公开(公告)号：WO2023279794A1

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：PCT/CN2022/086201

申请日：2022-04-12

Applicant: 南京芯干线科技有限公司

Inventor： 傅玥 ,  孔令涛

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/49 ,  H01L25/16

Abstract: 提供了一种开关功率器件（10），其特征在于，包括：器件框架（11），在所述器件框架（11）上形成有门极（20）、开尔文源极（30）和漏极（40）；所述门极（20）和开尔文源极（30）设置在所述器件框架（11）的其中一端，所述漏极（40）设置在器件框架（11）的另一端；所述门极（20）和开尔文源极（30）均设置有两个；所述器件框架（11）的其中一端依次设置有所述门极（20）、开尔文源极（30）、开尔文源极（30）和门极（20），以形成对称式管脚结构。使用对称门极设计，就开关功率器件本身而言，让其内部发热更加均衡，提升芯片承受电流的能力的同时带来更好的可靠性。

公开(公告)号：WO2023272450A1

公开(公告)日：2023-01-05

申请号：PCT/CN2021/102831

申请日：2021-06-28

Applicant: 欧菲光集团股份有限公司 ,  江西晶浩光学有限公司

Inventor： 刘燕妮

IPC: H01L23/49 ,  H04N5/225 ,  H01L27/146

Abstract: 一种芯片封装结构、摄像头模组及电子设备，芯片封装结构包括芯片（10）、基板（20）、多个金手指（30）和第一金线（41），芯片（10）安装在基板（20）上，多个金手指（30）间隔设置在基板（20）上，并位于芯片（10）的至少一侧，第一金线（41）包括相背的第一连接部（411）和第二连接部（412），以及位于第一连接部（411）和第二连接部（412）之间的中间部（413），第一连接部（411）连接一金手指（30），第二连接部（412）连接另一金手指（30），中间部（413）朝向远离基板（20）的方向拱起。通过采用金线连接两个不同的金手指（30）的布线方式，当连接线需要交叉设置时，采用第一金线（41）可以跨过设置于基板（20）表面的引线而不需要钻孔，节省了布线空间，有利于缩小线路板的尺寸，同时通过减少钻孔的数量，有利于减薄线路板的厚度，实现模组的小型化和轻薄化。

公开(公告)号：WO2022188859A1

公开(公告)日：2022-09-15

申请号：PCT/CN2022/080331

申请日：2022-03-11

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王美丽 ,  梁轩 ,  王飞 ,  王磊 ,  杨亚锋 ,  董学 ,  曹占锋 ,  王明星 ,  李付强 ,  张晨阳 ,  赵欣欣 ,  韩艳玲 ,  王雷 ,  冯煊 ,  李亚鹏

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18 ,  H01L25/16 ,  H01L33/62 ,  B81C3/00 ,  B81B7/00

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底；设置于所述衬底的芯片，所述芯片包括芯片主体和设置于所述芯片主体上的多个端子；设置于所述衬底的端子扩展层，所述端子扩展层包括导电材料，其中，所述端子扩展层和至少一个端子位于所述芯片主体的同一侧，所述半导体装置还包括位于所述端子扩展层中的多个扩展走线，所述多个扩展走线分别与所述多个端子电连接，用于引出所述多个端子；以及至少一个扩展走线在所述衬底上的正投影完全覆盖与该扩展走线电连接的端子在所述衬底上的正投影。

公开(公告)号：WO2022027990A1

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：PCT/CN2021/085361

申请日：2021-04-02

Applicant: 武汉电信器件有限公司 ,  武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 梅雪 ,  宋旭宇 ,  朱虎 ,  汤学胜

IPC: H01L23/49 ,  H04B10/60 ,  G02B6/42

Abstract: 一种光接收器件及其制造方法。光接收器件包括电路板（1）、PD组件（2）、SOA组件（3）、键合桥节架组件（4）以及金丝组（5）。PD组件（2）包括PD芯片（21）和第一透镜组（22），SOA组件（3）包括SOA芯片（31）、第二透镜组（32）以及制冷器（33）。键合桥节架组件（4）设置在电路板（1）与SOA组件（3）之间。金丝组（5）布置在光接收器件的上部，用于实现SOA组件（3）与电路板（1）之间的电连接。入射光依次经过SOA芯片（31）、第二透镜组（32）以及第一透镜组（22）传递给PD芯片（21），PD芯片（21）配置为将光信号转换为电信号。通过集成SOA组件（3），以提高信息传输的距离，同时将金丝组（5）布置在光接收器件的上部空间内，不改变其侧向的尺寸，从而不会影响金丝键合工艺的正常进行，因而提高了集成SOA组件（3）的光接收器件的成品率。

公开(公告)号：WO2022026078A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：PCT/US2021/038033

申请日：2021-06-18

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： KANG, Kuiwon ,  KIM, Michelle Yejin ,  BUOT, Joan Rey Villarba ,  TONG, Jialing

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48

Abstract: An integrated circuit package has at least two stacked IC dies (204, 206), where a first IC die (204) couples to a metallization structure directly through solder balls (220) and a second IC die (206) stacked on top of the first die (204) connects to the metallization structure through wire bond connections (228(1)-228(X)). The IC dies (204,206) are electrically coupled to one another through an interior metal layer (210(1)) of the metallization structure. Vias (212) are used to couple to the interior metal layer (210(1)). Optionally a third wire bonded IC die may be stacked on the second IC die (206) and electrically coupled to the first IC die through the interior metal layer (210(1))

公开(公告)号：WO2021254922A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/EP2021/065875

申请日：2021-06-14

Applicant: HERAEUS NEXENSOS GMBH

Inventor： MUZIOL, Matthias ,  BLEIFUSS, Martin

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01R4/02 ,  H01R43/02 ,  H01L2224/45026 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/78252 ,  H01L2224/78315 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/8584 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01R4/023 ,  H01R43/0207

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Elektroelement aufweisend mindestens einen Funktionsbereich und eine Kontaktfläche (120), wobei auf der Kontaktfläche (120) ein Verbindungselement angeordnet ist, wobei das Verbindungselement eine mit Sintermaterial beschichtete Litze (180) umfasst, wobei die Litze durch ein Sintermaterial mit der Kontaktfläche verbunden, insbesondere versintert, ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Elektroelements, mittels eines beheizten Stempels (130), der eine Vertiefung mit einer Öffnung aufweist wobei die Vertiefung im Stempel (130) die beschichtete Litze (180) beim Verbinden partiell aufnimmt und wobei die Öffnung der Vertiefung größer ist als der Durchmesser der beschichteten Litze (180), sodass die beschichtete Litze (180) beim Drucksintern in die Vertiefung im Stempel auf die Kontaktfläche (120) gepresst wird.

公开(公告)号：WO2020192284A1

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：PCT/CN2020/074865

申请日：2020-02-12

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 韩龙

IPC: H01L23/49 ,  G09F9/30

Abstract: 提供了一种显示面板和显示装置。显示面板包括：显示区和至少位于所述显示区一侧的非显示区，所述非显示区包括第一扇出区；多个子像素，位于所述显示区；多条数据线，位于所述显示区且从所述显示区延伸到所述第一扇出区，所述多条数据线与所述多个子像素电连接，被配置为为所述多个子像素提供数据信号；所述第一扇出区包括：至少两个数据线扇出分区，所述多条数据线分别位于所述至少两个数据线扇出分区中。

公开(公告)号：WO2020127442A2

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/EP2019/085883

申请日：2019-12-18

Applicant: DANFOSS SILICON POWER GMBH

Inventor： BECKER, Martin ,  RUDZKI, Jacek ,  EISELE, Ronald ,  OSTERWALD, Frank ,  BASTOS ABIBE, André

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L21/60

Abstract: A semiconductor module having a semiconductor and a housing enclosing the semiconductor, characterized in that the housing is made of an electrically conductive material and has a recess occupied by the semiconductor, wherein the side of the semiconductor opposite the recess is coplanar with the surface of the housing having the recess.

公开(公告)号：WO2020035657A1

公开(公告)日：2020-02-20

申请号：PCT/GB2019/052141

申请日：2019-07-31

Applicant: THE FRANCIS CRICK INSTITUTE LIMITED

Inventor： BULZ, Ciprian ,  DESAI, Ravi ,  SCHAEFER, Andreas ,  RACZ, Romeo-Robert

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  G01N27/30 ,  G01N27/416 ,  A61B5/042

Abstract: An electrical connection is formed between a wire electrode (30) comprising a metallic core (32) surrounded by a sheath (34) of insulating material and a metallic contact surface (20) of an integrated circuit. Mechanical force is applied to break the sheath (34) of insulating material and expose part of the metallic core (32) of the wire electrode. A bonding wire (8) made of the same metallic material as the metallic core (32) is provided in a capillary (6), and at least one of electrical charge, heat and ultrasonic vibration is applied to a tip of the bonding wire (8) and the capillary (6) is pressed towards the wire electrode, to melt the tip of the bonding wire to form a bond of metallic material which connects the exposed core of the wire electrode to the metallic contact surface (20) of the integrated circuit. This helps to reduce bond resistance.

公开(公告)号：WO2020001979A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：PCT/EP2019/065340

申请日：2019-06-12

Applicant: HERAEUS NEXENSOS GMBH

Inventor： WIENAND, Karlheinz ,  ASMUS, Tim ,  URFELS, Stephan

IPC: G01K7/18 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: The present invention relates to a wire bonding arrangement, in particular a wedge-bond (11) or a bail-bond (11') arrangement, comprising a platinum thin-film bond pad (3) and a substrate of an electronic device, wherein the platinum thin-film bond pad (3) is formed on the substrate (7), and wherein the platinum thin-film bond pad (3) comprises a plurality of openings (5a-5n) in the surface of the platinum thin-film bond pad (3); a fired coating (9) comprising precious metal components comprising a silver (Ag) or a silver platinum (AgPt) or a silver palladium (AgPd) or a gold (Au) material, wherein the fired coating (9) extends at least partly over the surface of the platinum thin-film bond pad (3) to achieve a coated surface; and a bonding wire (11, 11') bonded to the coated surface of the platinum thin-film bond pad (3), wherein the bonding wire (11, 11') has a diameter of 0,05 mm to 3 mm and comprises an aluminum (Al) or copper (Cu) material. The invention also relates to a method of manufacturing such a wire bonding arrangement.