公开(公告)号：WO2017002317A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：PCT/JP2016/002915

申请日：2016-06-17

申请人： サンケン電気株式会社 ,  信越半導体株式会社

发明人： 佐藤　憲 ,  鹿内　洋志 ,  後藤　博一 ,  篠宮　勝 ,  土屋　慶太郎 ,  萩本　和徳

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/0638 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

摘要： 本発明は、基板と、該基板上に設けられ、窒化物半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられた窒化物半導体層からなるデバイス能動層とを有する半導体デバイス用基板であって、前記バッファ層は炭素及び鉄を含有し、前記バッファ層の上面の炭素濃度は、前記バッファ層の下面の炭素濃度より高く、前記バッファ層の上面の鉄の濃度は、前記バッファ層の下面の鉄の濃度より低いことを特徴とする半導体デバイス用基板である。これにより、縦方向のリーク電流を抑制しながら、高温動作時の横方向のリーク電流を低減させることができる半導体デバイス用基板が提供される。

摘要翻译： 该半导体器件基板具有：基板; 缓冲层，其设置在所述基板上，并且由氮化物半导体形成; 以及由设置在缓冲层上的氮化物半导体层构成的器件有源层。 半导体器件衬底的特征在于：缓冲层含有碳和铁; 缓冲层的上表面的碳浓度高于缓冲层的下表面的碳浓度; 并且缓冲层的上表面的铁浓度低于缓冲层的下表面的铁浓度。 因此，能够抑制高温运转时的横向的漏电流，同时抑制长度方向的泄漏电流。

公开(公告)号：WO2015136218A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/FR2015/050600

申请日：2015-03-10

申请人： OMMIC

发明人： FRIJLINK, Peter

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  H01L29/207 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

摘要： Un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ et à hétéroj onction comprenant une structure semiconductrice en couches superposées, comprenant; prévoir sur une couche substrat (1) une couche tampon (2), une couche canal (3) et une couche barrière (4), réalisées dans des matériaux à cristal hexagonal de type Ga (1-p-q) Al (p) In (q) N, former une ouverture dans une couche de masquage diélectrique (5) déposée sur la couche barrière, faire croître par épitaxie à haute température un matériau semiconducteur à cristal hexagonal (6, 6') Ga (1-X'-y') Al (X') In (y') N dopé au Germanium, sur une zone de croissance définie par l'ouverture formée dans la couche de masquage, déposer une électrode de contact de source ou drain (15, 16) sur le matériau ainsi déposé par épitaxie, et une électrode de grille (13) à un emplacement en dehors de la zone de croissance.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造异质结场效应晶体管的方法。 所述晶体管包括由堆叠层制成的半导体结构。 所述方法包括：在衬底层（1）上提供缓冲层（2），沟道层（3）和阻挡层（4），所述衬底层全部由Ga（1-pq）Al（p）In （q）N六方晶体材料; 在沉积在所述阻挡层上的电介质掩模层（5）中形成开口; 生长，使用高温外延，锗掺杂的Ga（1-X'-y'）Al（X'）In（y'）N六方晶体半导体材料（6,6'）在由 开口形成在掩模层中; 以及将源极或漏极接触电极（15,16）沉积到所述材料上，由此通过外延沉积，以及在生长区域外部的位置沉积栅电极（13）。

公开(公告)号：WO03005450A9

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/US0216133

申请日：2002-05-20

申请人： HARVARD COLLEGE ,  UNIV SOUTHAMPTON

发明人： LIEBER CHARLES M ,  DUAN XIANGFENG ,  CUI YI ,  HUANG YU ,  GUDIKSEN MARK S ,  LAUHON LINCOLN J ,  WANG JIANGFANG ,  PARK HONGKUN ,  WEI QINGQIAO ,  LIANG WENJIE ,  SMITH DAVID C ,  WANG DELI ,  ZHONG ZHAOHUI

IPC分类号： B82B1/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/00 ,  G01N33/543 ,  G11C13/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L23/532 ,  H01L27/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/221 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66 ,  H01L29/73 ,  H01L29/80 ,  H01L29/88 ,  H01L33/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y02E10/549 ,  H01L2924/00

摘要： Published without an

摘要翻译： 没有发布

公开(公告)号：WO03036697A3

公开(公告)日：2003-08-21

申请号：PCT/US0233670

申请日：2002-10-22

申请人： UNIV YALE ,  BOONE THOMAS S ,  HARMON ERIC S ,  KOUDELKA ROBERT D ,  SALZMAN DAVID B ,  WOODALL JERRY M

发明人： BOONE THOMAS S ,  HARMON ERIC S ,  KOUDELKA ROBERT D ,  SALZMAN DAVID B ,  WOODALL JERRY M

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H01L33/02 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L33/025 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/802

摘要： Methods are disclosed for producing highly doped semiconductor materials (313). Using the invention, one can achieve doping densities that exceed traditional, established carrier saturation limits without delirious side effects. Additionally, highly doped semiconductor materials (601) are disclosed, as well as improved electronic and optoelectronic devices/components using said materials. The innovative materials and processes enabled by the invention yield significant performance improvements and cost reductions for a wide variety of semiconductor-based microelectronic and optoelectronic devices/systems.

摘要翻译： 公开了用于制造高度掺杂的半导体材料（313）的方法。 使用本发明，可以实现超过传统的，确定的载流子饱和极限而没有不合适的副作用的掺杂密度。 另外，公开了高度掺杂的半导体材料（601）以及使用所述材料的改进的电子和光电子器件/部件。 本发明实现的创新材料和工艺为各种基于半导体的微电子和光电子器件/系统带来显着的性能改进和成本降低。

公开(公告)号：WO02021599A2

公开(公告)日：2002-03-14

申请号：PCT/JP2001/007536

申请日：2001-08-31

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L29/15 ,  H01L29/207 ,  H01L29/737 ,  H01L29/73

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L29/155 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7371

摘要： A compound semiconductor multilayer structure comprising a carbon-containing p-type gallium arsenide (GaAs)-system crystal layer, wherein the carbon-containing p-type GaAs-system crystal layer exhibits a predominant photoluminescence peak measured at 20K within a range of 828 nm to 845 nm, and wherein the ratio of hydrogen atom concentration to carbon atom concentration in the carbon-containing p-type GaAs crystal layer is 1/5 or less. Furthermore, in a photoluminescence measurement at 10K, the carbon-containing GaAs-system p-type crystal layer exhibits a first predominant photoluminescence peak and a second predominant photoluminescence peak due to band gap transitions of GaAs and wherein the second predominant luminescence wavelength has a longer wavelength than the first predominant photoluminescence wavelength and the intensity ratio of the second luminescence peak to the first luminescence peak is within a range from 0.5 to 3.

摘要翻译： 包含含碳p型砷化镓（GaAs）系晶体层的化合物半导体多层结构，其中含碳p型GaAs系晶体层在20K范围内在828nm范围内显示出主要的光致发光峰 至845nm，并且其中所述含碳p型GaAs晶体层中的氢原子浓度与碳原子浓度的比率为1/5以下。 此外，在10K的光致发光测量中，由于GaAs的带隙跃迁，含碳GaAs系统p型晶体层表现出第一主要的光致发光峰和第二主要的光致发光峰，并且其中第二主要发光波长具有更长的 波长比第一主要光致发光波长和第二发光峰与第一发光峰的强度比在0.5至3的范围内。

公开(公告)号：WO2021236199A1

公开(公告)日：2021-11-25

申请号：PCT/US2021/020626

申请日：2021-03-03

申请人： RAYTHEON COMPANY

发明人： HWANG, Kiuchul ,  SCHULTZ, Brian, D. ,  LOGAN, John ,  LEONI, Robert, E. ,  KOLIAS, Nicholas, J.

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L29/20

摘要： A semiconductor device having a substrate (18), a pair of Group Ill-Nitride layers (22, 24) on the substrate forming: a heterojunction with a 2 Dimensional Electron Gas (2DEG) channel in a lower one (22) of the pair of Group Ill-Nitride layers, a cap beryllium doped Group Ill-Nitride layer (25) on the upper one (24) of the pair of Group Ill-Nitride layers; and an electrical contact (34) in Schottky contact with a portion of the cap beryllium doped, Group Ill-Nitride layer.

公开(公告)号：WO2020009021A1

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：PCT/JP2019/025826

申请日：2019-06-28

申请人： 日本電信電話株式会社

发明人： 小野満　恒二 ,  赤坂　哲也 ,  廣木　正伸 ,  西中　淳一 ,  熊倉　一英

IPC分类号： H01L21/20 ,  C01B21/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C30B33/02 ,  H01L29/207

摘要： まず、第１工程Ｓ１０１で、窒化物半導体から構成されて主表面をＶ族極性面とした半導体層を形成する。次に、第２工程Ｓ１０２で、半導体層の表面の窒素原子を、酸素、硫黄、セレン、テルルのいずれかのＶＩ族元素で置換する。次に、第３工程Ｓ１０３で、窒素原子を上記のＶＩ族元素で置換した半導体層の上に、層状物質をエピタキシャル成長させて層状物質層を形成する。

公开(公告)号：WO2020001694A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：PCT/DE2019/100572

申请日：2019-06-20

申请人： OTTO-VON-GUERICKE-UNIVERSITÄT MAGDEBURG

发明人： STRITTMATTER, André ,  DADGAR, Armin

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207

摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiterschichtstapel, ein Bauelement hieraus und ein Bauelementemodul, sowie ein Herstellungsverfahren, wobei der Halbleiterschichtstapel, gekennzeichnet ist durch mindestens zwei Schichten (A, B), die als Einzelschichten jeweils eine energetische Lage des Ferminiveaus (103) in der Halbleiterbandlücke (104, 105) aufweisen, für die Schicht (A) Formula (I) gilt und für die Schicht (B) Formula (II) gilt, mit E F der energetischen Lage des Ferminiveaus (103), E v der energetischen Lage eines Valenzbands (102), E L der energetischen Lage eines Leitungsbands (101) und E L - E v der Energiedifferenz der Halbleiterbandlücke E G (104,105), wobei die Dicke (106, 107) der Schichten (A, B) so gewählt ist, dass sich ein zusammenhängender Raumladungszonenbereich (110) über die Schichten (A, B) ergibt.

公开(公告)号：WO2018196948A1

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：PCT/EP2017/059633

申请日：2017-04-24

申请人： SWEGAN AB

发明人： CHEN, Jr-Tai

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/43 ,  H01L21/02 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/432 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/105 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

摘要： The present document discloses a heterostructure, for producing a high electron mobility transistor (HEMT). The heterostructure comprises a GaN a buffer layer with a buffer portion proximally to a substrate and a channel portion distally from the substrate, an Al x1 Ga 1-x1 N exclusion layer, wherein 0.3≤x1≤1.0, preferably 0.5≤x1≤1.0, most preferably 0.7≤x1≤1.0, formed on the GaN buffer layer, and an ln y AI x2 Ga 1-x2-y N barrier layer, wherein 0≤y≤0.25, preferably 0.10≤y≤0.22, most preferably 0.15≤y≤0.20, and 0.70≤x2≤1.0, preferably 0.75≤x2≤0.9, most preferably 0.80≤x2≤0.85. The heterostructure has an AI x3 Ga 1-x3 N interlayer, wherein 0≤x3≤0.5, preferably 0≤x3≤0.3, most preferably 0≤x3≤0.1, sandwiched between the exclusion layer and the barrier layer. The heterostructure presents a 2DEG electron mobility of 1800-2300 cm 2 /Vs, preferably 1900-2200 cm 2 /Vs, most preferably 2000-2100 cm 2 /Vs.

公开(公告)号：WO2017072249A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/EP2016/075971

申请日：2016-10-27

申请人： THALES ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： JACQUET, Jean-Claude ,  GAMARRA, Piero ,  PIOTROWICZ, Stéphane ,  LACAM, Cédric ,  POISSON, Marie-Antoinette ,  PATARD, Olivier

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207

摘要： L'invention concerne un transistor comprenant un empilement de matériaux semi-conducteurs comprenant notamment une première sous-couche (16), judicieusement disposée et d'épaisseur spécifique, scindant la couche tampon (12) en deux parties (12a; 12b) et comprenant un troisième matériau (Mat3) de sorte que la différence de coefficients de polarisation spontanée et piézoélectrique entre le matériau de la couche tampon et le troisième matériau (Mat3) induit à une première interface (17) entre la première partie de la couche tampon (12a) et la première sous-couche (16) une première charge électrique fixe surfacique générant un champ électrique dirigé selon l'axe z de manière à permettre le confinement du gaz bidimensionnel (9) dans le canal.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括半导体材料的堆叠的晶体管，所述半导体材料堆叠尤其包括适当地布置且具有特定厚度的第一子层（16）。 ，分裂（12）缓冲层分成两个部分（12A; 12B）和包括第三和egrave;垫我é廖（MAT3），使得差速器é号偏振系数之间自发ée和PIéZOé电动 诱导缓冲层和第三材料（Mat3）的材料。 第一及egrave;再在Premi＆egrave之间界面（17）;再在缓冲层的部分（12a）和所述Premi＆egrave;重子层（16）的第一及egrave;再负荷，表面固定电克é否E咆哮的字段Dé 电气led＆oacute; 沿着mani＆egrave的z轴; re＆agr; 允许在通道中封闭二维气体（9）。