公开(公告)号：WO2007145279A1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：PCT/JP2007/061993

申请日：2007-06-14

申请人： 古河電気工業株式会社 ,  新山 勇樹 ,  大友 晋哉 ,  品川 達志 ,  野村 剛彦 ,  吉田 清輝 ,  神林 宏

发明人： 新山 勇樹 ,  大友 晋哉 ,  品川 達志 ,  野村 剛彦 ,  吉田 清輝 ,  神林 宏

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7835

摘要： 　基板の上にアクセプタとドナーを含んで成長されたIII族窒化物半導体層と、III族窒化物半導体層上に形成されてアクセプタの濃度とドナーの濃度に基づいて所定の閾値電圧となる厚さに制御されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の側方に間隔をおいてIII族窒化物半導体層上に直接又は高ドーパント濃度領域を介して形成された第１のソース／ドレイン電極と、ゲート電極及び第１のソース／ドレイン電極から離れてIII族窒化物半導体層の上又は下に直接又は高ドーパント濃度領域を介して形成された第２のソース／ドレイン電極とを有するIII族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ。

摘要翻译： 提供了使用III族氮化物半导体的常关场效应晶体管。 晶体管设置有通过包括受体和供体在衬底上生长的III族氮化物半导体层; 基于所述受体和所述供体的浓度，形成在所述III族氮化物半导体层上以具有规定阈值电压的厚度的栅极绝缘膜; 形成在栅极绝缘膜上的栅电极; 形成在栅电极侧的III族氮化物半导体层上的间隔的第一源极/漏极，直接或者通过在其间具有高掺杂浓度区域; 以及在III族氮化物半导体层上或下方形成为远离栅极和第一源极/漏极的第二源极/漏极，直接或通过在其之间具有高掺杂剂浓度区域。