公开(公告)号：WO2018180868A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：PCT/JP2018/011362

申请日：2018-03-22

Applicant: 株式会社アルバック

Inventor： 廣庭　大輔 ,  栗本　孝志 ,  植田　昌久

IPC: H01L21/768 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  C25D5/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/12 ,  H01L23/522

Abstract: 本発明の一形態に電子部品の製造方法は、基板上に第１の金属層を形成し、前記第１の金属層上に第２の金属層を形成し、前記第２の金属層上に有機樹脂層からなるマスクを形成し、前記第２の金属層を、前記マスクを介してフッ素を含む反応ガスを用いてプラズマエッチングして、前記有機樹脂層と前記第２の金属層との積層膜に凹部を形成し、前記凹部の内部表面を酸素アッシング処理し、前記酸素アッシング処理後、電解めっき処理により前記凹部内に第３の金属層を形成する。

公开(公告)号：WO2018117672A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：PCT/KR2017/015204

申请日：2017-12-21

Applicant: 주식회사 포스코

Inventor： 박세민 ,  한규석 ,  권오열 ,  권민석 ,  박종태 ,  민기영 ,  이원걸

IPC: C21D10/00 ,  C21D8/12 ,  C23G1/08 ,  C23F4/00 ,  B23K26/364

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판의 자구미세화 방법은 방향성 전기강판을 준비하는 단계; 방향성 전기강판의 표면에 마스크층을 형성하는 단계; 마스크층의 일부에 레이저 빔을 조사하여, 마스크층을 제거하고, 방향성 전기강판에 예비 그루브를 형성하는 단계; 및 방향성 전기강판을 산세하여 그루브를 형성하는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：WO2017213078A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：PCT/JP2017/020805

申请日：2017-06-05

Applicant: コニカミノルタ株式会社

Inventor： 谷川裕海 ,  水金貴裕

IPC: H01J37/305 ,  B23K15/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/20

CPC classification number: B23K15/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305

Abstract: 被加工物が非回転対称形状を有する場合でも、被加工物に目標形状を加工することができるガスクラスターイオンビーム加工方法を提供する。被加工物（ＷＯ）に照射するガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）を所定サイズに絞るアパーチャー部材（２３）を通して、ＧＣＩＢを被加工物（ＷＯ）に照射する照射工程と、アパーチャー部材（２３）の開口部（２３ａ）と被加工物（ＷＯ）との間の距離を一定に保ちつつ、被加工物（ＷＯ）をアパーチャー部材（２３）に対して相対的に３次元並進移動させる走査工程とを備え、走査工程において、相対走査速度を加工目標を達成するように制御する。

Abstract translation: 即使

工件具有非旋转对称的形状，以提供一种能够在工件加工目标形状的气体团簇离子束加工方法。 通过光圈构件挤压施加到工件（WO）（GCIB）的气体团簇离子束成规定的尺寸（23），照射所述GCIB到工件（WO）的照射步骤中，孔构件的所述开口（23） 同时保持部（23A）和所述工件（23）（WO）恒定的，并且相对三维平移运动工件与（WO）相对孔径构件的扫描步骤之间的距离 在扫描过程中，控制相对扫描速度以实现处理目标。

公开(公告)号：WO2017082373A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：PCT/JP2016/083455

申请日：2016-11-11

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 梅澤　義弘 ,  佐藤　淳 ,  前田　清司 ,  大秦　充敬 ,  松本　和也

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H05H1/46

Abstract: プラズマエッチング時にエッチングレートの均一化を図る。プラズマ処理装置１０は、ウエハＷを保持する保持構造体１８と保持構造体１８を収容する処理容器１２とを備える。方法ＭＴは、処理容器１２内で発生させたプラズマによってウエハＷをエッチングする工程であって該エッチングの実行中にウエハＷを保持した保持構造体１８を傾斜且つ回転させる処理を行う該工程を備え、この処理は、ウエハＷを保持した保持構造体１８に対し複数通りの傾斜回転状態ＲＴ（φ，ｔ）を順次実現し、この傾斜回転状態は、ウエハＷの中心軸線を該中心軸線と同一面内にある処理容器１２の基準軸線に対し傾斜させた状態を保持しつつ、中心軸線を中心に所定の処理時間ｔにわたってウエハＷを回転させ、複数通りの傾斜回転状態において、基準軸線に対する中心軸線の傾斜角ＡＮの値φと処理時間ｔとの組み合わせは複数通りの傾斜回転状態ごとに相違している。

Abstract translation: 尝试均衡等离子蚀刻期间的蚀刻速率。 的等离子体处理装置10包括处理容器12用于容纳保持结构18和保持结构18用于保持晶片W. 方法MT包括用于蚀刻的执行期间倾斜和旋转保持结构18保持晶片W的蚀刻通过在处理容器12中产生的等离子体对晶片W的步骤的步骤执行的处理 多个种类的这个过程中，倾斜的旋转状态，以保持结构18保持晶片W的RT（φ，T）被顺序地实现，倾斜旋转状态，相同于晶片W的中心轴线的中心轴线 同时保持通过在预定治疗时间t，多种方式的斜率旋转状态下，中央相对于基准轴线旋转晶片W相对于倾斜到处理室12的参考轴线的平面，绕轴线的状态下 值φ和倾斜角的轴的的处理时间t的组合对于多个种类的每一个倾斜旋转状态不同。

公开(公告)号：WO2016079818A1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/JP2014/080568

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 石丸　正人 ,  島田　剛 ,  須山　淳 ,  阿部　高廣

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C23F1/02 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  H01L43/12

Abstract: 　本発明は、被エッチング膜の寸法をパターニングされた寸法より縮小させるプラズマ処理方法において、寸法の縮小化に伴う被エッチング膜の変形や倒壊を生じることなく、寸法を縮小させることのできるプラズマ処理方法を提供する。　本発明は、レジストと前記レジストの下方に配置された反射防止膜と前記反射防止膜の下方に配置されたマスク用膜を用いてプラズマエッチングによりタンタル膜をトリミングするプラズマ処理方法において、前記レジストをマスクとしてプラズマエッチングにより前記反射防止膜と前記マスク用膜をトリミングし、前記トリミングされた反射防止膜と前記トリミングされたマスク用膜をプラズマにより除去し、前記トリミングされたレジストと前記トリミングされた反射防止膜をプラズマにより除去した後のマスク用膜をマスクとしてプラズマエッチングにより前記タンタル膜をトリミングすることを特徴とする。

Abstract translation: 本发明提供了一种等离子体处理方法，其从图案化的尺寸减小待蚀刻的膜的尺寸，并且可以减小尺寸而不会由于减小尺寸而使得被蚀刻的膜变形或损坏。 本发明提供一种等离子体处理方法，其中通过使用抗蚀剂进行等离子体蚀刻来修整钽膜，在抗蚀剂下方设置防反射膜，以及设置在反射防止膜下方的掩模膜。 本发明的特征在于，通过使用抗蚀剂作为掩模进行等离子体蚀刻来修整防反射膜和掩模膜，通过等离子体去除修整的防反射膜和修整的掩模膜，并且钽膜为 在通过等离子体去除修整的抗蚀剂和修整的防反射膜之后，通过使用作为掩模的掩模膜进行等离子体蚀刻来修整。

公开(公告)号：WO2015038252A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/US2014/049215

申请日：2014-07-31

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： CHEN, Zhijun ,  LI, Zihui ,  WANG, Anchuan ,  INGLE, Nitin K. ,  VENKATARAMAN, Shankar

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/02205 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: A method of etching silicon nitride on patterned heterogeneous structures is described and includes a remote plasma etch formed from a fluorine-containing precursor and a nitrogen-and-oxygen-containing precursor. Plasma effluents from two remote plasmas are flowed into a substrate processing region where the plasma effluents react with the silicon nitride. The plasmas effluents react with the patterned heterogeneous structures to selectively remove silicon nitride while very slowly removing silicon, such as polysilicon. The silicon nitride selectivity results partly from the introduction of fluorine-containing precursor and nitrogen-and-oxygen-containing precursor using distinct (but possibly overlapping) plasma pathways which may be in series or in parallel.

Abstract translation: 描述了在图案化的异质结构上蚀刻氮化硅的方法，并且包括由含氟前体和含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。 来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入衬底处理区域，其中等离子体流出物与氮化硅反应。 等离子体流出物与图案化的异质结构反应以选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地除去硅，例如多晶硅。 氮化硅选择性部分取决于使用可能是串联或并联的不同（但可能重叠的）等离子体途径引入含氟前体和含氮和氧的前体。

公开(公告)号：WO2015037392A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/JP2014/071487

申请日：2014-08-15

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 宍戸　博明 ,  大久保　亮 ,  野澤　順

IPC: G03F1/32 ,  C23C14/06 ,  C23F4/00 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/80 ,  C23F4/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  H01L21/027

Abstract: 遮光膜を除去するドライエッチングで生じる光半透過膜へのダメージを抑制したマスクブランクを提供する。透光性基板１の主表面上に光半透過膜２と遮光膜４が積層した構造を有するマスクブランク１００であって、光半透過膜２はフッ素系ガスを含有するエッチングガスでのドライエッチングが可能な材料で形成され、遮光膜４は、下層４１と上層４２の積層構造を含み、下層４１はタンタルを含有し、ハフニウム、ジルコニウムおよび酸素を実質的に含有しない材料で形成され、上層４２は、ハフニウムおよびジルコニウムから選ばれる１以上の元素とタンタルを含有し、上層４２の表層を除いた部分は酸素を実質的に含有しない材料で形成され、光半透過膜２と下層４１の間に塩素系ガスを含有しかつ酸素ガスを含有しないエッチングガスでのドライエッチングに対して下層４１との間でエッチング選択性を有する材料からなるエッチングストッパー膜３が設けられている。

Abstract translation: 提供一种掩模坯料，其被抑制在由干蚀刻引起的用于去除遮光膜的光半透膜上的损伤。 具有光透射性基板（1）的主面上层叠有光半透射膜（2）和遮光膜（4）的结构的掩模基板（100）。 光半透膜（2）由可以通过含氟基气体的蚀刻气体进行干蚀刻的材料形成。 遮光膜（4）具有下层（41）和上层（42）的多层结构。 下层（41）由含有钽但基本不含有铪，锆和氧的材料形成。 上层（42）包含钽和选自铪和锆中的一种或多种元素，并且除了其表面层之外的上层（42）的部分由基本上不含氧的材料形成。 在光半透膜（2）和下层（41）之间设置有蚀刻阻挡膜（3），蚀刻阻挡膜（3）由对下层（41）具有蚀刻选择性的材料形成 ）相对于使用包含氯基气体但不含氧气的蚀刻气体的干蚀刻。

公开(公告)号：WO2012169588A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/JP2012/064687

申请日：2012-06-07

Applicant: 国立大学法人 東京工業大学 ,  沖野 晃俊 ,  宮原 秀一 ,  佐々木 良太

Inventor： 沖野　晃俊 ,  宮原　秀一 ,  佐々木　良太

IPC: H05H1/24 ,  B08B3/08 ,  C23C8/36 ,  C23F4/00 ,  C23G5/00 ,  B01J19/08

CPC classification number: C23C8/36 ,  C23C4/134 ,  H05H2240/10

Abstract: 　 【課題】本発明は、例えば、酸素ガス、炭酸ガスおよび窒素酸化物ガスなどのプラズマ化が困難なガスのプラズマを容易に生成することができるプラズマ生成用ガスおよびプラズマ生成方法並びにこれにより生成された大気圧プラズマを提供するとともに、得られた大気圧プラズマを用いて多くの産業分野へのプラズマ処理の応用化を実現可能とすることを目的としている。 【解決手段】大気圧プラズマを生成するために用いられるプラズマ生成用ガスであって、プラズマとなることにより処理能力を有するとともに、プラズマ生成用ガス全体をプラズマ源に搬送するためのベースガス（キャリアーガス）と、前記大気圧プラズマの処理効果を向上する処理効果向上ガスとの混合ガスとされたプラズマ生成用ガスとした。また、前記混合ガスに対し、プラズマ化を補助するための生成補助ガスをさらに混合したプラズマ生成用ガスとした。さらに、当該プラズマ生成用ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ生成方法並びに当該プラズマ生成用ガスから生成した大気圧プラズマとした。

Abstract translation: 发明内容本发明的目的在于提供一种等离子体生成用气体，其能够容易地从不容易形成等离子体的气体（例如氧气，一氧化碳或一氧化氮）产生等离子体，并且提供 等离子体产生方法和由此产生的大气压等离子体。 另一个目的是通过使用所得到的大气压等离子体在许多工业领域中应用等离子体处理。 [解决方案]提供用于产生大气压等离子体的等离子体产生气体。 用于等离子体产生的气体是包含基础气体（载气）的混合气体，其不仅由于形成等离子体而具有处理能力，而且还将等离子体产生的气体作为整体携带到等离子体源，以及处理效率 增强气体，提高大气压等离子体的处理效率。 此外，用于支持等离子体成形的发电支撑气体进一步混入上述混合气体中。 本发明还提供了一种等离子体产生方法，其使用用于等离子体产生的气体来产生等离子体，以及由等离子体产生气体产生的大气压等离子体。

公开(公告)号：WO2012102139A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/JP2012/050869

申请日：2012-01-17

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  軍司 勲男 ,  三好 秀典 ,  原 謙一

Inventor： 軍司　勲男 ,  三好　秀典 ,  原　謙一

IPC: H01L21/302 ,  C23F4/00 ,  H01J27/02 ,  H01J37/317 ,  H01L21/3213

CPC classification number: C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  C23F4/00 ,  H01J27/026 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/32136

Abstract: 　被処理体Ｗの表面に形成された金属膜７２をガスクラスタビームにより加工する金属膜の加工方法において、金属膜の元素を酸化して酸化物を形成する酸化ガスと、酸化物と反応して有機金属錯体を形成する錯化ガスと、希ガスとの混合ガスを断熱膨張させてガスクラスタビームを形成し、ガスクラスタビームを被処理体の金属膜に衝突させることにより金属膜をエッチング加工する。

Abstract translation: 一种用于处理利用气体束束来处理形成在待处理物体（W）的表面上的金属膜（72）的金属膜的方法。 通过使金属膜的元素氧化，与氧化物反应形成有机金属络合物的络合气体和稀有气体，通过绝热膨胀包含用于形成氧化物的氧化气体的混合气体而形成气体束束; 并且气体束束用于轰击被处理物体的金属膜以蚀刻金属膜。

公开(公告)号：WO2011105282A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：PCT/JP2011/053406

申请日：2011-02-17

Applicant: シャープ株式会社 ,  大平 真也

Inventor： 大平　真也

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/38 ,  C23F4/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/32134 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明の配線形成方法は、基材としてのガラス基板（１１）上にＣｕを含む金属薄膜（１２）を成膜する工程と、金属薄膜（１２）上に、絶縁膜またはＣｕを含まない金属膜である絶縁膜（１３１）を形成する工程と、絶縁膜（１３１）上に、フォトリソグラフィーを用いてフォトレジスト（１４）をパターニングする工程と、等方性のドライエッチングを用いて、フォトレジスト（１４）をエッチングマスクとしてライナー膜（１３）をエッチングする工程と、ライナー膜（１３）のエッチング後、フォトレジスト（１４）を除去し、ライナー膜（１３）をエッチングマスクとして等方性のウエットエッチングを行い、金属薄膜（１２）を部分的に除去し、金属配線（１２ａ）を形成する工程と、を含む。

Abstract translation: 公开了一种形成导体迹线的方法。 该方法包括以下步骤：在用作基底的玻璃基板（11）上沉积铜（Cu）金属薄膜（12） 在所述金属薄膜（12）上形成绝缘膜或不含Cu的金属绝缘膜（131）。 通过光刻法在绝缘膜（131）上图案化光致抗蚀剂（14）; 通过使用光致抗蚀剂（14）作为蚀刻掩模的各向同性干蚀刻来蚀刻衬垫膜（13）; 在蚀刻了衬垫膜（13）后，通过使用衬垫膜（13）作为蚀刻掩模的各向同性湿法蚀刻去除光致抗蚀剂（14），然后除去部分金属薄膜（12），从而形成金属 导体迹线（12a）。