公开(公告)号：WO2013001201A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：PCT/FR2012/051300

申请日：2012-06-11

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  SERVANT, Florence ,  BAILLEUX, Michel

Inventor： SERVANT, Florence ,  BAILLEUX, Michel

IPC: B28B1/24 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/64 ,  B22F3/225 ,  B22F2998/10 ,  B28B1/24 ,  C04B35/486 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/63408 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9615 ,  C04B2235/9661 ,  B22F1/0062 ,  B22F3/1017 ,  B22F9/04 ,  B22F9/08

Abstract: Ce procédé de fabrication d'un mélange-maître pour moulage de pièces colorées comprend les étapes suivantes : préparation d'un mélange comprenant une poudre inorganique, avantageusement céramique, et un colorant; soumission du mélange à une étape d'atomisation-séchage pour obtenir une poudre atomisée; soumission de ladite poudre atomisée à une étape de préfrittage; mélange de la poudre préfrittée à un liant organique, avantageusement polymérique, pour obtenir le mélange-maître.

Abstract translation: 用于制造用于模制着色部件的母料的该方法包括以下步骤：制备包含无机，有利的陶瓷粉末和染料的混合物; 使混合物进行雾化干燥步骤以获得雾化粉末; 使所述雾化粉末经受预烧结步骤; 将预烧结粉末与有机的，有利的聚合物粘合剂混合以获得母料。

公开(公告)号：WO2012093211A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：PCT/FR2011/052746

申请日：2011-11-24

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  SERVANT, Florence ,  TIQUET, Pascal

Inventor： SERVANT, Florence ,  TIQUET, Pascal

IPC: B22F3/22 ,  B22F3/20 ,  B22F1/00 ,  C04B35/48

CPC classification number: C08L23/06 ,  B22F1/0059 ,  B22F1/0077 ,  B22F3/20 ,  B22F3/225 ,  C04B35/48 ,  C08K5/01 ,  C08K5/06 ,  C08K5/09

Abstract: Le mélange-maître pour moulage comprend : • au moins une poudre inorganique, avantageusement céramique ou métallique; • un mélange organique, avantageusement polymérique, comprenant : - un polymère de tenue présentant de bonnes propriétés de ductilité, à hauteur de 30 à 90% en poids du mélange; - un lubrifiant, à hauteur de 5 à 50 % en poids du mélange; - un polymère plastifiant, à hauteur de 5 à 30% en poids du mélange; avec le rapport [% en poids du lubrifiant] / [% en poids du polymère de tenue] inférieur ou égal à 1, avantageusement strictement inférieur à 1.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于模塑的母料，包括至少一种无机粉末，有利的是陶瓷或金属粉末，以及有机混合物，有利的是聚合物混合物，其包括：具有高延展性的稳定聚合物，并且构成30至90重量％ 混合物; 构成混合物的5〜50重量％的润滑剂; 和构成混合物的5〜30重量％的增塑聚合物。 润滑剂的重量％/ [稳定聚合物的重量％]的比例小于或等于1，有利地严格小于1。

公开(公告)号：WO2008065270A3

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：PCT/FR2007001818

申请日：2007-11-02

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  SERVANT FLORENCE ,  CAMEL DENIS ,  DREVET BEATRICE

Inventor： SERVANT FLORENCE ,  CAMEL DENIS ,  DREVET BEATRICE

IPC: C01B33/037 ,  C30B11/14 ,  C30B29/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: C01B33/037 ,  C30B11/14 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The method is used to purify metallurgical silicon (3) by directional solidification to obtain solar or photovoltaic-grade silicon (6). A crystallization step uses at least one silicon seed (2), preferably of solar grade (6) or even microelectronic grade, having, for example, a purity that is substantially equal to or greater than a predetermined purity of the solar-grade silicon (6). The silicon seed (2) which covers the bottom of the crucible can come from a previous crystallization or be made up of a silicon wafer. The use of a textured single crystal or multi-crystal seed (2) enables the crystallographic orientation of the solar-grade silicon (6). A solid metallurgical silicon intermediate layer can be arranged on the silicon seed (2) and a metallurgical silicon load (3) is arranged on the intermediate layer.

Abstract translation: 该方法用于通过定向凝固纯化冶金硅（3）以获得太阳能或光伏级硅（6）。 结晶步骤使用具有例如基本等于或大于太阳能级硅的预定纯度的纯度的至少一个硅籽晶（2），优选太阳能级（6）或甚至微电子级， 6）。 覆盖坩埚底部的硅晶种（2）可以来自先前的结晶或由硅晶片构成。 使用带纹理的单晶或多晶种子（2）可以实现太阳能级硅（6）的晶体取向。 可以在硅籽晶（2）上布置固体冶金硅中间层，并且在中间层上布置冶金硅负载（3）。

公开(公告)号：WO2012049300A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：PCT/EP2011/068007

申请日：2011-10-14

Applicant: INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE ,  COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  UNIVERSITE JOSEPH FOURIER ,  LEBRUN, Jean-Marie ,  MISSIEN, Jean-Michel ,  PASCAL, Céline ,  GARANDET, Jean-Paul ,  SERVANT, Florence

Inventor： LEBRUN, Jean-Marie ,  MISSIEN, Jean-Michel ,  PASCAL, Céline ,  GARANDET, Jean-Paul ,  SERVANT, Florence

IPC: B22F3/10 ,  C01B33/037 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

CPC classification number: C03B32/00 ,  C01B33/037 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: Procédé de frittage de silicium, sans ajout d'une force extérieure, comportant un positionnement d'un échantillon de silicium dans un four puis un traitement thermique de cet échantillon à au moins une température et au moins une pression partielle d'espèces oxydantes pour contrôler l'épaisseur d'une couche d'oxyde de silicium à sa surface.

Abstract translation: 本发明涉及硅烧结工艺，其中没有外加力，其包括将硅样品定位在炉中，然后至少在一定温度和至少一氧化物质的分压下对该样品进行热处理，以便 控制其表面上的氧化硅层的厚度。

公开(公告)号：WO2008065270A2

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：PCT/FR2007/001818

申请日：2007-11-02

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  SERVANT, Florence ,  CAMEL, Denis ,  DREVET, Béatrice

Inventor： SERVANT, Florence ,  CAMEL, Denis ,  DREVET, Béatrice

CPC classification number: C01B33/037 ,  C30B11/14 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Le procédé permet de purifier du silicium métallurgique (3) par solidification dirigée pour obtenir un silicium de qualité solaire ou photovoltaïque (6). Une étape de cristallisation utilise au moins un germe (2) de silicium, de préférence de qualité solaire (6) voire microélectronique, ayant par exemple une pureté sensiblement égale ou supérieure à une pureté prédéterminée du silicium de qualité solaire (6). Le germe (2) de silicium qui tapisse le fond du creuset peut être issu d'une précédente cristallisation ou constitué par une plaquette de silicium. L'utilisation d'un germe (2) monocristallin ou multicristallin texture permet l'orientation cristallographique du silicium de qualité solaire (6). Une couche intermédiaire de silicium métallurgique solide peut être disposée sur le germe (2) de silicium et une charge de silicium métallurgique (3) est disposée sur la couche intermédiaire.

Abstract translation: 该方法用于通过定向凝固纯化冶金硅（3）以获得太阳能或光伏级硅（6）。 结晶步骤使用至少一种硅种子（2），优选太阳能级（6）或甚至微电子级，具有例如基本上等于或大于太阳能级硅的预定纯度的纯度（ 6）。 覆盖坩埚底部的硅晶粒（2）可以来自先前的结晶，或由硅晶片组成。 使用纹理单晶或多晶种子（2）可以使太阳能级硅晶体取向（6）。 可以在硅晶种（2）上设置固体冶金硅中间层，并在中间层上设置冶金硅负载（3）。