公开(公告)号：WO2012099089A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：PCT/JP2012/050773

申请日：2012-01-17

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  古戸 聖浩

Inventor： 古戸　聖浩

IPC: C04B35/50 ,  G01K7/16 ,  H01C7/04

CPC classification number: H01L37/00 ,  C04B35/462 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/768 ,  C22C19/03 ,  C22C29/12 ,  G01K3/005 ,  G01K7/16 ,  H01C7/045 ,  H01F1/407

Abstract: 　実使用温度において、金属－絶縁体転移が生じるとともに、十分な強度を有し、よって扱いやすい、半導体セラミックを用いて構成される半導体セラミック素子を提供する。　半導体セラミック素子（１）は、希土類元素と、ニッケルと、チタンとを含有するペロブスカイト型またはパイロクロア型酸化物からなり、ニッケルは、その一部が還元されて金属ニッケルとして存在している、半導体セラミックからなる素子本体（２）と、素子本体２を挟んで形成される１対の電極（３，４）とを備える。この半導体セラミック素子（１）は、実使用温度域内で、急激な抵抗変化を示し、温度センサとして有利に用いることができる。

Abstract translation: 提供一种半导体陶瓷元件，其使用半导体陶瓷，其中在实际使用温度下发生金属 - 绝缘体转变，其具有足够的强度并且因此易于处理。 半导体陶瓷元件（1）包括：由半导体陶瓷构成的元件体（2），其包含含有稀土元素的钙钛矿型或热解型氧化物，镍和钛，部分镍被还原和存在 作为金属镍; 以及通过夹着元件体（2）形成的一对电极（3,4）。 该半导体陶瓷元件（1）在实际使用温度范围内表现出突然的电阻变化，并且可以有利地用作温度传感器。

公开(公告)号：WO01077024A1

公开(公告)日：2001-10-18

申请号：PCT/US2001/010929

申请日：2001-04-04

IPC: C01G49/00 ,  G01K7/38 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F1/40 ,  H01L43/10 ,  G11B5/00

CPC classification number: C01G49/0036 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  C01G49/009 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/42 ,  G01K7/38 ,  G01R33/09 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01F1/407 ,  H01L43/10

Abstract: The room temperature, low field intergrain magnetoresistance (IMR) of the double perovskite SrFe0.5MO0.5O3 is found to be highly tunable by doping either Ca or Ba into the Sr site. The dopant exerts a chemical pressure, changing the Curie temperature and the magnetic softness. The IMR at optimal doping (Sr0.2Ba0.8Fe0.5Mo0.5O3) is approximately 3.5 % in 100 Oe, and increases further in high fields. The unprecedented strength of the IMR in this highly spin polarized system provides new grounds for employing novel magnetic materials for new magnetic sensing applications and spin electronics.

Abstract translation: 发现双钙钛矿SrFe0.5MO0.5O3的室温，低场晶格内磁阻（IMR）可以通过将Ca或Ba掺杂到Sr位点来高度可调。 掺杂剂施加化学压力，改变居里温度和磁性柔软度。 在100 Oe中，最佳掺杂下的IMR（Sr0.2Ba0.8Fe0.5Mo0.5O3）约为3.5％，在高场中进一步增加。 在这种高度自旋极化系统中，IMR的前所未有的强度为采用新的磁性材料用于新的磁感应应用和自旋电子学提供了新的基础。

公开(公告)号：WO2016147000A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/GB2016/050715

申请日：2016-03-16

Applicant: THE UNIVERSITY OF LIVERPOOL

Inventor： ROSSEINSKY, Matthew J. ,  MANDAL, Pranab ,  ALARIA, Jonathan ,  CLARIDGE, John ,  PITCHER, Michael

IPC: H01F1/40 ,  H01F10/193

CPC classification number: C04B35/2683 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/85 ,  H01F1/407 ,  H01F10/1933 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/222 ,  H01L28/55 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: The present invention relates to new multiferroic materials. More particularly, the present invention relates to new multiferroic single phase ceramic materials as well as to thin films formed from these materials, methods of preparing these materials and their use as multiferroic materials in electronic components and devices.

Abstract translation: 本发明涉及新的多铁性材料。 更具体地，本发明涉及新的多铁性单相陶瓷材料以及由这些材料形成的薄膜，制备这些材料的方法及其作为电子元件和器件中的多铁性材料的用途。

公开(公告)号：WO2007114561A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：PCT/KR2007/000833

申请日：2007-02-16

Applicant: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION ,  NOH, Tae Won ,  YUN, Jong Gul ,  LEE, Jung Hyuk

Inventor： NOH, Tae Won ,  YUN, Jong Gul ,  LEE, Jung Hyuk

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L41/16 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/22 ,  H01F1/407 ,  H01F10/002 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1272 ,  H01G7/06 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/325

Abstract: The present invention relates to forming the material represented by the following formula (1) into a layer having hexagonal crystalline structure, which is different from the orthorhombic crystalline structure of the material in bulk phase, so that the material can be used more effectively in various fields requiring multiferroic properties by obtaining multiferroic properties enhanced than the conventional multiferroic materials. RMnO 3 , (R = Lanthanide)… (1)

Abstract translation: 本发明涉及将由下式（1）表示的材料形成为具有六方晶系结构的层，其不同于块状材料的正交晶体结构，使得该材料可以更有效地用于各种 通过获得比常规多铁性材料增强的多铁性质，需要多铁性质的领域。 RMnO 3，（R =镧系元素）（1）

公开(公告)号：WO1995035507A1

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：PCT/EP1995002281

申请日：1995-06-13

Applicant: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD ,  GIBBS, Michael, Richard, John ,  GEHRING, Gillian, Anne ,  BLYTHE, Harry, Jarratt

Inventor： THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD

IPC: G01R33/09

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  H01F1/0036 ,  H01F1/407 ,  H01F10/32

Abstract: A magnetic field responsive device which comprises: an electrically insulating substrate (2), a layer of an electrically conductive soft magnetic material (3), a layer of giant magneto-resistive (GMR) material (5) arranged in electrical contact with the layer of electrically conductive soft magnetic material, the thickness of the GMR material layer being not greater than twice the mean free path of an electron in the said GMR material, the layers being arranged in any order or position on the substrate and having opposed directions of magnetisation in zero applied magnetic field.

Abstract translation: 一种磁场响应装置，包括：电绝缘基板（2），导电软磁材料层（3），与所述层电接触布置的巨磁阻（GMR）材料层， 的导电软磁材料，所述GMR材料层的厚度不大于所述GMR材料中电子的平均自由程的两倍，所述层以基板上任何顺序或位置排列并且具有相反的磁化方向 零施加磁场。

公开(公告)号：WO2009115335A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/EP2009/002052

申请日：2009-03-19

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG e. V. ,  MERCK PATENT GMBH, ,  ZILCH, Christian ,  GERDES, Wilhelm ,  BAUER, Johann ,  HOLSCHUH, Karl

Inventor： ZILCH, Christian ,  GERDES, Wilhelm ,  BAUER, Johann ,  HOLSCHUH, Karl

IPC: B01L7/00 ,  H01F1/36 ,  H01F1/37 ,  H05B6/02 ,  H05B6/10

CPC classification number: H01F1/0063 ,  B01L7/52 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2200/14 ,  B01L2300/0829 ,  B01L2300/18 ,  B01L2300/1894 ,  B82Y5/00 ,  B82Y25/00 ,  C12N15/1096 ,  H01F1/0054 ,  H01F1/37 ,  H01F1/407

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur thermischen Steuerung mindestens einer temperaturabhängigen enzymatischen Reaktion in Gegenwart magnetischer Partikel, insbesondere Nanopartikel, oder magnetischer Beads in vitro durch Erwärmung der magnetischen Beads oder magnetischen Partikel mittels Wechselmagnetfelder auf mindestens eine bestimmte Zieltemperatur. Bei der mit dem erfindungsgemäßen Verfahren thermisch steuerbaren enzymatischen Reaktion handelt es sich vorzugsweise um eine PCR-Reaktion oder eine andere Reaktion zur Elongation oder Vervielfältigung von Nukleinsäuren, einschließlich DNA, RNA oder Hybride oder Derivate davon, welche direkt auf den funktionalisierten magnetischen Beads stattfindet. Weitere Aspekte der Erfindung betreffen einen Reaktor zur Durchführung des Verfahrens und die Verwendung des Verfahrens bzw. des Reaktors in der Analytik und Diagnostik.

Abstract translation: 本发明通过通过交变磁场的至少一个特定的目标温度下加热所述磁珠或磁性颗粒涉及用于在磁颗粒，特别是纳米颗粒或磁珠的体外存在的至少一个温度相关的酶促反应的热控制的方法。 当与本发明方法的酶反应的热可控，其优选为一个PCR反应或伸长或核酸，包括DNA，RNA或杂合体或它们的衍生物，其发生在官能化磁珠扩增另一反应。 本发明的其它方面涉及用于实施该方法，并在分析和诊断的方法的使用或反应器的反应器中。

公开(公告)号：WO2006098432A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：PCT/JP2006/305405

申请日：2006-03-17

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  細野 秀雄 ,  平野 正浩 ,  平松 秀典 ,  神谷 利夫 ,  柳 博 ,  本光 英治

Inventor： 細野 秀雄 ,  平野 正浩 ,  平松 秀典 ,  神谷 利夫 ,  柳 博 ,  本光 英治

IPC: H01F10/193 ,  C01B25/16 ,  C04B35/50 ,  H01F1/40 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01F10/193 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/42 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/407 ,  Y10T428/325

Abstract: 磁性イオンとして、d原子軌道に５個の電子を有する遷移金属イオン（Mn ２＋ ,Fe ３＋ ,Ru ３＋ ,Re ２＋ ,又はOs ３＋ ）を、少なくとも１種類含み、電子キャリアの注入によりｎ型電気伝導、及びホールキャリヤの注入によりｐ型電気伝導を発現することを特徴とする磁性半導体材料。具体例としては、化学式ＬｎＭｎＯＰｎ（Ｌｎは、Y、及びLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、又はLuの希土類元素のうちから選ばれた少なくとも１種、Ｐｎは、N、P、As、Bi、又はSbのプニコゲン元素のうちから選ばれた少なくとも１種）で示されるオキシプニクタイド層状化合物が挙げられる。この磁性半導体材料の薄膜からなる磁性ｐｎホモ接合構造を用いて、高感度な磁気センサー、電流センサー及びメモリーデバイスを作成することができる。

Abstract translation: 一种磁性半导体材料，其特征在于它包括至少一种类型的过渡金属离子（Mn 2+，Fe 3+，N 3+），Ru 3+ 在其d原子轨道中具有五个电子的SUP>，Re 2+或O 3+ +）作为磁性离子，并且通过注入表现出n型导电 的电子载体和通过注入空穴载体的p型导电。 具体地说，上述材料包括由化学式LnMnOPn表示的氧化钛叠层化合物，其中Ln是选自Y中的至少一种和La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb， Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu，Pn是选自N，P，As，Bi和Sb中的至少一种。 可以通过使用包括上述磁性半导体材料的薄膜的磁性pn均质结构来制造表现出高灵敏度的磁传感器，电流传感器和存储器件。

公开(公告)号：WO2002067341A1

公开(公告)日：2002-08-29

申请号：PCT/ES2002/000059

申请日：2002-02-08

Applicant: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS ,  FONTCUBERTA GRIÑO, Josep ,  MARTÍNEZ PEREA, Benjamin ,  NAVARRO HERNÁNDEZ, José ,  BALCELLS ARGEMI, Lluis

Inventor： FONTCUBERTA GRIÑO, Josep ,  MARTÍNEZ PEREA, Benjamin ,  NAVARRO HERNÁNDEZ, José ,  BALCELLS ARGEMI, Lluis

IPC: H01L41/20

CPC classification number: H01F1/407 ,  B82Y10/00 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/50

Abstract: Esta invención se refiere a un procedimiento para aumentar la temperatura de orden ferromagnético (temperatura de Curie, T?C#191) en óxidos ferromagnéticos tipo doble perovskita A?2#191BB'O?6#191 donde B y B' son iones metálicos (B=Cr,Fe,Co,.. y B'=Mo, Re,W,...). Algunos de estos óxidos son metálicos y ferromagnéticos y presentan una magnetoresistencia (cambio de su resistencia eléctrica al ser sometidos a un campo magnético) importante, por lo que pueden ser usados en dispositivos y sensores magnetoresistivos. La presente invención incluye los materiales tipo A?2#191BB'O?6#191 preparados con la composición y procedimiento que se describirán así como los dispositivos magnetoresistivos (por ejemplo, sensores magnéticos, memorias magnéticas, cabezales de lectura magnéticos, etc.) que en base a ellos se pudieran fabricar.

Abstract translation: 本发明涉及一种提高A2BB'O6双钙钛矿型铁磁性氧化物的铁磁顺序温度（居里温度，TC）的方法，其中B和B'是金属离子（B = Cr，Fe，Co等，B '= Mo，Re，W等）。 所述氧化物中的一些是金属和铁磁性氧化物，并且它们具有高磁阻（当受到磁场时的电阻变化），使得它们可以用作磁阻传感器和装置。 本发明涉及使用所述的组成和方法制备的A2BB'O6型材料以及可以以这种方式制造的磁阻器件（例如磁传感器，磁存储单元，磁读头等）。

公开(公告)号：WO2005112085A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：PCT/SE2005/000711

申请日：2005-05-17

Applicant: NM SPINTRONICS AB ,  RAO, Venkat ,  SHARMA, Parmanand ,  GUPTA, Amita

Inventor： RAO, Venkat ,  SHARMA, Parmanand ,  GUPTA, Amita

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L29/227 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/404 ,  H01F1/407 ,  H01F10/193 ,  H01L43/10

Abstract: A semi-conducting material, a method for producing the material, and ways of implementing the material, wherein said material is doped with Cu or CuO, and is ferromagnetic at least at one temperature in the range between -55°C and 125°C. Typically the material may comprise GaP or GaN.

Abstract translation: 半导体材料，材料的制造方法以及实施该材料的方法，其中所述材料掺杂有Cu或CuO，并且至少在-55℃和125℃之间的至少一个温度下是铁磁性的 。 通常该材料可以包括GaP或GaN。

公开(公告)号：WO2005060657A2

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：PCT/US2004/042200

申请日：2004-12-15

Applicant: YALE UNIVERSITY ,  AHN, Charles ,  KLEIN, Lior ,  BASSON, Yosef ,  HONG, Xia ,  YAU, Jen-Bang

Inventor： AHN, Charles ,  KLEIN, Lior ,  BASSON, Yosef ,  HONG, Xia ,  YAU, Jen-Bang

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09 ,  G11C11/18 ,  H01F1/407 ,  H01F10/1933 ,  H01L43/06

Abstract: The present invention is directed to the use of perovskite manganite thin films and other magnetic films that exhibit both planar Hall effect and biaxial magnetic anisotropy to form the active area in magnetic sensor devices and in magnetic bit cells used in magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The manganite thin films of the invention are ferromagnetic manganites of the formula R 1-x A x MnO 3 , wherein R is a rare-earth metal, A is an alkaline earth metal, and x is generally between about 0.15 and about 0.5.

Abstract translation: 本发明涉及使用表现出平面霍尔效应和双轴磁各向异性两者的钙钛矿亚锰酸盐薄膜和其它磁性膜来形成磁传感器装置和磁阻随机存取存储器（MRAM）中使用的磁位元件中的有效面积的方法， 设备。 本发明的亚锰酸盐薄膜是式R1-xAxMnO3的铁磁锰矿，其中R是稀土金属，A是碱土金属，x通常在约0.15和约0.5之间。