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公开(公告)号:WO2023279116A1
公开(公告)日:2023-01-05
申请号:PCT/US2022/073405
申请日:2022-07-04
申请人: SCHOTT CORPORATION , SCHOTT AG , SCHOTT JAPAN CORPORATION , MARRO, James , OKANO, Yoshio , AYRIKYAN, Azatuhi , PRESTON, William
IPC分类号: C03C3/062 , C23C14/06 , H01J37/34 , C03B25/00 , C03B5/235 , C03B23/025 , C23C14/22 , C23C14/34 , H01J37/32 , C03C3/321 , H01J37/3426 , H01J37/3491
摘要: The current disclosure relates to highly homogeneous glass sputter targets with a large aspect ratio and a high relative density. The glass sputter targets have properties that are desirable for forming thin films by physical vapor deposition processes such as sputtering. Methods for producing chalcogenide glass sputter targets are included.
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公开(公告)号:WO2023274558A1
公开(公告)日:2023-01-05
申请号:PCT/EP2021/068374
申请日:2021-07-02
IPC分类号: H01J37/34 , C23C14/34 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/3497
摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kühlen zumindest eines Sputtertargets (1), bei welchem ein Sputtertarget (1) an einem Targetträger (3) gehalten wird, und mittels eines Kühlkörpers (2) dem Targetträger (3) sowie dem Target Wärme entzogen wird und insbesondere mittels einer Wärmepumpe (4) der Targetträger (3) und insbesondere auch das Sputtertarget (1) auf eine Temperatur gekühlt wird, welche niedriger als die Temperatur des Kühlkörpers (2) ist und betrifft eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
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