マイクロ波プラズマ処理装置及びプラズマ処理用ガス供給部材
    1.
    发明申请
    マイクロ波プラズマ処理装置及びプラズマ処理用ガス供給部材 审中-公开
    微波等离子体处理装置和等离子体处理气体供应部件

    公开(公告)号:WO2004081254A1

    公开(公告)日:2004-09-23

    申请号:PCT/JP2004/003202

    申请日:2004-03-11

    Abstract:  処理基体に均一な薄膜を形成できるマイクロ波プラズマ処理装置及びガス供給部材を提供する。プラズマ処理室内の中心軸上に処理対象である基体を固定する固定手段と、基体の内部及び外部を減圧する排気手段と、基体の内部にあってプラズマ処理室と半同軸円筒共振系をなす金属製の処理用ガス供給部材と、プラズマ処理室にマイクロ波を導入して処理を行うマイクロ波導入手段とを有するマイクロ波プラズマ処理装置において、固定手段の基体を把持する部分の所定位置にマイクロ波封止部材を設けるとともに、マイクロ波導入手段の接続位置をプラズマ処理室の内部に形成される電界強度分布のうち、電界の弱い所定位置に設定した構成としてある。

    Abstract translation: 微波等离子体处理装置和能够在待加工基板上形成均匀薄膜的气体供给部件。 微波等离子体处理装置包括:将待处理基板固定在等离子体处理室中的中心轴上的固定装置,对基板内部和外部进行减压的排气装置;存在于基板中的金属加工气体供给部件;以及 与等离子体处理室一起形成可折入的圆柱形谐振系统,以及将微波引入等离子体处理室以进行处理的装置,其中微波密封构件设置在固定装置的基板保持部分的指定位置 并且微波引入装置的连接位置被设定在等离子体处理室内形成的场强分布之外的特定的弱磁场位置。

    加熱電極及びそれを用いた被加熱材の加熱方法
    2.
    发明申请
    加熱電極及びそれを用いた被加熱材の加熱方法 审中-公开
    加热电极和使用加热电极加热材料的方法

    公开(公告)号:WO2009008421A1

    公开(公告)日:2009-01-15

    申请号:PCT/JP2008/062323

    申请日:2008-07-08

    CPC classification number: H05B6/54 A23L3/10 A23L5/15 H05B3/0004 H05B3/03

    Abstract: 【課題】不定形な被加熱材を均一に加熱することができ、且つ加熱電極による被加熱材の加熱・保持搬送を安定して行うことができる加熱電極及びそれを用いた食材の加熱方法を提供する。 【解決手段】導電性ピンから成る複数のピン電極10の集合体をピン支持台20の貫通穴21に摺動可能に配設し、ピン支持台20に圧力が可変する圧力可変ガスチャンバ30を結合し、上記ガスチャンバ30を加圧または減圧することにより、ピン電極10をピン支持台20に対し相対変位させる。

    Abstract translation: 本发明提供一种加热电极,其可均匀地加热被加热材料并具有不规则形状,并能够稳定地进行由加热电极加热的材料的加热/保持输送; 以及通过使用加热电极来加热食物的方法。 用于解决问题的手段由导电销形成的销电极(10)的组件可滑动地布置在销支撑台(20)的通孔(21)中。 其压力可变的压力变化气室(30)连接到销支撑台(20)。 通过对气室(30)施加加压或负压,针电极(10)相对于销支撑台(20)移位。

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