公开(公告)号：WO2009086724A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：PCT/CN2008/001842

申请日：2008-11-04

Applicant: 清华大学 ,  周济 ,  王睿 ,  赵宏杰

Inventor： 周济 ,  王睿 ,  赵宏杰

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/553 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/14 ,  C03C3/062 ,  C03C3/112 ,  C03C10/16 ,  C03C12/00 ,  C04B35/553 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/445 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1209

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷粉及其专用原料与应用。该陶瓷粉的原料包括：20-80质量份的SiO2、10-50质量份的AlF3和0～30质量份的调节剂。本发明将制备陶瓷粉的原料混匀粉碎后，在1200～1400℃下熔制成液态玻璃，淬火，得到陶瓷粉。本发明的低温共烧陶瓷粉具有以下优点：（1）烧结温度低（750-850℃），烧结收缩率可控；（2）用该陶瓷粉制备的陶瓷块体的介电常数在4.5～10（1MHz）之间可调，介电损耗在0.002以下；机械强度高，制备工艺简单；（3）可以应用于陶瓷基板，谐振器等电子器件以及其他微电子封装。

公开(公告)号：WO2022170751A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：PCT/CN2021/113664

申请日：2021-08-20

Applicant: 清华大学 ,  北京清华长庚医院

Inventor： 赵乾 ,  池中海 ,  郑卓肇 ,  孟永钢 ,  周济

IPC: G01R33/38 ,  A61B5/055

Abstract: 一种磁场增强装置（20），第一电极层（110）设置于第一表面（101），第二电极层（120）设置于第一表面（101），并位于第一电容区（11），第二电极层（120）与第一电极层（110）位于第一电容区（11）的部分间隔设置，第三电极层（130）设置于第一表面（101），并位于第二电容区（12），第三电极层（130）与第一电极层（110）位于第二电容区（12）的部分间隔设置，第一谐振电容（911）的一端与第二电极层（120）电连接，第一谐振电容（911）的另一端与第一电极层（110）位于第一电容区（11）的部分电连接，相邻两个磁场增强组件（10）的第二电极层（120）与第一电极层（110）位于第一电容区（11）的部分连接，第二谐振电容（921）的一端与第三电极层（130）电连接，第二谐振电容（921）的另一端与第一电极层（110）位于第二电容区（12）的部分电连接，相邻两个磁场增强组件（10）的第三电极层（130）与第一电极层（110）位于第二电容区（12）的部分连接。

公开(公告)号：WO2022179491A1

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：PCT/CN2022/077243

申请日：2022-02-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 文永正 ,  王陈 ,  周济

IPC: G02F1/37 ,  G02F1/355

Abstract: 一种基于超材料的太赫兹二次谐波产生器件和产生方法。该器件包括超材料。超材料包括：衬底(3)，设置在衬底(3)上的单个谐振单元或者以阵列形式设置在衬底(3)上的多个谐振单元；谐振单元包括场增强结构(1)和耦合结构(2)，并且耦合结构(2)处于场增强结构(1)的局域磁场增强的位置和/或局域电场增强的位置。结构紧凑，设计自由度高，可在室温下产生太赫兹二次谐波，并可与现有微纳加工工艺兼容。