公开(公告)号：WO2012110477A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：PCT/EP2012/052456

申请日：2012-02-14

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  WÜRFL, Hans-Joachim ,  HILT, Oliver ,  WEYERS, Markus ,  BRUNNER, Frank ,  BAHAT-TREIDEL, Eldad ,  CHO, Eunjung

Inventor： WÜRFL, Hans-Joachim ,  HILT, Oliver ,  WEYERS, Markus ,  BRUNNER, Frank ,  BAHAT-TREIDEL, Eldad ,  CHO, Eunjung

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/207 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Heterostruktur- Feldeffekttransistor (HFET) mit einem Substrat (201), einer auf dem Substrat (201) angeordneten Nukleationsschicht (202), einer auf der Nukleationsschicht (202) angeordneten kohlenstoffdotierten GaN- Schicht (203), einer auf der kohlenstoffdotierten GaN- Schicht (203) angeordneten ersten AlGaN- Schicht (204) und auf der ersten AlGaN- Schicht (204) angeordneten Source - Elektrode (205), einer auf der ersten AlGaN- Schicht (204) angeordneten Drain - Elektrode (206) und einer zwischen der Source - Elektrode (205) und der Drain - Elektrode (206) auf der ersten AlGaN- Schicht (204) angeordneten Gate - Elektrode (207). Erfindungsgemäß ist zwischen der kohlenstoffdotierten GaN- Schicht (203) und der ersten AlGaN- Schicht (204) eine unintentionally- doped GaN-Schicht (208) vorgesehen. Ein zweiter Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines solchen HFETs.

Abstract translation: 本发明涉及一种异质结场效应晶体管（HFET）具有基板（201），一个布置在基板（201）成核层（202），布置在成核层上的一个（202）碳掺杂GaN层（203），一个在碳 - 掺杂 GaN层（203）布置的第一AlGaN层（204）和布置在所述第一AlGaN层上（204）源极 - 电极（205），布置在所述第一AlGaN层上的一个（204）的漏 - 电极（206）和 电极（205）和漏极 - - 源极之间的所述第一AlGaN层上电极（206）（204），布置栅 - 电极（207）。 一个unintentionally-掺杂GaN层（208）是根据所述碳掺杂GaN层（203）和所述第一AlGaN层（204）之间提供的本发明。 本发明的第二方面涉及一种用于制造这种的HFET的方法。

公开(公告)号：WO2012150177A2

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：PCT/EP2012/057665

申请日：2012-04-26

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KNIGGE, Andrea ,  WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Hans-Joachim

Inventor： KNIGGE, Andrea ,  WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Hans-Joachim

IPC: H01L31/102

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen UV-Photodetektor mit hoher Empfindlichkeit und einem geringen Dunkelstrom. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen UV-Photodetektor anzugeben, der eine hohe Empfindlichkeit und einen geringen Dunkelstrom aufweist. Erfindungsgemäß weisen die Finger (18) der ersten Elektrodenstruktur (14) und die Finger (24) der zweiten Elektrodenstruktur (20) eine Deckschicht (30) aus einem zweiten halbleitenden Material auf, wobei die Deckschicht (30) auf der Absorberschicht (12) angeordnet ist und die Absorberschicht (12) im Bereich der Finger (18, 24) direkt kontaktiert, und das erste halbleitende Material und das zweite halbleitende Material derart ausgebildet sind, dass sich an der Grenzschicht zwischen der Absorberschicht (12) und der Deckschicht (30) im Bereich der Finger (18, 24) ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) ausbildet.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有高灵敏度和低暗电流UV光检测器。 本发明提供一种具有高灵敏度和低暗电流UV光电探测器的一个目的。 根据本发明，所述第一电极结构的所述指状物（18）（14）和第二电极结构的指状物（24）（20）包括第二半导体材料的顶层（30）被设置，其中所述覆盖层（30）的吸收体层（12）上 并且在手指（18，24）直接接触，并且所述第一半导体材料和第二半导体材料的区域中的吸收层（12）被形成为使得在吸收层（12）和所述外层之间的边界层（30） 在手指（18，24）的区域形成的二维电子气（2DEG）。