公开(公告)号：WO2006098432A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：PCT/JP2006/305405

申请日：2006-03-17

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  細野 秀雄 ,  平野 正浩 ,  平松 秀典 ,  神谷 利夫 ,  柳 博 ,  本光 英治

Inventor： 細野 秀雄 ,  平野 正浩 ,  平松 秀典 ,  神谷 利夫 ,  柳 博 ,  本光 英治

IPC: H01F10/193 ,  C01B25/16 ,  C04B35/50 ,  H01F1/40 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01F10/193 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/42 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/407 ,  Y10T428/325

Abstract: 磁性イオンとして、d原子軌道に５個の電子を有する遷移金属イオン（Mn ２＋ ,Fe ３＋ ,Ru ３＋ ,Re ２＋ ,又はOs ３＋ ）を、少なくとも１種類含み、電子キャリアの注入によりｎ型電気伝導、及びホールキャリヤの注入によりｐ型電気伝導を発現することを特徴とする磁性半導体材料。具体例としては、化学式ＬｎＭｎＯＰｎ（Ｌｎは、Y、及びLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、又はLuの希土類元素のうちから選ばれた少なくとも１種、Ｐｎは、N、P、As、Bi、又はSbのプニコゲン元素のうちから選ばれた少なくとも１種）で示されるオキシプニクタイド層状化合物が挙げられる。この磁性半導体材料の薄膜からなる磁性ｐｎホモ接合構造を用いて、高感度な磁気センサー、電流センサー及びメモリーデバイスを作成することができる。

Abstract translation: 一种磁性半导体材料，其特征在于它包括至少一种类型的过渡金属离子（Mn 2+，Fe 3+，N 3+），Ru 3+ 在其d原子轨道中具有五个电子的SUP>，Re 2+或O 3+ +）作为磁性离子，并且通过注入表现出n型导电 的电子载体和通过注入空穴载体的p型导电。 具体地说，上述材料包括由化学式LnMnOPn表示的氧化钛叠层化合物，其中Ln是选自Y中的至少一种和La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb， Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu，Pn是选自N，P，As，Bi和Sb中的至少一种。 可以通过使用包括上述磁性半导体材料的薄膜的磁性pn均质结构来制造表现出高灵敏度的磁传感器，电流传感器和存储器件。

公开(公告)号：WO2009119216A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/JP2009/053062

申请日：2009-02-20

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  細野 秀雄 ,  柳 博 ,  神谷 利夫 ,  松石 聡 ,  金 聖雄 ,  尹 錫奎 ,  平松 秀典 ,  平野 正浩 ,  神原 陽一 ,  野村 尚利

Inventor： 細野 秀雄 ,  柳 博 ,  神谷 利夫 ,  松石 聡 ,  金 聖雄 ,  尹 錫奎 ,  平松 秀典 ,  平野 正浩 ,  神原 陽一 ,  野村 尚利

IPC: C01B25/08 ,  C01G1/00 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: C01G55/002 ,  C01B25/088 ,  C01G49/009 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/22 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  H01L39/125

Abstract: 　ペロブスカイト型銅酸化物に代わる新しい化合物組成からなる超伝導体を見出すこと。  　化学式Ａ（ＴＭ） ２ Ｐｎ ２ ［ただし、Ａは、１族元素、２族元素又は３族元素（Ｓｃ，Ｙ及び希土類金属元素）から選ばれる少なくとも１種、ＴＭは、Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの遷移金属元素から選ばれる少なくとも１種、Ｐｎは、１５族元素（プニコゲン元素）から選ばれる少なくとも１種である。］で表され、（ＴＭ）Ｐｎ層とＡ元素からなる金属層とが交互に重なる無限層結晶構造を有する化合物からなることを特徴とする超伝導体。

Abstract translation: 一种超导体，其包含取代钙钛矿铜氧化物的新化合物组合物。 超导体的特征在于包含由化学式A（TM）2Pn2表示的化合物[其中A是选自组1中的元素，组2中的元素或组3中的元素（Sc ，Y和稀土金属元素）; TM是选自过渡金属元素Fe，Ru，Os，Ni，Pd或Pt中的至少一种; 并且Pn是选自第15族元素（pnicogen元素）中的至少一种元素]，并且其具有包含与元素（A）的金属层交替的（TM）Pn层的无限层晶体结构。

公开(公告)号：WO2009104611A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：PCT/JP2009/052714

申请日：2009-02-17

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  細野 秀雄 ,  神原 陽一 ,  平野 正浩 ,  神谷 利夫 ,  柳 博

Inventor： 細野 秀雄 ,  神原 陽一 ,  平野 正浩 ,  神谷 利夫 ,  柳 博

IPC: C01G1/00 ,  C01B25/00 ,  C01G49/00 ,  C01G53/00

CPC classification number: C01G53/006 ,  C01G49/009 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/78 ,  C01P2002/88 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/447 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/445 ,  H01L39/125

Abstract: 化学式ＬｎＴＭＯＰｈ［Ｌｎは、Ｙ及び希土類金属元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ）の少なくとも一種であり、ＴＭは、遷移金属元素（Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ）の少なくとも一種であり、Ｐｎは、プニクタイド元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）の少なくとも一種である。］で示され、ＺｒＣｕＳｉＡｓ型（空間群Ｐ４／ｎｍｍ）の結晶構造を有し、該化合物の酸素イオンを一価の陰イオン（Ｆ - ，Ｃｌ - ，Ｂｒ - ）の少なくとも一種で一部置換した構造か、Ｌｎイオンを四価の金属イオン（Ｔｉ 4+ ，Ｚｒ 4+ ，Ｈｆ 4+ ，Ｃ 4+ ，Ｓｉ 4+ ，Ｇｅ 4+ ，Ｓｎ 4+ ，Ｐｂ 4+ ）の少なくとも一種で一部置換した構造か、又はＬｎイオンを二価の金属イオン（Ｍｇ 2+ ，Ｃａ 2+ ，Ｓｒ 2+ ，Ｂａ 2+ ）の少なくとも一種で一部置換した構造を有し、置換量に応じてＴｃが制御され得る超伝導化合物。

Abstract translation: 公开了一种超导化合物，其具有通过以下化学式表示的化合物的氧离子部分取代的结构：LnTMOPh（其中Ln表示选自Y中的至少一种元素和稀土金属元素（La，Ce， Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu）; TM表示选自过渡金属元素（Fe，Ru，Os，Ni，Pd和Pt）中的至少一种元素。 并且Pn表示选自pnictide元素（N，P，As和Sb）中的至少一种元素，并且具有ZrCuSiAs型晶体结构（空间群P4 / nmm），至少一种一价阴离子（F-，Cl- 或Br-），超导化合物或者具有通过用至少一种四价金属离子（Ti 4+，Zr 4+，Hf 4+，C 4+，Si 4+，Ge 4+，Sn 4+或Pb 4+）部分取代化合物的Ln离子或结构 通过用至少一种二价金属离子（Mg 2+，C。）部分地代替化合物的Ln离子获得 a2 +，Sr2 +或Ba2 +）。 超导化合物的Tc根据化合物的取代量进行控制。