Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Trimmen der Lichtempfindlichkeit von in einem Wafer-basierten Halbeiterprozess gefertigten Fototransistoren, die jeweils einen rückseitigen Kollektor, eine in den Kollektor eingebettete Basis (13), einen in die Basis eingebetteten Emitter (15) und eine vorderseitige Metallisierung, die wenigstens ein Bond-Pad (19) für den Emitter und insbesondere eine Trimming-Struktur (25) umfasst, aufweisen, wobei die von der Metallisierung bedeckten Bereiche der Vorderseite eine lichtunempfindliche Fläche des jeweiligen Fototransistors und die metallfreien Bereiche der Vorderseite eine lichtempfindliche Fläche des jeweiligen Fototransistors definieren, wobei das Verfahren die Schritte umfasst: Messen des Kollektor-Emitter-Stroms der Fototransistoren, und Ändern, insbesondere Erhöhen, der Größe der lichtempfindlichen Fläche durch Ändern der Größe der durch die Metallisierung bedeckten Fläche, insbesondere durch Entfernen zumindest eines Teils der Trimming-Struktur, in Abhängigkeit von dem gemessenen Kollektor-Emitter-Strom.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Einheit mit zumindest einem ersten elektronischen Bauteil und einem zweiten elektronischen Bauteil, die auf einem Substrat befestigt sind. Zwischen dem ersten und dem zweiten elektronischen Bauteil ist eine Abschirmung angeordnet, die eine aus einer durch das Substrat definierten Ebene ragende oder sich von dessen Oberfläche erstreckende und als Abschirmung fungierende Erhebung umfasst, die einstückig mit dem Substrat ausgebildet ist.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Fotodiode mit einem Schichtaufbau, welcher eine frontseitige erste Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, in welche die erste Halbleiterschicht eingebettet ist, und eine daran anschließende rückseitige dritte Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer im Vergleich zu der zweiten Halbleiterschicht höheren Dotierungskonzentration aufweist, wobei die erste und die zweite Halbleiterschicht einen p-n-Übergang und die dritte Halbleiterschicht ein Rückseitenfeld definieren, und wobei das Verhältnis der Dicke der dritten Halbleiterschicht zu der Dicke des Schichtaufbaus nicht mehr als 0,25 beträgt. Das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Substratscheibe aus einem Halbleitermaterial, Herstellen einer Schichtfolge mit einem ersten, zweiten und dritten Halbleiterbereich auf und/oder in der Substratscheibe, wobei der erste und der zweite Halbleiterbereich die erste und die zweite Halbleiterschicht bilden, und teilweises Abtragen der Schichtfolge von der Rückseite der Substratscheibe her, bis der dritte Halbleiterbereich auf die Dicke der dritten Halbleiterschicht zurückgebildet ist.
Abstract:
Ein Strahlungssensor hat ein Substrat, darauf einen strahlungsempfindlichen Chip, einen an die Chip-Seitenflächenangefügten und den Chip umgebenden strahlungsundurchlässigen Rahmen, und eine strahlungsdurchlässigen Schicht über dem Chip. Der Rahmen ragt über einen wesentlichen Teil seines Innenumfangs hinweg nicht oder nicht wesentlich über die Oberkante des Chips. Die strahlungsdurchlässige Schicht steht in seitlicher Richtung über den Chip über und liegt auf dem Rahmen auf oder darüber.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Einheit mit zumindest einem auf einem Substrat befestigten elektronischen Bauteil, wobei das elektronische Bauteil (14) in einer ersten Ausnehmung des Substrats (12) angeordnet ist. Es ist ein elektrisch leitendes Kontaktelement (26), insbesondere ein Draht vorgesehen, das eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem elektronischen Bauteil (14) und einer an einem Bodenabschnitt (24) einer zweiten Ausnehmung (18) angeordneten Kontaktstelle herstellt.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Infrarot-Empfängerschaltung zum Empfangen eines trägermodulierten Infrarotsignals, das ein Trägersignal und ein auf das Trägersignal aufmoduliertes Nutzsignal umfasst, mit einem Bandpassfilter, der einen Frequenzeinstellanschluss aufweist, über den die Band-Mittenfrequenz des Bandpassfilters einstellbar ist, ferner mit einem Demodulator zur Rückgewinnung des Nutzsignals, und mit einem Signalausgang, an dem das demodulierte Nutzsignal ausgebbar ist. Die Infrarot- Empfängerschaltung weist einen Signaleingang auf, der zumindest indirekt mit dem Frequenzeinstellanschluss des Bandpassfilters verbunden ist, so dass die Band-Mittenfrequenz des Bandpassfilters durch ein Taktsignal eines externen Taktgebers einstellbar ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Versorgung einer Photodiode (PD) mit einer Vorspannung. Die Schaltungsanordnung besitzt einen ersten Spannungsversorgungsanschluss (VCC) zum Anschliessen eines ersten Pols einer Spannungsquelle und einen zweiten Spannungsversorgungsanschluss (GND) zum Anschliessen eines zweiten Pols der Spannungsquelle, wobei der erste Spannungsversorgungsanschluss mit einem ersten Anschluss der Photodiode verbunden ist und der zweite Spannungsversorgungsanschluss mit einem zweiten Anschluss der Photodiode verbunden ist. Zwischen den ersten Spannungsversorgungsanschluss und den ersten Anschluss der Photodiode ist eine erste Stromsteuereinrichtung (M1) mit einem Steuereingang geschaltet, der in einer Tiefpassanordnung (C1, R3) mit dem ersten Anschluss der Photodiode verbunden ist.
Abstract:
Ein photoempfindlicher Transistor hat ein Halbleitersubstrat (10) des ersten Leitfähigkeitstyps als eine Kollektorschicht, darüber eine geringer dotierte Schicht (11) des ersten Leitfähigkeitstyps mit Bereichen unterschiedlicher Dicke, eine Halbleiter-Basisschicht (12) des zweiten Leitfähigkeitstyps über mindestens Teilen der Bereiche der geringer dotierten Schicht (11), und eine Emitterschicht (13) des ersten Leitfähigkeitstyps über mindestens Teilen der Basisschicht (12), aber nicht über mindestens einem Teil des über dem dünneren Bereich der geringer dotierten Schicht (11) liegenden Teils der Basisschicht (12).
Abstract:
Es wird eine optoelektronische Vorrichtung vorgeschlagen, insbesondere eine optoelektronische Sensorvorrichtung, mit einer Trägereinrichtung (12), die an einer Oberseite wenigstens einen optoelektronischen Sender (40) und wenigstens einen optoelektronischen Empfänger (42) aufweist; wenigstens einem ersten optischen Element (14), einem zweiten optischen Element (16) und einem dritten optischen Element (20), die in einer Schichtanordnung oberhalb der Trägereinrichtung (12) angeordnet sind, wobei das zweite optische Element (16) oberhalb des ersten optischen Elements (14) angeordnet ist und das dritte optische Element (20) oberhalb des zweiten optischen Elements (16) angeordnet ist, und wobei jedes der wenigstens drei optischen Elemente ein Linsenelement, ein Aperturelement oder ein Filterelement umfasst; und einer Halteeinrichtung (18, 20), die wenigstens das erste optische Element (14) und das zweite optische Element (16) relativ zu der Trägereinrichtung (12) hält und teilweise umgibt, wobei die Halteeinrichtung (18, 20) ferner entweder das dritte optische Element (20) relativ zu der Trägereinrichtung hält und teilweise umgibt, oder das dritte optische Element bildet. Die Vorrichtung hat nach Art eines Baukastensystems einen modularen Aufbau, bei dem die Vorrichtung aus verschiedenen separaten Komponenten zusammengesetzt ist. Durch den modularen Aufbau können die optischen Eigenschaften auf einfache Art und Weise festgelegt werden.
Abstract:
Es wird eine optoelektronische Vorrichtung vorgeschlagen mit einer Trägereinrichtung (12), die an einer Oberseite wenigstens einen optoelektronischen Sender (40) und/oder wenigstens einen optoelektronischen Empfänger (42) aufweist; einem Linsenelement (16), das oberhalb der Trägereinrichtung vorgesehen ist und wenigstens einen Linsenabschnitt (68) für den wenigstens einen optoelektronischen Sender und/oder den wenigstens einen optoelektronischen Empfänger aufweist; und einer Halteeinrichtung (18, 20), welche die Trägereinrichtung (12) und das Linsenelement (16) teilweise umgibt. Das Linsenelement weist einen mechanischen Kodierabschnitt (60) auf, der aus der Halteeinrichtung herausragt und der wenigstens ein Kodierelement zur Identifizierung der optoelektronischen Vorrichtung aufweist. Dadurch kann die Verwechslungsgefahr zwischen zwei unterschiedlichen Vorrichtungstypen und das Risiko einer Fehlmontage minimiert werden.