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公开(公告)号：WO2019017541A1
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：PCT/KR2017/015655
申请日：2017-12-28
Applicant: 류기택 , 박형근 , 서동주 , (주)파인테크 , 부산대학교 산학협력단 , 재단법인 하이브리드 인터페이스기반 미래소재 연구단
CPC classification number: B23P15/24 , B23P23/04 , B24B19/02 , B26F1/44 , C02F1/02 , C23F1/12 , C23F3/00 , C23F4/00
Abstract: 본 발명은 일면에 블레이드와 가공홈이 형성된 베이스 플레이트의 타면을 처리하여 칩 배출 슬롯을 형성하는 것을 특징으로 하여, 비교적 간단하고 용이한 작업을 통하여 단시간에 탈취금형을 제작하여 비용 절감까지 도모할 수 있도록 한 탈취금형 및 이것의 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2014104461A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/KR2013/000232
申请日：2013-01-11
Applicant: 부산대학교 산학협력단
CPC classification number: B23H9/00 , B22F3/105 , B22F2999/00 , B23H1/00 , C04B35/58014 , C04B35/6261 , C04B2235/3886 , C04B2235/402 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , B22F2202/13
Abstract: 본 발명은 MAX 상(Phases) Ti 2 AlN 벌크소재를 제공하고, 그에 대한 미세 가공을 제공하고자 한다. 본 발명은, 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 그리고 질화티탄(TiN) 분말을 Ti:Al:TiN=1:1:1의 비율로 마멸 밀링기(attrition milling machine)에서 혼합 및 합성하고, 합성된 분말은 방전 플라즈마 소결로를 이용하여 플라즈마 소결하여 MAX 상(Phases) Ti 2 AlN 벌크소재를 제조하는 방법을 제시하며, 제조된 Ti 2 AlN 벌크소재에, 마이크로 방전가공을 적용해 수십 내지 수백 μm 직경을 갖는 미세형상 가공을 고정밀도를 갖는 동시에 신속하게 실시할 수 있는 가공방법을 제시하였다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于所述材料的MAX相Ti2AlN块状材料和微加工方法。 本发明提出了通过以Ti:Al:TiN = 1:1:1的比例混合并合成钛（Ti）粉末，铝（Al）粉末和氮化钛（TiN）粉末）制备MAX相Ti2AlN体材料的方法。 通过磨耗铣床，并使用放电等离子体烧结炉等离子体烧结合成粉末。 本发明还提出了一种对制备的Ti2AlN材料进行微放电加工的加工方法，以便对直径为几十到几百μm的高精度微结构进行快速加工。
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公开(公告)号：WO2019017542A1
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：PCT/KR2017/015656
申请日：2017-12-28
Applicant: 류기택 , 박형근 , 서동주 , (주)파인테크 , 부산대학교 산학협력단 , 재단법인 하이브리드 인터페이스기반 미래소재 연구단
CPC classification number: B23P15/24 , B23P23/04 , B26F1/44 , C02F1/02 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/34
Abstract: 본 발명은 일면에 블레이드와 가공홈이 형성된 베이스 플레이트의 타면에 형성된 PR층에 노광 및 현상하여 상기 가공홈 형성 위치에 대응하는 상기 PR층을 제거하고, 상기 PR층이 제거된 상기 베이스 플레이트의 타면을 일정 두께로 제거하여 칩 배출 슬롯을 형성하는 것을 특징으로 하여, 비교적 간단하고 용이한 작업을 통하여 단시간에 탈취금형을 제작하여 비용 절감까지 도모할 수 있도록 한 탈취금형 및 이것의 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2014109425A1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：PCT/KR2013/000234
申请日：2013-01-11
Applicant: 부산대학교 산학협력단
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/0641 , C23C14/3471 , C23C14/3485 , C23C14/5806
Abstract: 본 발명은, Ti 2 AlN MAX 상 박막 제작에 관한 것으로, 스퍼터링 등으로 형성한 비정질 Ti 2 AlN 박막을 800 ℃ 정도의 고온에서 후열 처리하여 결정질 화하는 종래 기술과 달리 비교적 저온에서 박막을 증착함과 동시에 바로 결정질 박막으로 제작하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, Ti 2 AlN 타겟을 제작사용하고, 임펄스 전압을 인가하여 방전된 플라즈마를 이용하여 타겟으로부터 침식되어 나오는 금속 입자를 이온화시켜 400 내지 500 ℃ 정도의 비교적 저온에서 우수한 결정질 박막을 제작할 수 있어, 모재 선택의 폭을 넓혀 Ti 2 AlN MAX 상 박막 적용의 폭을 넓혔다.
Abstract translation: 本发明涉及在Ti2AlN MAX上制造薄膜，并且提供了一种方法，其中与通过溅射等形成的无定形Ti 2 AlN薄膜通过经受 随后在约800℃的高温下进行热处理，在较低温度下气相沉积时，将薄膜直接制成结晶薄膜。 根据本发明，可以通过制备Ti2AlN靶，并且通过使用以下方法使被腐蚀和从靶中出现的金属粒子的离子化，在400-500℃的相对较低的温度下制造出优异的晶体薄膜 在施加脉冲电压时放电的等离子体，因此基材的选择范围变宽，Ti2AlN MAX上的薄膜的使用范围扩大。
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