公开(公告)号：WO2014041904A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：PCT/JP2013/070291

申请日：2013-07-26

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 倉世古絵美 ,  高田進 ,  鈴木基之 ,  田中正太郎

IPC: B32B3/30 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: B32B3/30 ,  B32B3/28 ,  B32B7/12 ,  B32B27/00 ,  B32B37/025 ,  B32B38/10 ,  B32B2307/536 ,  B32B2311/005 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/12 ,  B32B2457/20 ,  B32B2551/00 ,  C09J201/00 ,  Y10T428/24983 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/2848

Abstract: 　被転写体に凹凸形状を有する転写層が積層された積層体を製造する方法であって、凹凸形状を有する支持フィルムの上に転写層が積層された転写フィルムであって、該転写層が形状保持層と接着層を含み、該形状保持層および該接着層が共に金属アルコキシドの重縮合生成物を含み、かつ、支持フィルムと形状保持層と接着層とがこの順で積層された転写フィルムを得る第１の工程、および、前記第１の工程で作製した転写フィルムの接着層表面と被転写体を対向および接触させて被転写体と転写フィルムを含む積層体を得る第２の工程、前記第２の工程で得られた積層体から、前記支持フィルムを除去する第３の工程、を含む、凹凸形状付積層体の製造方法。煩雑な工程を経ることなく、耐熱性の高い凹凸形状付積層体を製造する方法を提供する。

Abstract translation: 一种制造层叠体的方法，其中具有不平坦形状的转印层被层压在被转印物体上，所述制造具有不平坦形状的层压体的方法包括：第一步骤，用于获得其中转印层被层压的转印膜 在具有不平坦形状的支撑膜上，转印层包括形状保持层和粘合剂层，形状保持层和粘合剂层都包含金属醇盐缩聚产物，并且支撑膜，形状保持层和 粘合剂层按此顺序层压; 第二步骤，用于使在第一步骤中制造的转印膜和粘合剂层的表面面对或接触，并获得包含转印体和转印膜的层压体; 以及第三步骤，用于从第二步骤中获得的层压体中除去支撑膜。 提供一种制造具有不规则形状的高耐热性层压体的方法，而不涉及复杂的工艺。

公开(公告)号：WO2012115132A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：PCT/JP2012/054223

申请日：2012-02-22

Applicant: 東レ株式会社 ,  倉世古絵美 ,  高田進 ,  鈴木基之

Inventor： 倉世古絵美 ,  高田進 ,  鈴木基之

IPC: B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32

CPC classification number: B44C1/17 ,  B29C47/0004 ,  B29C47/0021 ,  B29C47/065 ,  C08J5/18 ,  C08J2383/04 ,  C08L83/04 ,  H01L31/02366 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/265

Abstract: 　支持体フィルム上に、厚みが０．０１～１０μｍの転写層が積層された転写フィルムであって、転写層がシロキサンオリゴマーを含み、転写層のＸ線光電子分光測定による炭素、酸素およびケイ素の各原子数の合計に対するケイ素原子の含有率が５～３３％である転写フィルム。大面積の被転写体に、簡易な製造プロセスで欠点なく転写層を付与するための転写フィルムを提供する。

Abstract translation: 本发明是一种转印膜，其中厚度为0.01至10μm的转印层层压在支撑膜上，其中转印层包含硅氧烷低聚物，转印层含有5至33的硅原子 相对于通过X射线光电子能谱测定的碳，氧和硅原子总数的百分比。 提供了一种转印膜，其在简单的制造过程中将转印层完美地施加到具有大面积的转印接收体。

公开(公告)号：WO2013161095A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2012/070362

申请日：2012-08-09

Applicant: 東レ株式会社 ,  高田進 ,  倉世古絵美 ,  鈴木基之

Inventor： 高田進 ,  倉世古絵美 ,  鈴木基之

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/58 ,  B32B37/025 ,  B32B38/10 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2323/00 ,  B32B2333/00 ,  B32B2361/00 ,  B32B2379/08 ,  B32B2457/20 ,  C30B33/08 ,  H01L33/005 ,  H01L33/22 ,  H01L2933/0058

Abstract: 　本発明の目的は、簡易な製造プロセスで、結晶基板の表面のパターン加工の微細化や、結晶基板の大径化に優れた、凹凸構造を有する結晶基板の製造方法を提供することにある。　工程（Ａ）～（Ｃ）を含む凹凸構造を有する結晶基板の製造方法。 （Ａ）凹部の幅ｗが０．０５～１００μｍ、凹部の深さｄが０．０５～１０μｍ、前記凹部の深さｄと前記凹部の幅ｗとの比ｄ／ｗが１．５以下である凹凸形状を表面に有する支持体フィルムの凹凸形状を有する面に、残膜厚みｈが０．０１～１μｍとなるように凹凸膜を形成する転写フィルム形成工程 （Ｂ）前記転写フィルムを結晶基板の上に積層した後、前記凹凸膜を結晶基板上に転写して凹凸膜付き結晶基板とする転写工程 （Ｃ）前記凹凸膜付き結晶基板をエッチングして結晶基板の表面に凹凸構造を形成するエッチング工程

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有不平坦结构的晶体基板的制造方法，其需要简单的制造工艺，并且能够在晶体基板的表面上精炼图案处理和晶体基板的直径的增加 ，其包括步骤（A）至（C）：（A）形成凹凸宽度（w）在0.05以下的不平坦形状的支撑膜的表面上形成有凹凸膜的转印膜的工序 凹陷深度（d）为0.05μm〜10μm，凹部深度（d）与凹部宽度（w）的比（d / w）为1.5以下，凹凸膜 在表面上形成残留膜厚度（h）在0.01μm和1μm之间; （B）转印步骤，其中在将转印膜层压到晶体基板上以形成不均匀的膜涂覆的晶体基板之后，将不平坦膜转印到晶体基板上; 和（C）蚀刻步骤，其中蚀刻不均匀的膜涂覆的晶体衬底以在晶体衬底的表面上形成不均匀结构。