公开(公告)号：WO2011033927A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/JP2010/064707

申请日：2010-08-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  沢田 郁夫 ,  康 松潤 ,  松隈 正明 ,  河西 繁 ,  森嶋 雅人

Inventor： 沢田　郁夫 ,  康　松潤 ,  松隈　正明 ,  河西　繁 ,  森嶋　雅人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633

Abstract: 　気密な処理容器（１０）内にて反応ガスを反応させて基板Ｓに薄膜を成膜する成膜装置（１ａ）において、仕切り壁（４１）は基板（Ｓ）の上方空間をプラズマ生成空間（４０１）と排気空間（４０２）とに横方向に分割すると共に、処理容器（１０）の天井部から下方に伸びてその下端と基板Ｓとの間に、プラズマ生成空間（４０１）から排気空間（４０２）にガスを流す隙間を形成する。活性化機構（４２、４３）はプラズマ生成空間（４０１）に供給された第１の反応ガスを活性化してプラズマを生成する。第２の反応ガス供給部（４１１、４１２）は、プラズマ生成空間（４０１）の下部側に第１の反応ガスの活性種と反応して基板上に薄膜を成膜する第２の搬送ガスを供給し、真空排気口（２３）は仕切り壁（４１）の下端よりも高い位置より排気空間（４０２）を排気する。

Abstract translation: 公开了一种通过使气密处理容器（10）内的反应气体反应而在基板（S）上形成薄膜的成膜装置（1a） 其中隔板（41）将基板（S）上方的空间沿横向方向分隔成等离子体产生空间（401）和排气空间（402），并从处理容器（10）的天花板向下延伸以形成开口 在衬底（S）和分隔壁的底端之间，其中气体从等离子体产生空间（401）流到排气空间（402）。 激活机构（42,43）通过激活已经供应到等离子体产生空间（401）的第一反应气体产生等离子体。 第二反应气体供给部（411,412）通过与第一反应气体的活性物质反应而在基板上形成薄膜的等离子体产生空间（401）的底部供给第二载气， 开口（23）将排气空间（402）从高于分隔壁（41）底端的位置排出。

公开(公告)号：WO2009037930A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：PCT/JP2008/064420

申请日：2008-08-11

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  沢田 郁夫 ,  瀬川 澄江 ,  池田 恭子 ,  大下 辰郎

Inventor： 沢田 郁夫 ,  瀬川 澄江 ,  池田 恭子 ,  大下 辰郎

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/4486 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: 　基板に対して液体材料を気化させた気体材料を供給して成膜処理を行うにあたり、高い効率で液体材料を気化して、パーティクルの発生を抑えること。 　基板に対して成膜処理を行うための液体材料中に、正及び負の一方に帯電した粒径が１０００ｎｍ以下の気泡を発生させ、この液体材料を霧化して液体材料のミストを形成し、更にその液体材料のミストを加熱して気化させる。液体材料中には、予め極めて微少な気泡が高い均一性をもって分散するため、この液体材料を霧化すると、極微細で均一な液体材料のミストが得られので、熱交換しやすい状態となる。この液体材料のミストを気化すると、気化効率が高くなり、パーティクルの発生が抑えられる。

Abstract translation: 本发明提供一种蒸发装置，在将液体材料蒸发到基板上进行成膜处理而制造的气体材料中，可以高效率地蒸发液体材料，以抑制颗粒的发生。 在用于在基板上形成膜的液体材料中产生已经正电或负极地具有1000nm或更小的电气化的气泡，以使液体材料雾化并形成液体材料的雾 。 此外，液体材料的雾被加热以蒸发。 非常细小的气泡预先非常均匀地分散在液体材料中。 因此，在液体材料的雾化时，产生非常细且均匀的液态物质雾，因此热交换非常容易。 当该液态物质雾蒸发时，汽化效率提高，能够抑制粒子的产生。

公开(公告)号：WO2010004997A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：PCT/JP2009/062378

申请日：2009-07-07

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  沢田 郁夫 ,  康 松潤 ,  河西 繁

Inventor： 沢田　郁夫 ,  康　松潤 ,  河西　繁

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H05H1/46

Abstract: 　本発明は、基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置台と、前記載置台に対向するように設けられ、前記処理容器内に処理ガスを供給するための多数のガス吐出孔がその下面に形成された導電性部材からなるガスシャワーヘッドと、前記ガスシャワーヘッドの下方空間を囲む領域に誘導結合型プラズマを発生させるために高周波電流が供給される誘導コイルと、前記ガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加して、前記誘導コイルにより誘導される電界を処理領域の中央部側に引き込むための負電圧供給手段と、前記処理容器内を真空排気するための手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置である。

Abstract translation: 一种等离子体处理装置，用于使用等离子体处理衬底。 等离子体处理装置包括处理容器; 安装台，其位于处理容器中并且其上安装有基板; 气体喷头，其包括与安装台相对的导电构件，并且其下表面具有用于将处理气体供应到处理容器中的多个气体排出孔; 感应线圈，其供给高频电流，以在围绕所述燃气灶头的空间的区域中产生感应耦合等离子体; 负电压提供装置，用于向气体喷淋头施加负的DC电压，以将由感应线圈感应的电场引导到处理区域的中心部分; 以及用于抽出处理容器的装置。

公开(公告)号：WO2010058771A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：PCT/JP2009/069492

申请日：2009-11-17

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  沢田 郁夫 ,  康 松潤 ,  河西 繁

Inventor： 沢田　郁夫 ,  康　松潤 ,  河西　繁

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174

Abstract: 　基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上にコイルを設置して、基板の上方の処理領域とこの処理領域を囲む周縁領域とにおける電界が同位相あるいは逆位相となるようにガスシャワーヘッド及びコイルに供給する高周波の位相を調整する。

Abstract translation: 具有形成在下表面上的许多排气口的气体喷头设置在处理容器的顶壁上，使得气体喷淋头面对要放置基板的放置台，并且处理的顶壁 气体喷头的外围的容器由电介质材料构成。 在电介质材料上设置线圈，调整供给到燃气喷头和线圈的高频波相位，使得基板上方的处理区域内的电场相位和电气相位 围绕处理区域的周边区域中的场相同或相反。

公开(公告)号：WO2008078503A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/JP2007/073074

申请日：2007-11-29

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  ローム株式会社 ,  森崎 英介 ,  小林 洋克 ,  吉川 潤 ,  沢田 郁夫 ,  木本 恒暢 ,  川本 典明 ,  明田 正俊

Inventor： 森崎 英介 ,  小林 洋克 ,  吉川 潤 ,  沢田 郁夫 ,  木本 恒暢 ,  川本 典明 ,  明田 正俊

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 　開示される成膜装置は、内部に減圧空間が維持される処理容器と、カーボンを主成分とする材料により構成され、処理容器内に基板を保持する基板保持部と、処理容器の外側に配置され、基板保持部を誘導加熱するコイルと、基板保持部を覆い、処理容器から離間されるよう配置される断熱材と、を備える。上記の減圧空間は、成膜ガスが供給される成膜ガス供給空間と、基板保持部と処理容器との間に画成される断熱空間とに分離され、断熱空間に冷却媒体が供給される。

Abstract translation: 一种成膜设备，包括：其中维持真空空间的处理容器; 用于将基材保持在处理容器内的基板保持构件，由主要由碳组成的材料制成; 设置在处理容器外部的基板保持部件的感应加热用线圈; 以及隔热材料，其设置成覆盖基板保持构件并与处理容器分开。 真空空间被分成成膜气体供给空间，其中成膜气体被供给，隔热空间被限定在基板保持构件和处理容器之间。 制冷剂被供给到绝热空间。

公开(公告)号：WO2008078501A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/JP2007/073070

申请日：2007-11-29

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  森崎 英介 ,  小林 洋克 ,  吉川 潤 ,  沢田 郁夫

Inventor： 森崎 英介 ,  小林 洋克 ,  吉川 潤 ,  沢田 郁夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H05B6/10

CPC classification number: H05B6/105 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068 ,  H05B6/06 ,  H05B6/44

Abstract: 　開示される成膜装置は、内部に減圧空間が維持され、成膜ガスが供給される処理容器と、処理容器の内部に設置され、基板を保持する基板保持部と、　処理容器の外側に配置され、基板保持部を誘導加熱により加熱するのに使用されるコイルと、を備える。基板保持部に、コイルによる誘導加熱を制御する溝部が形成される。

Abstract translation: 一种成膜装置，包括：处理容器，其中保持真空空间，并且供给成膜气体; 用于保持衬底的衬底保持构件，设置在处理容器内; 以及设置在处理容器的外侧的用于感应加热基板保持部件的线圈。 基板保持构件设置有用于控制线圈的感应加热的开槽部分。

公开(公告)号：WO2007069728A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：PCT/JP2006/325060

申请日：2006-12-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  沢田 郁夫 ,  松崎 和愛 ,  田中 崇 ,  岩下 光秋 ,  宗像 瑞恵

Inventor： 沢田 郁夫 ,  松崎 和愛 ,  田中 崇 ,  岩下 光秋 ,  宗像 瑞恵

IPC: H01L21/027 ,  B05C11/08 ,  B05C15/00

CPC classification number: B05D1/005 ,  B05C11/06 ,  B05C11/08 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0486 ,  B05D2203/30 ,  B05D2203/35 ,  G03F7/162 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6715

Abstract: 　本発明は、基板を水平に保持する基板保持部と、基板保持部に水平に保持された基板の中心部に薬液を供給する薬液ノズルと、遠心力により基板の表面に薬液を広げて塗布するため、基板保持部を回転させる回転機構と、基板保持部に水平に保持された基板の表面に、雰囲気ガスのダウンフローを形成する気流形成手段と、基板の周囲の雰囲気を排気する排気手段と、雰囲気ガスよりも動粘性係数の大きい層流形成用ガスを基板の表面に供給するガスノズルと、を備え、前記雰囲気ガスあるいは前記層流形成用ガスは、基板の中心部に供給されるようになっていることを特徴とする塗布装置である。

Abstract translation: 涂布装置设置有用于水平地保持基板的基板保持部; 用于将由所述基板保持部水平保持的所述基板的中心部分供给化学品的化学喷嘴; 旋转机构，用于通过离心力将基板保持部分旋转以将其涂覆在基板的表面上; 气流形成装置，用于在由衬底保持部分水平保持的衬底的表面上形成环境气体的下流; 用于排出衬底的周围环境的排气装置; 用于向所述基板的表面供给动态粘度高于环境气体的层流形成气体的气体喷嘴。 涂布装置的特征在于，向基板的中心部分供应环境气体或层流形成气体。

公开(公告)号：WO2006038623A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：PCT/JP2005/018364

申请日：2005-10-04

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  小林 保男 ,  太田 与洋 ,  康 松潤 ,  沢田 郁夫

Inventor： 小林 保男 ,  太田 与洋 ,  康 松潤 ,  沢田 郁夫

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

Abstract: 　気密な処理容器（１）内に載置された基板（Ｗ）に対し、ラジアルラインスロットアンテナ（４）にマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理容器内の圧力が７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下、マイクロ波電力が２０００Ｗ以上２３００Ｗ以下、基板表面と原料ガス供給部材（３）の対向面との間の距離（Ｌ１）が７０ｍｍ以上１０５ｍｍ以下、基板表面と放電ガス供給部材（２）との距離（Ｌ２）が１００ｍｍ以上１４０ｍｍ以下の条件を設定する。その条件下で、環状Ｃ 5 Ｆ 8 ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化する。これにより、Ｃ 4 Ｆ 6 のイオンやラジカルを多く含む成膜種が得られる。これによりリーク特性や熱的安定性に優れたフッ素添加カーボン膜を成膜する。

Abstract translation: 通过向径向线槽天线（4）引入微波，在放置在气密处理容器（1）的基板（W）上产生等离子体。 这样的条件被设定为处理容器的压力为7.32Pa至8.65Pa，微波功率为2000W至2300W，衬底表面与材料气体供应构件（3）的相对表面之间的距离（L1）为70mm 通过105mm，衬底表面和放电气体供应构件（2）之间的距离（L2）为100mm至140mm。 在这些条件下，由循环C

公开(公告)号：WO2006001253A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：PCT/JP2005/011273

申请日：2005-06-20

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  東京エレクトロン株式会社 ,  斧 高一 ,  上坂 裕之 ,  石橋 清隆 ,  沢田 郁夫

Inventor： 斧 高一 ,  上坂 裕之 ,  石橋 清隆 ,  沢田 郁夫

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46

Abstract: 　平面アンテナ部材３に複数の同心円でリング状のスロット３００～３０４を形成し、中心部の導体３１０，３１１の厚みを相対的に薄く形成し、周辺部の導体３１２～３１５の厚みを相対的に厚く形成することにより、スロット３００～３０４でマイクロ波が減衰することがなく通過し易くなり、均一な電界分布が得られ処理空間内に平均的に均一な高密度のプラズマを生じさせることができるので、被処理体をアンテナ部材３に近付けることができ、被処理体を高速かつ均一に処理することが可能になる。

Abstract translation: 在平面天线构件（3）上形成有多个同心环形槽（300-304），中心部分的导体（310,311）形成得比较薄，并且在周边部分的导体（312-315） 形成比较厚。 因此，微波更容易通过而不被槽（300-304）衰减，可以获得均匀的电场分布，并且可以在处理空间中均匀地产生高密度等离子体。 因此，能够使被加工物接近天线部件3，能够高速均匀地进行被处理物体的处理。

公开(公告)号：WO2003104525A1

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：PCT/JP2003/007293

申请日：2003-06-09

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  石坂 忠大 ,  軍司 勲男 ,  河南 博 ,  沢田 郁夫 ,  小島 康彦

Inventor： 石坂 忠大 ,  軍司 勲男 ,  河南 博 ,  沢田 郁夫 ,  小島 康彦

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/455

Abstract: 略三角形状の横断面を有するチャンバ(12)の一辺にガス供給口(13)を設け、これと対向する頂点に排気口(14)を設ける。さらに、ガス供給口(13)に、シャワーヘッド状のガス供給部(15)を設ける。これにより、チャンバ(12)を、ガス供給口(13)から排気口(14)にかけて形成されるガスの流路断面積Sが、ガスの供給方向(x方向)に向かって次第に減少するように構成する。このとき、チャンバ(12)の壁面に形成される境界層(28)の厚さδは、ほぼ一定となる。

Abstract translation: 具有大致三角形横截面的腔室（12）在其一侧具有气体供给口（13），并且在其顶点与排气口（14）相对。 此外，气体供给口（13）设置有喷头状气体供给部（15）。 由此，室（12）的配置使得从气体供给口（13）延伸到排气口（14）而形成的气体流路的截面积（S）朝向气体供给方向（ x方向）。 此时，形成在腔室（12）的壁表面上的边界层（28）的厚度（delta）基本上是恒定的。