公开(公告)号：WO2006022334A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：PCT/JP2005/015444

申请日：2005-08-25

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  定免 美保 ,  原 謙一

Inventor： 定免 美保 ,  原 謙一

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/28 ,  C23C18/36 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/38 ,  C23C18/54 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76874 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、絶縁膜をエッチングして凹部を形成する工程と、前記凹部に銅を埋め込んで銅配線を形成する工程と、カルボキシル基を有する有機酸の溶液にパラジウムを溶かしてなる置換めっき液を用いて、前記凹部に埋め込まれた銅の表面をパラジウム置換めっきする工程と、パラジウム置換めっきされた銅の表面に、無電解めっき液を用いて密着層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法，其特征在于它包括蚀刻绝缘膜，形成凹部的步骤，用铜填充凹部的步骤，以形成铜布线;对 通过使用通过将钯溶解在具有羧基的有机酸的溶液中制备的置换镀液，将上述凹部填充到具有钯的置换镀覆的铜，以及在具有羧基的表面上形成附着层的步骤 通过使用无电解镀液将铜层置换为钯。

公开(公告)号：WO2006022133A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：PCT/JP2005/014445

申请日：2005-08-05

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  原 謙一 ,  定免 美保

Inventor： 原 謙一 ,  定免 美保

IPC: C23C18/31 ,  H01L21/288

CPC classification number: C23C18/1628 ,  C23C18/1619 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849

Abstract: 　基板保持部に保持された基板の表面に対向するように温調用流体の通流室をなす上部温調体を設け、この中に無電解めっき液の供給路を引き回して温調用流体と無電解めっき液との間で熱交換させ、その下面側から無電解めっき液を吐出して上部温調体と基板との間に満たすようにする。また基板の裏面側に下部温調体を設けてこの中に温調用流体を通流させ、ここで裏面側用流体例えば純水と熱交換して当該純水を温調し、この純水により基板の裏面と下部温調体との間を満たすようにする。したがって、半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成することができる。

Abstract translation: 提供用于温度控制流体的循环室的上部温度控制器与保持在基板保持部分上的基板的表面相对设置。 在上部温度控制器中，将用于化学镀溶液的供给通道拉出以实现温度控制流体和化学镀溶液之间的热交换。 化学镀溶液从上部温度控制器的底侧排出，以填充上部温度控制器和基板之间的间隙。 此外，在基板的背面设置有较低的温度控制器，并且在其中循环温度控制流体。 在较低的温度控制器中，进行与背面的流体例如纯水的热交换。 因此，实现纯水的温度控制，并且衬底背面和下部温度控制器之间的间隙充满纯水。 因此，在半导体装置的制造方法的一部分中，例如，对嵌入在层间绝缘膜中的布线材料的表面进行化学镀处理，可以以预期的膜厚形成化学镀膜， 平面同质性和平面内同质性。

公开(公告)号：WO2004029328A1

公开(公告)日：2004-04-08

申请号：PCT/JP2003/006499

申请日：2003-05-23

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  丸茂 吉典 ,  佐藤 浩 ,  定免 美保

Inventor： 丸茂 吉典 ,  佐藤 浩 ,  定免 美保

IPC: C23C18/31

CPC classification number: H01L21/6715 ,  C23C18/28 ,  H01L21/288

Abstract: 　無電解メッキ膜に含有される還元剤に対して触媒活性を有する触媒活性材料からなる触媒活性核を拡散制限層（例えば、バリア層）上に形成した後に、無電解メッキ液を用いて無電解メッキを行う。触媒活性核によって無電解メッキ膜に含有される還元剤の反応が促進され、バリア層上への無電解メッキ膜の形成を行うことができる。

Abstract translation: 一种无电极电镀方法，其包括形成催化活性核，其包含对扩散抑制层（例如阻挡层）上的化学镀溶液中所含的还原剂具有催化活性的催化活性材料，然后进行无电极 使用无电镀液进行电镀。 该方法允许通过催化活性核加速化学镀溶液中包含的还原剂的反应，在阻挡层上形成无电镀涂层。

公开(公告)号：WO2004027114A1

公开(公告)日：2004-04-01

申请号：PCT/JP2003/006498

申请日：2003-05-23

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  丸茂 吉典 ,  定免 美保 ,  小宮 隆行 ,  佐藤 浩 ,  鄭 基市

Inventor： 丸茂 吉典 ,  定免 美保 ,  小宮 隆行 ,  佐藤 浩 ,  鄭 基市

IPC: C23C18/31

CPC classification number: C23C18/1619 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1678

Abstract: 　基板保持部に保持された基板とプレートとの間隔を近接させ、処理液吐出部から処理液を吐出することで、基板に無電解メッキを施す。処理液が基板とプレート間のギャップを流れることから、基板上に処理液の流れが生じ、基板上に新鮮な処理液を供給することが可能となる。この結果、処理液が少量の場合でも基板上に均一性良くメッキ膜を形成することが可能となる。

Abstract translation: 将板放置在由基板保持部保持的基板附近。 处理液从处理液喷射部喷出，由此无电解地镀覆基板。 处理液体流过基板和板之间的间隙。 因此，处理液的流动发生在基板上。 结果，可以将新鲜的处理液体供应到基底上。 因此，即使处理液的量少，也可以在基板上非常均匀地形成镀膜。