公开(公告)号：WO2017075108A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/US2016/058952

申请日：2016-10-26

Applicant: SRI INTERNATIONAL

Inventor： SANJURJO, Angel ,  XIE, Xiaobing ,  BAO, Jianer ,  PEREZ-MARIANO, Jordi

IPC: C01B33/033 ,  C01B33/037 ,  C30B29/06 ,  F27B14/10 ,  B01J19/02

CPC classification number: B01J19/02 ,  C01B33/033 ,  C30B11/00 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007 ,  F27B14/10 ,  F27D11/06 ,  F27D2099/0015 ,  Y02P10/253

Abstract: A method for making high purity elemental silicon for solar panel are disclosed. The method comprising a reaction between silicon tetrafluoride and elemental magnesium to generate a reaction product and separating elemental silicon from magnesium fluoride.

Abstract translation: 公开了一种用于制造用于太阳能电池板的高纯度元素硅的方法。 该方法包括四氟化硅与元素镁之间的反应以产生反应产物并从氟化镁中分离元素硅。

公开(公告)号：WO2016066488A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/EP2015/074339

申请日：2015-10-21

Applicant: WACKER CHEMIE AG

Inventor： FORSTPOINTNER, Gerhard ,  WECKESSER, Dirk

IPC: C01B33/033 ,  F23C10/00

CPC classification number: B01J8/24 ,  B01J8/1827 ,  B01J8/1836 ,  B01J2208/00752 ,  B01J2208/00902 ,  C01B33/03 ,  C01B33/033 ,  F23C10/20

Abstract: Gegenstand der Erfindung ist ein Wirbelschichtreaktor zur Herstellung von polykristallinem Siliciumgranulat, umfassend einen Reaktorkopf (10), ein Reaktorrohr (3) und einen Reaktorboden (9), weiterhin umfassend eine Heizvorrichtung, wenigstens eine Bodengasdüse zur Zuführung von Fluidisierungsgas (2) sowie wenigstens eine Sekundärgasdüse zur Zuführung von Reaktionsgas (1), eine Seedzuführeinrichtung (4), um Silicium-Keimpartikel zuzuführen, eine Produktentnahmeleitung (5) für polykristallines Siliciumgranulat sowie eine Einrichtung zum Abführen von Abgas (6), dadurch gekennzeichnet, dass Bodengasdüse, die wenigstens eine Sekundärgasdüse sowie die Produktentnahmeleitung (5) für polykristallines Siliciumgranulat mittels Dichtungen / Packungen (8) gegenüber dem Reaktorboden (9) abgedichtet sind und dass das Reaktorrohr (3) gegenüber dem Reaktorkopf (10) und dem Reaktorboden (9) mittels Dichtungen (7) abgedichtet ist, wobei die Dichtungen / Packungen (7,8) aus Graphit bestehen und weniger als 500 ppmw Phosphor enthalten.

Abstract translation: 本发明涉及一种流化床反应器制备多晶硅颗粒，其包括反应器头部（10），反应器管（3）和反应器的底部（9），还包括一加热装置，至少一个Bodengasdüse用于供给流化气体（2）和至少一个第二气体 用于供给反应气体（1），一个Seedzuführeinrichtung（4）进料硅晶种颗粒，产品移除管线（5），用于多晶硅颗粒和用于排出废气的装置（6），其特征在于Bodengasdüse，所述至少一个第二气体，并 该产品排出管道（5），用于多晶硅的颗粒通过的密封件/封装（8）朝向反应器底部（9）的装置是密封的，并且该反应器管（3）相对于所述反应器头部（10）和所述反应器的底部（9）通过密封件的装置（7）被密封， 其中besteh由石墨制成的密封件/组（7,8） 秒和小于500 ppmw的磷。

公开(公告)号：WO2013011764A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：PCT/JP2012/064582

申请日：2012-06-06

Applicant: 国立大学法人 東京大学 ,  稲澤 晋 ,  山口 由岐夫 ,  上澤 明央 ,  沈 鵬

Inventor： 稲澤　晋 ,  山口　由岐夫 ,  上澤　明央 ,  沈　鵬

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033

Abstract: 【解決課題】　粒径がマイクロメートルサイズであり長期間の蛍光特性を有するシリコン粒子、およびこれを調製する方法を提供することを目的とする 【解決手段】　粒径がマイクロメートルサイズであって粒子の内側から放射状に伸びた多数の突起を有するイガグリ状又は花弁状の形状を有するシリコンマイクロ粒子は、安定な蛍光特性と超撥水性の発現を可能とする。

Abstract translation: [问题]提供粒径为微米级并具有持久荧光特性的硅颗粒和制备硅颗粒的方法。 [解决方案]硅微粒的粒径为微米级，并且具有栗状毛刺或花瓣状，其具有从颗粒内部径向延伸的大量突起。 微粒呈现出稳定的荧光性能，并具有极高的防水性。

公开(公告)号：WO2011078225A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：PCT/JP2010/073132

申请日：2010-12-22

Applicant: JNC株式会社 ,  JX日鉱日石金属株式会社 ,  東邦チタニウム株式会社 ,  籠橋 亘 ,  堀川 松秀 ,  垣内 康輔

Inventor： 籠橋　亘 ,  堀川　松秀 ,  垣内　康輔

IPC: C01B33/02 ,  C01B33/033 ,  C01B33/107

CPC classification number: C01B33/025 ,  C01B33/033 ,  C01B33/035 ,  C01B33/10721

Abstract: 【課題】ポリシリコン製造プロセスにおいて、安価で安定供給が可能な原料を使用することができ、塩素化反応を円滑に進行させ、塩素化反応後の不純物が抑制され、エネルギー効率よく製造することができるポリシリコン及び四塩化ケイ素の製造方法を提供する。 【解決手段】二酸化ケイ素と炭素含有物質から構成された造粒体を塩素化して四塩化ケイ素を生成する塩素化工程と、四塩化ケイ素を還元剤金属で還元してポリシリコンを生成する還元工程と、還元工程で副生した還元剤金属塩化物を溶融塩電解して還元剤金属と塩素ガスを生成させる電解工程とからなり、塩素化工程は、二酸化ケイ素と炭素含有物質に、酸素ガス共存下で塩素ガスを供給してこれらを反応させるものであり、電解工程で生成した還元剤金属を還元工程にて四塩化ケイ素の還元剤として再利用し、電解工程で生成した塩素ガスを塩素化工程にて再利用することを特徴とする。

Abstract translation: 提供制造多晶硅和四氯化硅的方法。 所述方法中使用的多晶硅制造工艺是节能的，并且可以使用廉价的原材料，其供应是稳定的。 所述方法中的氯化反应平稳进行，氯化后杂质最小化。 所提供的方法包括：氯化步骤，通过氯化包含二氧化硅和含碳物质的颗粒产生四氯化硅; 还原步骤，通过使用还原金属来生成多晶硅以还原四氯化硅; 以及通过对由还原步骤作为副产物生成的还原性金属氯化物进行熔盐电解而产生氯气和还原金属的电解步骤。 在氯化工序中，在氧气的存在下，向二氧化硅和含碳物质供给氯气，以使所述物质反应。 在还原步骤中，在电解步骤中产生的还原金属作为四氯化钛的还原剂被再利用，并且在电解步骤中产生的氯气在氯化步骤中重复使用。

公开(公告)号：WO2008153181A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：PCT/JP2008/061000

申请日：2008-06-16

Applicant: ソーラーシリコンテクノロジー株式会社 ,  手塚 博文

Inventor： 手塚 博文

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033

Abstract: 　太陽電池用シリコン原料を低コストで連続的に生成する。 　ガス化した四塩化珪素及びガス化した亜鉛を使用した四塩化珪素の亜鉛還元反応により、数十μｍ～数百μｍ径のシリコンを連続的に製造する。反応炉（１）は、反応室（２）と、生成されたシリコンを取り出すための取出室（３）から構成される。反応室（２）の底板（６）に、亜鉛を供給するための多数の孔が設けられている。また、反応室（２）は、底板（６）から立ち上げられた導入管（２１ａ）から四塩化珪素を供給する。反応室（２）にはキャリアガスと一緒にシリコンシードを供給し、顆粒状のシリコン析出を促進する。

Abstract translation: 本发明提供一种用于制造太阳能电池用硅材料的反应器，其能够以连续的方式低成本地制造太阳能电池用硅材料。 通过四氯化硅与气化四氯化硅和气化锌的锌还原反应连续生产直径为几十微米至几百微米的硅。 反应炉（1）包括用于取出生产的硅的反应室（2）和输出室（3）。 在反应室（2）的底板（6）上设有多个用于供给锌的孔。 四氯化硅通过从底板（6）竖起的引入管（21a）供入反应室（2）。 此外，将硅晶粒与载气一起供应到反应室（2）中以促进颗粒状硅的沉淀。

公开(公告)号：WO2008127120A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：PCT/NO2008/000127

申请日：2008-04-04

Applicant: NORSK HYDRO ASA ,  BAKKE, Per ,  KRISTIANSEN, Kåre

Inventor： BAKKE, Per ,  KRISTIANSEN, Kåre

IPC: C01B33/033 ,  C22B9/05 ,  B01J10/00

CPC classification number: C22B61/00 ,  B01J4/002 ,  B01J2219/182 ,  B01J2219/1923 ,  C01B33/033 ,  C01G9/04 ,  C22B5/04 ,  C22B34/1272

Abstract: A process and equipment for reacting silicon tetrachloride with liquid zinc to produce silicon and zinc chloride the reaction taking place in a reactor (1 ). Silicon tetrachloride gas is injected continuously through one or more nozzles (7) into a flow of molten zinc (5) in a reaction zone (2) of the reactor where the temperature is above the melting temperature of zinc (>419°C) and below the boiling temperature of zinc chloride at 1 atmosphere pressure (732°C). The reaction products, silicon and zinc chloride are collected in a separation zone (3) from which they may be removed. Silicon with high purity is effectively and cheaply produced by the present inventive process and equipment.

Abstract translation: 一种用于使四氯化硅与液态锌反应以生产硅和氯化锌的方法和设备，反应在反应器（1）中进行。 将四氯化碳气体通过一个或多个喷嘴（7）连续注入到反应区（2）中的熔融锌（5）流中，其中温度高于锌的熔融温度（> 419℃），并且 低于氯化锌在1个大气压（732℃）的沸点温度。 反应产物，硅和氯化锌被收集在分离区（3）中，从中可以除去它们。 通过本发明的方法和设备有效且廉价地生产具有高纯度的硅。

公开(公告)号：WO2007119605A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：PCT/JP2007/057044

申请日：2007-03-30

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  阪口 新

Inventor： 阪口 新

IPC: C01B33/033 ,  H01L31/04

CPC classification number: C01B33/033 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 　本発明は、シリコンの塩素化合物を還元することによってシリコンを製造する方法であって、少なくとも、金属を液状粒子とし、該金属の液状粒子を気体状のシリコンの塩素化合物と接触させ、該シリコンの塩素化合物を還元することによってシリコンを生成することを特徴とするシリコンの製造方法及びシリコンの製造装置であって、少なくとも、金属の粒子と気体状のシリコンの塩素化合物とを反応させる反応容器と、前記反応容器を加熱する手段と、前記反応容器内に前記金属の粒子を供給する手段と、前記反応容器内に前記シリコンの塩素化合物を供給する手段と、前記反応容器内の流体を排出する手段と、生成したシリコンを捕集するための容器とを備えることを特徴とするシリコンの製造装置である。これにより、低コストの太陽電池用シリコン多結晶を製造する方法及びその装置が提供される。

Abstract translation: 公开了一种通过还原硅的氯化物来制造硅的方法，其特征在于至少将金属形成液体颗粒，并使金属液体颗粒与硅的气态氯接触，从而通过还原 硅的氯化物。 还公开了一种用于生产硅的装置，其特征在于，至少包括用于使金属颗粒和硅的气态氯反应的反应室，用于加热反应室的装置，用于将金属颗粒供应到反应室中的装置， 用于将硅氯化物供应到反应室中的装置，用于从反应室排出流体的装置以及用于收集生成的硅的容器。 因此，可以通过这样的方法和装置制造用于太阳能电池的低成本硅多晶体。

公开(公告)号：WO2006096201A9

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：PCT/US2005027028

申请日：2005-07-28

Applicant: EVERGREEN SOLAR INC ,  KAUZLARICH SUSAN M ,  BALDWIN RICHARD K

Inventor： KAUZLARICH SUSAN M ,  BALDWIN RICHARD K

IPC: C01B33/033 ,  C30B7/00 ,  C30B29/66

CPC classification number: C01B33/021 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/033 ,  C30B7/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/605

Abstract: Group IV nanocrystals, such as, for example, silicon nanocrysals and germanium nanocrystals, with chemically accessible surfaces are produced in solution reactions. Group IV halides can be reduced in organic solvents such as 1,2-dimethoxyethane (glyme), with soluable reducing agents to give halide-terminated group IV nanocrystals, which can then be easily functionalized with alkyl lithium, Grignard or other reagents to synthesize group IV nanocrystals having air and moisture stable surfaces. Synthesis can occur at ambient temperature and pressure.

Abstract translation: 在溶液反应中产生具有化学可接近表面的IV族纳米晶体，例如硅纳米结晶和锗纳米晶体。 可以在有机溶剂如1,2-二甲氧基乙烷（甘醇二甲醚）中用可溶还原剂还原IV族卤化物，得到卤化物封端的IV族纳米晶体，然后可以用烷基锂，格利雅或其他试剂进行官能化，合成基团 IV纳米晶体具有空气和湿度稳定的表面。 合成可以在环境温度和压力下进行。

公开(公告)号：WO2006100114A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：PCT/EP2006/002937

申请日：2006-03-24

Applicant: UMICORE ,  ROBERT, Eric ,  ZIJLEMA, Tjakko

Inventor： ROBERT, Eric ,  ZIJLEMA, Tjakko

IPC: C01B33/033 ,  C01B33/037 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C01B33/033 ,  C01B33/037 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to the manufacture of high purity silicon as a base material for the production of e.g. crystalline silicon solar cells. SiCU is converted to Si metal by contacting gaseous SiCU with liquid Zn, thereby obtaining a Si-bearing alloy and Zn-chloride, which is separated. The Si-bearing alloy is then purified at a temperature above the boiling point of Zn. This process does not require complicated technologies and preserves the high purity of the SiCU towards the end product, as the only reactant is Zn, which can be obtained in very high purity grades and continuously recycled.

Abstract translation: 本发明涉及制造高纯度硅作为生产例如氧化硅的基础材料。 晶体硅太阳能电池。 通过使气态SiCU与液态Zn接触将SiCU转化为Si金属，从而得到分离的含Si的合金和Zn-氯化物。 然后在高于Zn沸点的温度下纯化含Si的合金。 该方法不需要复杂的技术，并且保留了SiCU对最终产物的高纯度，因为唯一的反应物是Zn，其可以以非常高的纯度等级获得并且连续再循环。

公开(公告)号：WO2003059814A1

公开(公告)日：2003-07-24

申请号：PCT/DE2003/000115

申请日：2003-01-17

Applicant: WACKER-CHEMIE GMBH ,  DOW CORNING CORPORATION ,  AUNER, Norbert

Inventor： AUNER, Norbert

IPC: C01B33/033

CPC classification number: C01B33/033

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Silicium beschrieben, bei dem Si0 2 oder Silikate mit Fluorwasserstoff oder einem Fluorid eines Metalls der Gruppe I oder II des Periodensystems oder Hexafluorosilikate thermisch zu SiF 4 umgesetzt werden. Das erhaltene SiF 4 wird mit einem Metall der Gruppe I oder II des Periodensystems oder zu Si und einem Metallfluorid reduziert. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass es einen in sich geschlossenen Produktionsprozess darstellt, bei dem wenig bzw. gar keine Nebenprodukte anfallen und die für die Umsetzung benötigten Reaktionsteilnehmer weitgehend aus den Edukten des Verfahrens gewonnen werden.

Abstract translation: 提供了一种用于生产描述可以与SiO 2或与氟化氢或I族或周期表或六氟硅酸盐热的SiF 4的II的金属的氟化物硅酸盐反应的硅的方法。 得到的四氟化硅与I族或周期系或Si和金属氟化物的II的金属还原。 该方法的特征在于，它代表一个独立的制造工艺，其中招致的副产物和反应所需反应物几乎没有或没有在很大程度上从工艺的起始材料得到。