公开(公告)号：WO2009110474A1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：PCT/JP2009/053977

申请日：2009-03-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  三枝 邦夫 ,  岡本 弘 ,  高元 保

Inventor： 三枝 邦夫 ,  岡本 弘 ,  高元 保

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033 ,  B01J8/004 ,  B01J8/0055 ,  B01J8/085 ,  B01J8/087 ,  B01J2208/00407 ,  B01J2208/00415 ,  B01J2208/00469 ,  B01J2208/00725

Abstract: 　本発明は、金属粒子Ｍ ｐ と、ハロゲン化シランＧ１とを、反応器３内で互いに接触させてハロゲン化シランＧ１を還元し、シリコンを得るシリコンの製造方法において、溶融金属Ｍ ｍ にアトマイズガスＧ２を吹き付けることにより金属粒子Ｍ ｐ を反応器３内へ供給し、金属粒子Ｍ ｐ と、ハロゲン化シランＧ１とを、反応器３内へ並流に供給するシリコンの製造方法に係る。本発明では、金属粒子Ｍ ｐ とハロゲン化シランＧ１とを反応器３内へ並流に供給するので、反応器内での金属粒子の対流及び循環流を抑制し、金属粒子とハロゲン化シランとの反応率を向上させることができる。

Abstract translation: 一种制造硅的方法，其包括使金属颗粒（Mp）和卤化硅烷（G1）在反应器（3）中彼此接触以还原卤化硅烷（G1），从而获得硅，其中雾化气体（G2 ）熔融金属（Mm）吹送，从而将金属颗粒（Mp）供给到反应器（3）中，金属颗粒（Mp）和卤化硅烷（G1）以并流方式供给到反应器 方式。 由于金属颗粒（Mp）和卤代硅烷（G1）以并流方式供应到反应器（3）中，所以金属颗粒被抑制在反应器中经受对流或循环，并且卤化硅烷通过与 可以提高金属颗粒。

公开(公告)号：WO2007001093A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：PCT/JP2006/313363

申请日：2006-06-28

Applicant: 住友化学株式会社 ,  三枝 邦夫 ,  山林 稔治

Inventor： 三枝 邦夫 ,  山林 稔治

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033

Abstract: 高純度シリコンの製造方法が提供される。高純度シリコンの製造方法は下式（１）で表されるハロゲン化珪素をアルミニウムで還元してシリコンを製造する方法であって、還元剤として使用するアルミニウムの純度が９９．９重量％以上である。　ＳｉＨ n Ｘ 4-n ：　　　　　　（１）（式中、ｎは、０～３の整数であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。ここでアルミニウムの純度は、１００重量％から、アルミニウムに含まれる鉄と銅とガリウムとチタンとニッケルとナトリウムとマグネシウムと亜鉛の合計の重量％を差し引いたものである。）

Abstract translation: 公开了一种高纯度硅的制造方法，其中通过用铝还原由下式（1）表示的卤化硅来制造硅。 在该方法中，作为还原剂使用的铝的纯度为99.9重量％以上。 （1）（式中，n表示0〜3的整数，X表示选自F， Cl，Br和I.在这方面，铝的纯度是通过从100重量％中扣除铝中所含的铁，铜，镓，钛，镍，钠，镁和锌的总重量％得到的平衡。

公开(公告)号：WO2007139023A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：PCT/JP2007/060714

申请日：2007-05-25

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  三枝 邦夫 ,  大石 哲雄 ,  小山 和也

Inventor： 三枝 邦夫 ,  大石 哲雄 ,  小山 和也

IPC: C01B33/023 ,  H01L31/04

CPC classification number: C01B33/023 ,  C25B1/006 ,  H01L31/04 ,  H01L31/1804 ,  Y02P70/521

Abstract: 　高純度シリコンの新規で安価な製造方法を提供する。特に太陽電池用原料として好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法を提供する。シリカを電解槽で溶融塩電解してシリコンを製造する方法において、電解温度において液相となるシリコン含有合金を陰極とし、かつ電解を進行させて該合金中のシリコン含有率を高める工程（１）と、電解温度においてシリコンが析出する濃度に達する前に該陰極における該シリコン含有合金を電解槽外に取り出す工程（２）と、取り出した該シリコン含有合金の共融点より高く、電解温度よりも低い温度の範囲で該シリコン含有合金を冷却してシリコンを凝固させる工程（３）と、凝固させた該シリコンを回収する工程（４）とを、この順で有する、上記シリコンの製造方法である。

Abstract translation: 公开了一种低成本生产高纯度硅的新方法。 特别公开了低成本地制造高纯度硅的新方法，其可以适合用作太阳能电池的原料。 具体而言，在电解容器中进行熔融盐电解的二氧化硅的硅的制造方法按照以下顺序包括步骤（1），其中在含有合金的含硅合金中的硅含量为 电解温度通过使用合金作为阴极并进行电解而增加; 其中将用作阴极的含硅合金在电解温度达到硅开始沉淀的浓度之前从电解槽中取出的步骤（2）; 步骤（3）其中硅通过在高于共晶点但低于电解温度的温度范围内冷却所取出的含硅合金来固化硅; 和收集固化硅的步骤（4）。

公开(公告)号：WO2007021035A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：PCT/JP2006/316667

申请日：2006-08-18

Applicant: 住友化学株式会社 ,  三枝 邦夫

Inventor： 三枝 邦夫

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033

Abstract: 珪素の製造方法を提供する。珪素の製造方法は工程(i)を含む。式（１）で示されるハロゲン化シランを金属により還元する工程(i)、ＳｉＨ n Ｘ 4-n 　　　　　　（１）〔式中、ｎは０～３の整数であり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選ばれる少なくとも１つであり、Ｘが複数のとき、複数のＸは互いに同一でも異なってもよい。〕前記金属は、融点が１３００℃以下であり、還元反応時に液相であり、かつその液相の形状は球状又は薄膜状であり、球状の場合その半径をｒ（μｍ）、反応時間をｔ（分）、反応温度をｘ（℃）としたとき、式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を満たし、又は薄膜状の場合その厚みをｒ'（μｍ）、反応時間をｔ（分）、反応温度をｘ（℃）としたとき、式（Ａ'）、（Ｂ'）及び（Ｃ）を満たす。ｌｎ（ｒ／√ｔ）≦（１０．５−７０００／（ｘ＋２７３））　　（Ａ）ｌｎ（ｒ'／√ｔ）≦（１０．５−７０００／（ｘ＋２７３））　（Ａ'）１≦ｒ≦２５０　　　　（Ｂ）１≦ｒ'≦５００　　　　（Ｂ'）４００≦ｘ≦１３００　（Ｃ）

Abstract translation: 一种制备硅的方法，其包括以下步骤：（i）用金属：SiH n X 4-n N还原由通式（1）表示的卤代硅烷; （1）[其中，n为0〜3的整数， X是选自F，Cl，Br和I中的至少一个，条件是多个X可以彼此不同]，其中金属的熔点为1300℃以下， 在卤代硅烷的还原中，呈球状或薄膜状的液相，条件是当液相为球形时，满足关系式（A），（B）和（C），其中r为半径 μm），t为反应时间（min），x为反应温度（℃），而当液相为薄膜形状时，（A'），（B'）和（C） 满足其中r'是薄膜的厚度（μm），t是反应时间（min），x是反应温度（℃）：ln（r / vt）<（10.5-7000 /（x + 273）） （A）ln（r'/ vt）<（10.5-7000 /（x + 273））（A'）1