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    HIGH MOBILITY SILICON ON FLEXIBLE SUBSTRATES
    4.
    发明申请
    HIGH MOBILITY SILICON ON FLEXIBLE SUBSTRATES 审中-公开
    高柔韧性硅在柔性基板上的应用

    公开(公告)号：WO2017100481A1

    公开(公告)日：2017-06-15

    申请号：PCT/US2016/065672

    申请日：2016-12-08

    申请人： UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM

    发明人： SELVAMANICKAM, Venkat ,  DUTTA, Pavel ,  GAO, Ying

    IPC分类号： B65D3/06 ,  B65D5/12 ,  B32B5/16 ,  C03C17/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/465

    CPC分类号： H01L21/0245 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

    摘要： A semiconductor device and method for fabricating same is disclosed. Embodiments are directed to a semiconductor device and fabrication of same which include a flexible substrate and a buffer stack overlying the substrate. The buffer stack comprises at least one epitaxial buffer layer. An epitaxial doped layer comprised predominantly of silicon overlyies the at least one epitaxial buffer layer. Mobility of the device is greater than 100 cm 2 /V s and carrier concentration of the epitaxial doped layer is less than 10 16 cm -3 .

    摘要翻译： 公开了一种半导体器件及其制造方法。 实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，其包括柔性衬底和覆盖衬底的缓冲堆叠。 缓冲堆叠包括至少一个外延缓冲层。 主要由硅构成的外延掺杂层覆盖所述至少一个外延缓冲层。 器件的迁移率大于100 cm 2 / Vs，外延掺杂层的载流子浓度小于10 16 cm -3，

    FABRICATION D'UN SUPPORT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURES D'ÉLÉMENTS III
    6.
    发明申请
    FABRICATION D'UN SUPPORT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURES D'ÉLÉMENTS III 审中-公开
    基于III类硝酸盐生产半导体支持

    公开(公告)号：WO2016116715A1

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：PCT/FR2016/050126

    申请日：2016-01-21

    申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)

    发明人： SEMOND, Fabrice ,  MASSIES, Jean ,  FRAYSSINET, Eric

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/02505 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/778 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

    摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un support pour la fabrication d'une structure semi-conductrice à base de nitrures d'éléments III caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes de : -formation (100) d'une couche tampon (20) sur un substrat (10), ladite couche tampon comprenant une couche de surface supérieure à base de nitrures d'éléments III, -dépôt (200) d'une couche cristalline (30) sur la couche tampon, ladite couche cristalline étant déposée à partir d'atomes de siliciumde sorte à recouvrir la totalité de la surface de la couche supérieure à base de nitrures d'éléments III. L'invention concerne également un support obtenu par le procédé et une structure semi-conductrice basée sur le support et son procédé de fabrication.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制备用于制备基于III族氮化物的半导体结构的载体的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：在衬底（10）上形成缓冲层（20）（100） 所述缓冲层包括基于III族氮化物的上表面层; 以及在缓冲层上沉积（200）晶体层（30），所述晶体层由硅原子沉积，以便覆盖基于III族氮化物的上层的整个表面。 本发明还涉及通过该方法产生的基于支持体的半导体结构及其制造方法。

    半導体素子用のエピタキシャル基板およびその製造方法
    7.
    发明申请
    半導体素子用のエピタキシャル基板およびその製造方法 审中-公开
    用于半导体元件的外延衬底及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016051935A1

    公开(公告)日：2016-04-07

    申请号：PCT/JP2015/070755

    申请日：2015-07-22

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 市村　幹也 ,  前原　宗太 ,  倉岡　義孝

    IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

    CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7786

    摘要： 　特性の優れたＨＥＭＴ素子を製造可能なＨＥＭＴ素子用の１３族窒化物エピタキシャル基板を提供する。半導体素子用のエピタキシャル基板が、ＳｉＣからなり主面が（０００１）面配向してなる下地基板と、前記下地基板の一方主面上に形成された、ＡｌＮからなる核形成層と、前記核形成層の上に形成された、Ａｌ ｙ Ｇａ １－ｙ Ｎ（０≦ｙ＜１）なる組成の１３族窒化物からなる電子走行層と、前記電子走行層の上に形成された、Ｉｎ ｚ Ａｌ １－ｚ Ｎ（０．１３≦ｚ≦０．２３）もしくはＡｌ ｗ Ｇａ １－ｗ Ｎ（０．１５≦ｗ≦０．３５）なる組成の１３族窒化物からなる障壁層と、を備え、前記下地基板の（０００１）面が０．１度以上０．５度以下のオフ角を有してなり、前記核形成層と前記電子走行層との間に、Ａｌ ｘ Ｇａ １－ｘ Ｎ（０．０１≦ｘ≦０．４）なる組成の１３族窒化物からなる中間層をさらに備えるようにした。

    摘要翻译： 提供了可以制造具有优异特性的HEMT元件的13族氮化物外延基板。 该半导体元件用外延基板设置有：由SiC构成并具有（0001）面取向主面的接地基板; 成核层，形成在基底的一个主表面上，由AlN组成; 在成核层上形成的由组成为Al y Ga 1-y N（0≤y<1）的13族氮化物组成的电子传输层; 和形成在电子迁移层上并由组成为InzAl1-zN（0.13≤z≤0.23）或AlwGa1-wN（0.15≤w≤0.35）的组13氮化物组成的阻挡层。 接地衬底上的（0001）表面具有0.1°-0.5°的偏离角，并且在成核之间进一步提供由组成为Al x Ga 1-x N（0.01≤x≤0.4）的组13氮化物组成的中间层 层和电子转移层。

    UV LIGHT EMITTING DEVICES AND SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCTION
    8.
    发明申请
    UV LIGHT EMITTING DEVICES AND SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCTION 审中-公开
    紫外线发光装置和系统及其生产方法

    公开(公告)号：WO2016014696A1

    公开(公告)日：2016-01-28

    申请号：PCT/US2015/041588

    申请日：2015-07-22

    申请人： RAYVIO CORPORATION

    发明人： LIAO, Yitao ,  WALKER, Robert ,  COLLINS, Doug

    IPC分类号： H01L33/12

    CPC分类号： H01L33/0075 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/568 ,  C23C16/18 ,  C23C16/303 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0091

    摘要： A method of fabricating an ultraviolet (UV) light emitting device includes receiving a UV transmissive substrate, forming a first UV transmissive layer comprising aluminum nitride upon the UV transmissive substrate using a first deposition technique at a temperature less than about 800degrees Celsius or greater than about 1200 degrees Celsius, forming a second UV transmissive layer comprising aluminum nitride upon the first UV transmissive layer comprising aluminum nitride using a second deposition technique that is different from the first deposition technique, at a temperature within a range of about 800 degrees Celsius to about 1200 degrees Celsius, forming an n-type layer comprising aluminum gallium nitride layer upon the second UV transmissive layer, forming one or more quantum well structures comprising aluminum gallium nitride upon the n-type layer, and forming a p-type nitride layer upon the one or more quantum well structures.

    摘要翻译： 一种制造紫外线（UV）发光器件的方法包括：接收UV透射基底，在UV传输基底上形成包含氮化铝的第一UV透射层，所述第一UV透射层使用第一沉积技术，温度低于约800摄氏度或大于约 在约800摄氏度至约1200摄氏度的范围内的温度下，在第一UV透射层上形成包含氮化铝的第二UV透射层，该氮化铝包括氮化铝，使用与第一沉积技术不同的第二沉积技术 在第二UV透射层上形成包括氮化镓铝层的n型层，在n型层上形成包含氮化铝镓的一个或多个量子阱结构，并在该一个上形成p型氮化物层 或更多的量子阱结构。

    THERMOPHOTOVOLTAIC MATERIALS, METHODS OF DEPOSITION, AND DEVICES
    9.
    发明申请
    THERMOPHOTOVOLTAIC MATERIALS, METHODS OF DEPOSITION, AND DEVICES 审中-公开
    热光伏材料，沉积方法和器件

    公开(公告)号：WO2015084810A3

    公开(公告)日：2015-11-12

    申请号：PCT/US2014068099

    申请日：2014-12-02

    申请人： UNIV OKLAHOMA

    发明人： MCCANN PATRICK JOHN

    IPC分类号： G01N21/35 ,  H01L27/146 ,  H01L29/15

    CPC分类号： H02S10/30 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    摘要： Novel materials, material deposition methods, and devices used to generate electrical power from thermal radiators based on thermophotovoltatic (TPV) operating principles using group IV-VI alloys and materials are disclosed. A semiconductor structure comprising (N) stacked junctions, each junction formed of a IV-VI semiconductor alloy and each of said N junctions having a bandgap, where N is an integer and N>1 is disclosed. The semiconductor structure is configured to capture electromagnetic radiation having wavelengths from about 1 μm to about 7 μm. TPV devices comprising the novel semiconductor structure and methods of making the novel structures and devices are also disclosed.

    摘要翻译： 公开了用于基于使用IV-VI族合金和材料的热光耦合（TPV）操作原理从热辐射器产生电力的新材料，材料沉积方法和器件。 一种半导体结构，包括（N）堆叠结，每个结由IV-VI半导体合金形成，并且每个所述N结具有带隙，其中N是整数并且N> 1。 半导体结构被配置为捕获具有从约1μm至约7μm的波长的电磁辐射。 还公开了包含该新颖半导体结构的TPV器件以及制造该新颖结构和器件的方法。

    THERMOPHOTOVOLTAIC MATERIALS, METHODS OF DEPOSITION, AND DEVICES
    10.
    发明申请
    THERMOPHOTOVOLTAIC MATERIALS, METHODS OF DEPOSITION, AND DEVICES 审中-公开
    热变性材料，沉积方法和装置

    公开(公告)号：WO2015084810A2

    公开(公告)日：2015-06-11

    申请号：PCT/US2014/068099

    申请日：2014-12-02

    申请人： THE BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF OKLAHOMA

    发明人： MCCANN, Patrick, John

    IPC分类号： H01L35/02

    CPC分类号： H02S10/30 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    摘要： Novel materials, material deposition methods, and devices used to generate electrical power from thermal radiators based on thermophotovoltatic (TPV) operating principles using group IV-VI alloys and materials are disclosed. A semiconductor structure comprising (N) stacked junctions, each junction formed of a IV-VI semiconductor alloy and each of said N junctions having a bandgap, where N is an integer and N>1 is disclosed. The semiconductor structure is configured to capture electromagnetic radiation having wavelengths from about 1 μm to about 7 μm. TPV devices comprising the novel semiconductor structure and methods of making the novel structures and devices are also disclosed.

    摘要翻译： 公开了基于使用IV-VI族合金和材料的热光伏（TPV）工作原理从热辐射器产生电力的新型材料，材料沉积方法和装置。 一种包括（N）层叠结的半导体结构，由IV-VI族半导体合金形成的每个结以及具有带隙的所述N个结，其中N为整数，N> 1。 半导体结构被配置为捕获具有约1μm至约7μm的波长的电磁辐射。 还公开了包括新型半导体结构的TPV器件和制造新型结构和器件的方法。