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公开(公告)号:WO2010035313A1
公开(公告)日:2010-04-01
申请号:PCT/JP2008/067164
申请日:2008-09-24
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C23C16/482 , C23C16/407 , C23C16/452 , C23C16/45523
Abstract: 本発明は、基板の加熱処理の低温化が可能であり、成膜される金属酸化膜の種類が限定されること無く、かつ抵抗値の低い金属酸化膜を成膜することができる金属酸化膜の成膜方法を提供することを目的とする。そして、本発明に係る金属酸化膜の成膜方法では、(A)金属を含む溶液(4,8)をミスト化させる工程と、(B)基板(2)を加熱する工程と、(C)加熱中の基板の第一の主面上に、ミスト化された溶液とオゾンとを供給する工程とを、備えている。
Abstract translation: 公开了一种用于制造金属氧化物膜的方法,其中可以减少用于加热基材的温度,这使得能够生产任何类型的金属氧化物膜,并且能够生产具有低电阻率的金属氧化物膜 值。 具体公开了一种金属氧化物膜的制造方法,其特征在于,包括以下工序:(A)产生含金属溶液(4,8)的雾状物。 (B)加热基材(2); 和(C)在加热基材的同时将溶液和臭氧的雾供给到基材的第一主表面上。
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2.酸化亜鉛膜(ZnO)または酸化マグネシウム亜鉛膜(ZnMgO)の成膜方法および酸化亜鉛膜または酸化マグネシウム亜鉛膜の成膜装置 审中-公开
Title translation: 氧化锌(ZnO)薄膜或氧化镁(ZnMgO)薄膜的制造方法,氧化锌薄膜或氧化镁薄膜的制造方法公开(公告)号:WO2010035312A1
公开(公告)日:2010-04-01
申请号:PCT/JP2008/067159
申请日:2008-09-24
Applicant: 東芝三菱電機産業システム株式会社 , 白幡 孝洋 , 織田 容征 , 吉田 章男 , 小倉 正久
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C23C16/4486 , C23C16/407 , C23C16/452 , C23C16/45523 , C23C16/482 , C23C18/12 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1291 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02628
Abstract: 本発明は、透過率の高い酸化亜鉛膜または酸化マグネシウム亜鉛膜の成膜方法を提供することを目的とする。そして、本発明に係る酸化亜鉛膜または酸化マグネシウム亜鉛膜の成膜方法では、(A)亜鉛または亜鉛とマグネシウムを含む溶液(4,8)をミスト化させる工程と、(B)基板(2)を加熱する工程と、(C)加熱中の基板の第一の主面上に、ミスト化された溶液とオゾンとを供給する工程とを、備えている。
Abstract translation: 公开了一种具有高导磁率的氧化锌膜或氧化锌镁膜的制造方法。 具体公开了一种氧化锌膜或氧化镁锌膜的制造方法,其特征在于,包括以下工序:(A)产生含有锌或锌两者的溶液(4,8)的雾状物; (B)加热基材(2); 和(C)在加热基材的同时将溶液和臭氧的雾供给到基材的第一主表面上。
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