-KERAMIK-SUBSTRAT HERGESTELLT MIT EINEM SOLCHEN VERFAHREN

    公开(公告)号:WO2022152788A1

    公开(公告)日:2022-07-21

    申请号:PCT/EP2022/050639

    申请日:2022-01-13

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats (1), umfassend: • - Bereitstellen einer Metallschicht (10) und eines Keramikelements (20), • - Ausbilden von mindestens einer ersten Aussparung (21) an einer ersten Seite (S1) der Metallschicht (10), und • - Verbinden der Metallschicht (10) und des Keramikelements (20), vorzugsweise mittels eines Lötverfahrens oder eines Direktanbindungsverfahrens, wobei das Keramikelement (20) an die erste Seite (S1) der Metallschicht (10) angebunden wird, wobei beim Ausbilden der mindestens einen ersten Aussparung (10) an einer der ersten Seite (S1) gegenüberliegenden zweiten Seite (S2) eine sich parallel zur Haupterstreckungsebene (HSE) erstreckende erste Restmetallteilschicht (31) übriggelassen wird, wobei die erste Restmetallteilschicht (31) nach dem Verbinden von Metallschicht (10) und Keramikschicht (20) zum Freilegen eines Isolationsgrabens zumindest bereichsweise entfernt wird, wobei ein Verhältnis der ersten Dicke (D1) der ersten Restmetallteilschicht (31) zur Dicke (D) der Metallschicht (10) größer als 0,1, bevorzugt größer als 0,25 und besonders bevorzugt größer als 0,4 oder sogar größer als 0,5 ist, um einem Durchbiegen des Metall- Keramik-Substrats (1) beim Verbinden der Metallschicht (10) und des Keramikelements (20) entgegenzuwirken.

    TRÄGERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TRÄGERSUBSTRATS

    公开(公告)号:WO2021219685A1

    公开(公告)日:2021-11-04

    申请号:PCT/EP2021/061054

    申请日:2021-04-28

    Abstract: Trägersubstrat (1), insbesondere ein Metall-Keramik-Substrat, als Träger für elektrische Bauteile, umfassend: - mindestens eine Metallschicht (10) und - ein Isolationselement (30), insbesondere ein Keramikelement, ein Glaselement, ein Glaskeramikelement und/oder ein hochtemperaturbeständiges Kunststoffelement, wobei sich die mindestens eine Metallschicht (10) und das Isolationselement (30) entlang einer Haupterstreckungsebene (HSE) erstrecken und entlang einer senkrecht zur Haupterstreckungsebene (HSE) verlaufenden Stapelrichtung (S) übereinander angeordnet sind, wobei im gefertigten Trägersubstrat (1) eine Bindungsschicht (12) zwischen der mindestens einen Metallschicht (10) und dem Isolationselement (30) ausgebildet ist, und wobei eine Haftvermittlerschicht (13) der Bindungsschicht (12) einen Flächenwiderstand aufweist der größer ist als 5 Ohm/sq, bevorzugt größer als 10 Ohm/sq und besonders bevorzugt größer als 20 Ohm/sq annimmt.

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