公开(公告)号：WO2006121843A2

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：PCT/US2006/017385

申请日：2006-05-05

Applicant: KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION ,  VELIDANDLA, Vamsi ,  SOMANCHI, Anoop ,  SOETARMAN, Ronny ,  MEEKS, Steven, W.

Inventor： VELIDANDLA, Vamsi ,  SOMANCHI, Anoop ,  SOETARMAN, Ronny ,  MEEKS, Steven, W.

IPC: G01N21/88

CPC classification number: G01N21/94 ,  G01B11/303 ,  G01B11/306 ,  G01N21/21 ,  G01N21/211 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G01N2021/556 ,  H01L22/12

Abstract: In one embodiment, a system (110) to inspect an edge region of a wafer (122), comprises a surface analyzer assembly comprising a radiation targeting assembly that targets a radiation beam onto a surface of the wafer (122); a reflected radiation collection assembly to collect radiation reflected from a surface of the wafer (122); means for rotating the surface analyzer assembly about an edge surface (126) of the wafer (122); and means for detecting one or more defects in the edge region of the wafer.

Abstract translation: 在一个实施例中，检查晶片（122）的边缘区域的系统（110）包括表面分析器组件，其包括将辐射束对准在晶片（122）的表面上的辐射瞄准组件; 用于收集从晶片（122）的表面反射的辐射的反射辐射收集组件; 用于使表面分析器组件围绕晶片（122）的边缘表面（126）旋转的装置; 以及用于检测晶片边缘区域中的一个或多个缺陷的装置。

公开(公告)号：WO2006121843A3

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：PCT/US2006017385

申请日：2006-05-05

Applicant: KLA TENCOR TECH CORP ,  VELIDANDLA VAMSI ,  SOMANCHI ANOOP ,  SOETARMAN RONNY ,  MEEKS STEVEN W

Inventor： VELIDANDLA VAMSI ,  SOMANCHI ANOOP ,  SOETARMAN RONNY ,  MEEKS STEVEN W

IPC: G01N21/88

CPC classification number: G01N21/94 ,  G01B11/303 ,  G01B11/306 ,  G01N21/21 ,  G01N21/211 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G01N2021/556 ,  H01L22/12

Abstract: In one embodiment, a system (110) to inspect an edge region of a wafer (122), comprises a surface analyzer assembly comprising a radiation targeting assembly that targets a radiation beam onto a surface of the wafer (122); a reflected radiation collection assembly to collect radiation reflected from a surface of the wafer (122); means for rotating the surface analyzer assembly about an edge surface (126) of the wafer (122); and means for detecting one or more defects in the edge region of the wafer.

Abstract translation: 在一个实施例中，检查晶片（122）的边缘区域的系统（110）包括表面分析器组件，其包括将辐射束对准在晶片（122）的表面上的辐射瞄准组件; 用于收集从晶片（122）的表面反射的辐射的反射辐射收集组件; 用于使表面分析器组件围绕晶片（122）的边缘表面（126）旋转的装置; 以及用于检测晶片边缘区域中的一个或多个缺陷的装置。