公开(公告)号：WO2005093119A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/005661

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新電機株式会社 ,  東名 敦志 ,  高橋 英治 ,  藤原 将喜 ,  小寺 隆志 ,  小野田 正敏

Inventor： 東名 敦志 ,  高橋 英治 ,  藤原 将喜 ,  小寺 隆志 ,  小野田 正敏

IPC: C23C14/14

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3471

Abstract: 成膜室(10)と、該室内に設置されたシリコンスパッタターゲット(2)と、該室内へ水素ガスを供給する水素ガス供給回路(102又は102')と、成膜室(10)内に供給される水素ガスに高周波電力を印加して誘導結合プラズマを発生させる高周波電力印加装置(アンテナ1、1'、電源PW等)とを備え、該プラズマによりターゲット(2)をケミカルスパッタリングして基板S上にシリコン膜を形成するシリコン膜形成装置。シランガスを併用してもよい。シランガス供給回路(101)にはガス溜め部(GR)を設けてもよい。比較的低温下で、安価に、さらに高速に所望のシリコン膜を形成できる。

Abstract translation: 硅成膜设备设置有成膜室（10），设置在室中的硅溅射靶（2），用于向室供应氢气的氢气供应回路（102或102'）， 用于向在所述成膜室（10）中供应的氢气施加高频电力以产生电感耦合等离子体的高频电力施加装置（天线（1,1'），电源PW等）。 硅膜形成设备通过用等离子体化学溅射靶（2）在衬底S上形成硅膜。 硅烷气可以同时使用。 可以在硅烷气体供给回路（101）上设置储气罐（GR）。 可以以较低的成本和较高的速度在较低的温度下形成所需的硅膜。