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公开(公告)号：WO2013187713A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/KR2013/005245
申请日：2013-06-13
Applicant: (주)세미머티리얼즈 , 농업회사법인 팜앤팜스(주)
CPC classification number: A01K1/00 , A01K1/0047 , A01K31/00 , A01K31/22 , E04H5/08 , F03G6/00 , Y02A40/76 , Y02E10/46 , Y02P60/526 , Y02P60/542
Abstract: 본 발명은 복합 발전형 축사에 관한 것으로, 내부에 수용공간이 구비되며 벽체를 형성하는 벽체 구조물, 상기 벽체 구조물의 상측에 구비되는 지붕 구조물, 상기 지붕 구조물에 설치되는 태양광 패널을 이용하여 전기 에너지를 생산하는 태양광 발전부, 상기 벽체 구조물의 후측에 설치되어, 상기 수용 공간의 공기를 외부로 배출시키는 배기부 그리고, 상기 배기부와 인접하여 설치되며 상기 배기부로부터 배기되는 공기를 이용하여 전기 에너지를 생산하는 풍력 발전부를 포함하는 복합 발전형 축사를 제공한다. 본 발명에 의할 경우, 태양광 및 풍력을 이용하여 에너지를 생산함으로써 운영 비용을 절감할 수 있다. 또한, 이와 같이 에너지를 자체 생산함으로써 축사의 에너지 자립도를 향상시켜 정전 등의 비상사태에도 정상적으로 축사 운영이 가능한 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种复合发电的家畜用笔，包括：壁结构，其内部具有容纳空间并形成壁; 布置在墙壁结构顶部的屋顶结构; 用于使用安装在屋顶结构上的光伏板产生电能的光伏发电单元; 布置在所述壁结构的后侧的排气单元，以便将空气从所述容纳空间排出到外部; 以及风力发电单元，其布置在所述排气单元附近，以便使用从所述排气单元排出的空气产生电能。 根据本发明，使用太阳辐射和风力产生能量，从而降低运行成本。 此外，本发明的家畜用笔的优点在于能够如上所述自发产生能量，从而提高家畜笔的能量独立性，并且即使发生紧急情况也能以正常的方式操作牲畜笔 例如停电。
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公开(公告)号：WO2013187711A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/KR2013/005243
申请日：2013-06-13
Applicant: (주)세미머티리얼즈 , 농업회사법인 팜앤팜스(주)
CPC classification number: A01K1/00 , A01K1/0047 , A01K31/00 , A01K31/22 , E04H5/08 , F03G6/00 , Y02A40/76 , Y02E10/46 , Y02P60/526 , Y02P60/542
Abstract: 본 발명은 태양광 축사에 관한 것으로, 내부에 가축이 수용되는 공간이 형성되며, 벽체를 형성하는 벽체 구조물, 상기 벽체 구조물의 상측에 구비되는 지붕 구조물, 상기 지붕 구조물 상에 각각 설치되며 동일한 높이까지 연장 형성되는 복수개의 패널 지지부 그리고, 상기 패널 지지부에 지지되며, 상기 지붕 구조물에 복수의 열을 형성하도록 배치되는 태양광 패널을 포함하는 태양광 발전 축사를 제공한다. 본 발명에 의할 경우, 태양광을 이용하여 에너지를 생산함으로써 운영 비용을 절감할 수 있다. 또한, 축사의 설치 방향과 상관없이 태양광 패널을 설치하는 것이 가능하고, 교체 수리시에도 작업자가 용이하게 유지 보수를 진행할 수 있는 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有壁结构的光伏发电家畜笔，其内部具有用于容纳牲畜并形成壁的空间; 布置在墙壁结构顶部的屋顶结构; 布置在屋顶结构上的多个面板支撑单元，使得面板支撑单元具有相同的高度; 以及由布置在屋顶结构上的面板支撑单元支撑的光伏面板，以向牲畜笔提供太阳能。 根据本发明，从太阳辐射产生能量，从而降低运行成本。 此外，本发明的发电用家禽笔的优点在于，可以安装光伏面板，而不管家畜笔的安装方向如何，并且当牲畜笔需要时可以由工人容易地进行维护 更换或维护。
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公开(公告)号：WO2012118249A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/KR2011/004059
申请日：2011-06-03
Applicant: (주)세미머티리얼즈 , 진주 , 박건
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/26
Abstract: 결정성 및 휘도를 향상시킬 수 있는 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물계 발광소자는 성장 기판; 상기 성장 기판 상에 형성되는 격자완충층; 상기 격자완충층 상에 형성되는 p-타입 질화물층; 상기 p-타입 질화물층 상에 형성되는 발광 활성층; 및 상기 발광 활성층 상에 형성되는 n-타입 ZnO층;을 포함하고, 상기 격자완충층은 Wurtzite 구조를 갖는 물질의 파우더로 형성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 격자완충층은 ZnO 파우더로 형성되어, 질화물 성장시 발생하는 선결함(dislocation)을 최소화할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于提高结晶度和亮度的氮化物系发光元件及其制造方法。 根据本发明的氮化物系发光元件包括：生长衬底; 晶格缓冲层，其形成在生长衬底上; p型氮化物层，其形成在晶格缓冲层上; 形成在p型氮化物层上的发光有源层; 以及形成在发光有源层上的n型ZnO层，其中，所述晶格缓冲层由具有纤锌矿型结构的物质的粉末制成，并且其中所述晶格缓冲层由ZnO粉末制成，由此 减少在氮化物生长期间发生的位错。
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公开(公告)号：WO2012093757A1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：PCT/KR2011/004062
申请日：2011-06-03
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0257 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , Y10T117/10
Abstract: 본 발명은 템플레이트를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 기판 상에 3족 물질을 포함하는 제1 질화물층을 성장시키는 단계, 상기 제1 질화물층의 상측에, 상기 제1 질화물층과 식각 특성이 상이한 다수개의 식각 배리어를 형성하는 단계, 클로라이드 계열의 가스로 상기 제1 질화물층을 상기 식각 배리어의 패턴에 따라 식각하여 기둥 형상의 나노 구조물을 형성하는 단계 및 상기 나노 구조물 상측으로 제2 질화물층을 성장시켜, 내부에 다수개의 공극을 구비하는 질화물 완충층을 형성하는 단계를 포함하는 템플레이트 제조 방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用模板制造氮化物半导体发光器件的方法。 制造模板的方法包括：在衬底上生长含有III族材料的第一氮化物层的步骤; 形成多个势垒的步骤，每个栅极具有与第一氮化物层上的第一氮化物层的蚀刻特性不同的蚀刻特性; 沿着蚀刻阻挡层的图案使用氯化物基气体蚀刻第一氮化物层以形成具有柱状的纳米结构的步骤; 以及在纳米结构上生长第二氮化物层以形成其中具有多个孔的氮化物缓冲层的步骤。
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公开(公告)号：WO2012118247A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/KR2011/004057
申请日：2011-06-03
Applicant: (주)세미머티리얼즈 , 진주 , 박건
CPC classification number: H01L33/0075 , B82Y30/00 , C01B21/0632 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/16 , Y10T428/2982
Abstract: GaN계 발광소자 제조시 발생하는 GaN 식각물을 이용한 GaN 파우더 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 GaN 파우더를 이용한 질화물계 발광소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 GaN 파우더 제조 방법은 (a) GaN계 발광소자의 식각 과정에서 발생하는 GaN 식각물을 포집하는 단계; (b) 상기 포집된 GaN 식각물을 세정하는 단계; (c) 상기 세정된 GaN 식각물을 가열하여, 상기 GaN 식각물에 포함된 인듐(In) 성분을 제거하는 단계; 및 (d) 상기 인듐 성분이 제거된 GaN 식각물을 분쇄하여 파우더화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了使用GaN蚀刻剂制造GaN粉末的方法，该GaN蚀刻剂在制造GaN基发光元件时产生，并且使用使用该方法制备的GaN粉末的氮化物系发光元件。 根据本发明的制备GaN粉末的方法包括以下步骤：（a）捕获在蚀刻GaN基发光元件的过程中产生的GaN蚀刻剂; （b）清洁所收集的GaN蚀刻剂; （c）加热被清洁的GaN蚀刻剂并去除GaN蚀刻剂中的铟（In）组分; 和（d）粉碎除去铟组分以形成粉末的GaN蚀刻剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2012093758A1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：PCT/KR2011/004063
申请日：2011-06-03
CPC classification number: H01L21/02458 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02656 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/22 , Y10T117/10
Abstract: 본 발명은 템플레이트를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 기판상에 제1 질화물층을 성장시키는 단계, 클로라이드 계열의 식각 가스를 공급하여 상기 제1 질화물층의 상면을 식각하는 단계, 상기 제1 질화물층의 상면으로 제2 질화물층을 성장시켜 다수개의 제1 공극을 형성하는 단계, 상기 식각 가스를 공급하여 상기 제2 질화물층의 상면을 식각하는 단계 그리고, 상기 제2 질화물층의 상면으로 제3 질화물층을 성장시켜 다수개의 제2 공극을 형성하는 단계를 포함하는 템플레이트 제조 방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用模板制造氮化物半导体发光器件的方法。 制造模板的方法包括：在衬底上生长第一氮化物层的步骤; 提供基于氯化物的蚀刻气体以蚀刻第一氮化物层的顶表面的步骤; 在第一氮化物层的顶表面上生长第二氮化物层以形成多个第一孔的步骤，提供蚀刻气体以蚀刻第二氮化物层的顶表面的步骤，以及生长第三氮化物层的步骤 氮化物层在第二氮化物层的顶表面上形成多个第二孔。
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公开(公告)号：WO2013141471A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/KR2012/011850
申请日：2012-12-31
Applicant: (주)세미머티리얼즈 , 유호정
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의하면, 잉곳 성장 장치는, 외부로부터 공급원료가 공급되는 공급포트를 구비하는 로(furnace); 상기 로의 내부에 설치되며, 시드 및 상기 시드의 상부에 공급원료가 채워지는 도가니; 상기 도가니를 가열하여 상기 시드 및 상기 공급원료를 용융시키는 히터; 그리고 상기 공급포트에 연결되어 상기 도가니에 상기 공급원료를 공급하는 피드유닛을 포함하되, 상기 피드유닛은, 상기 공급원료가 내부에 채워지며, 하부에 형성된 배출포트를 통해 상기 공급원료를 배출하는 호퍼; 그리고 상기 배출포트를 향해 개방된 입구를 가지는 공급튜브와 상기 로의 내부를 향해 하향경사진 배출튜브를 가지는 고정관을 구비한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案的锭生长装置包括：炉，其设置有用于从外部供应原料的供给口; 设置在炉内部并在其上填充种子和原料的坩埚; 用于通过加热坩埚来熔化种子和原料的加热器; 以及与所述供给口连接的供给单元，用于向所述原料供给所述坩埚，所述供给单元设置有料斗，所述料斗的内部填充有原料，并且通过设置在所述下部的排出口将其排出 并且设置有具有供给管的固定管，该供给管具有朝向排放口的开放入口，以及朝向炉内部向上倾斜的排出管。
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公开(公告)号：WO2012118251A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/KR2011/004061
申请日：2011-06-03
Applicant: (주)세미머티리얼즈 , 진주 , 박건
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: ZnO 파우더와 같은 Wurtzite 격자 구조를 갖는 물질의 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물계 발광소자는 성장 기판; 상기 성장 기판 상에 형성되는 격자 완충층; 및 상기 격자 완충층 상에 형성되며, 복수의 질화물층이 적층되어 있는 발광 구조체;를 포함하고, 상기 격자 완충층은 Wurtzite 구조를 갖는 물질의 파우더로 형성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 격자 완충층은 ZnO 파우더로 형성되어, 질화물 성장시 발생하는 선결함(dislocation)을 최소화할 수 있다.
Abstract translation: 公开了使用ZnO粉末等具有纤锌矿晶格结构的物质的粉末的氮化物系发光元件及其制造方法。 根据本发明的氮化物系发光元件包括：生长衬底; 晶格缓冲层，其形成在生长衬底上; 以及形成在晶格缓冲层上并在其上堆叠多个氮化物层的发光结构，其中晶格缓冲层由ZnO粉末制成，从而最小化在氮化物生长期间发生的位错。
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公开(公告)号：WO2012118250A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/KR2011/004060
申请日：2011-06-03
Applicant: (주)세미머티리얼즈 , 진주 , 박건
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02656 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/28
Abstract: 패턴화된 격자 완충층을 이용하여 질화물의 결정성을 향상시킬 수 있으며, 에어 홀을 형성함으로써 휘도를 향상시킬 수 있는 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물계 발광소자 제조 방법은 (a) 기판 상에 Wurtzite 격자 구조를 갖는 물질을 증착하여, 증착층을 형성하는 단계; (b) 상기 증착층의 표면에 식각 패턴을 형성하여, 패턴화된 격자 완충층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 패턴화된 격자 완충층 상에 질화물을 성장시키는 단계;를 포함하고, 상기 (c) 단계에서 상기 패턴화된 격자 완충층을 제거하여, 상기 제거된 부분에 에어 갭(air gap)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种氮化物系发光元件及其制造方法，其可以通过使用图案化的晶格缓冲层来提高氮化物的结晶度，并且可以通过形成气孔来提高亮度。 根据本发明的制造氮化物系发光元件的方法包括以下步骤：（a）通过沉积在具有纤锌矿晶格结构的基底物质上形成沉积层; （b）通过在沉积层的表面上形成蚀刻图案形成图案化的晶格缓冲层; 和（c）在图案化的晶格缓冲层上生长氮化物，其中从步骤（c）中去除图案化的晶格缓冲层以在去除的部分中形成气隙。
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公开(公告)号：WO2012118246A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/KR2011/004056
申请日：2011-06-03
Applicant: (주)세미머티리얼즈 , 진주 , 박건
CPC classification number: H01L21/02439 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/16
Abstract: 실리콘 기판을 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물계 발광소자는 실리콘(Si) 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 질화물 성장용 시드층; 및 상기 질화물 성장용 시드층 상에 형성되며, 복수의 질화물층이 적층되어 있는 발광 구조체;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 특히, 상기 질화물 성장용 시드층을 GaN 파우더로 형성하여 질화물을 성장시킨 결과, 질화물과 실리콘의 격자 상수 차이로 인하여 발생하는 선결함(dislocation)을 최소화할 수 있었다.
Abstract translation: 公开了使用硅衬底的氮化物系发光元件及其制造方法。 根据本发明的发光元件包括：硅（Si）衬底; 形成在硅衬底上的种子层，用于生长氮化物; 以及形成在种子层上并且堆叠有多个氮化物层的发光结构，用于生长氮化物。 特别地，当通过制造用于从GaN粉末生长氮化物的种子层来生长氮化物时，由于氮化物和硅的晶格参数的差异导致的位错被最小化。
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