公开(公告)号：WO2012067349A2

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/KR2011/007655

申请日：2011-10-14

Applicant: ㈜동진쎄미켐 ,  한만호 ,  박종경 ,  김현진 ,  김재현

Inventor： 한만호 ,  박종경 ,  김현진 ,  김재현

IPC: C08F20/10 ,  C08F22/06 ,  C08F12/14 ,  C08L33/04 ,  G03F7/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F22/06 ,  C08F32/00 ,  C08L45/00 ,  C09D133/10 ,  C09D135/00 ,  C09D145/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: 고분자 화합물 및 이를 포함하는 액침 노광 프로세스용 레지스트 보호막 조성물이 제시된다.

Abstract translation: 提供一种聚合物化合物，以及包含其的用于液浸曝光工艺的抗蚀剂保护膜组合物。

公开(公告)号：WO2021096155A1

公开(公告)日：2021-05-20

申请号：PCT/KR2020/015361

申请日：2020-11-05

Applicant: 주식회사 동진쎄미켐

Inventor： 김태욱 ,  이재우 ,  복철규 ,  김준영 ,  여소정 ,  한만호

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명은 원자층 증착 또는 기상 증착을 이용하여, 무기박막 등의 기판 표면을 균일하게 개질하기 위한 표면 개질제 및 이를 이용한 기판 표면의 개질 방법이 개시된다.

公开(公告)号：WO2014142494A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/KR2014/001967

申请日：2014-03-11

Applicant: ㈜동진쎄미켐

Inventor： 한만호 ,  박종경 ,  김현진 ,  김재현

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08L2203/16 ,  C09D4/06 ,  C09D133/16 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/32 ,  G03F7/34 ,  G03F7/38

Abstract: 측쇄에 불소 함유 작용기를 갖는 반복단위를 포함하며 중량 평균 분자량이 2,000 내지 100,000인 고분자 및 용매를 포함하는 리소그래피용 레지스트 보호막 조성물로서, 상기 용매가 용매 총중량 100 중량부를 기준으로 하여 10 내지 100 중량부의 힐데브란트(Hildebrand) 용해도 파라미터가 12.5 내지 22.0인 물질을 포함하는 리소그래피용 레지스트 보호막 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법이 제공된다.

Abstract translation: 提供一种用于形成光刻用抗蚀剂保护膜的组合物和使用其形成半导体器件的图案的方法，其中该组合物包含在其侧链上具有含氟官能团的重复单元，并且含有聚合物 重均分子量为2,000-100,000的溶剂和溶剂，基于100重量份的总重量，所述溶剂含有10-100重量份的Hildebrand溶解度参数为12.5-22.0的材料。